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公开(公告)号:CN116050299A
公开(公告)日:2023-05-02
申请号:CN202310060989.4
申请日:2023-01-16
Applicant: 复旦大学
Inventor: 陶俊
IPC: G06F30/28 , G06F17/11 , G06F111/10 , G06F113/08 , G06F119/10 , G06F119/14
Abstract: 本发明涉及一种基于混合方法的增升装置气动噪声数值模拟方法,采用流场数值模拟,获得声源信息,采用远场气动噪声预测方法获得远场气动噪声;本发明的计算方法计算精度高、仿真分析性能优异,利用数值模拟的结果,可以加深研究人员对实际物理问题的理解,快速找出实际工程问题的原因并提供解决方法,减少设计投入,缩短设计周期。
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公开(公告)号:CN104778327B
公开(公告)日:2018-02-27
申请号:CN201510196146.2
申请日:2015-04-23
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于机械设计技术领域,具体为一种基于人工神经网络的飞机翼型优化设计方法。本发明是在基于人工神经网络的翼型参数化反设计的基础上,进一步提出新型翼型优化方法,以此技术进行翼型数据库的扩充,增加设计人员的可利用技术资源。本发明通过分析研究参数化翼型数据的结构与人工神经网络的联系,寻找实现优化方向的手段;从理论和实验比较不同的学习关系对于人工神经网络的优化工作的影响,最终建构适合应用人工神经网络的翼型新型优化方法,使人工神经网络的智能化特点体现在满足更理想气动要求的翼型生成上。本发明将智能化地生成具备比原有的翼型更优良的气动性能的新翼型,形成设计工作的良性循环。
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公开(公告)号:CN106189631A
公开(公告)日:2016-12-07
申请号:CN201610537263.5
申请日:2016-07-11
Applicant: 复旦大学
IPC: C09D133/12 , C09D183/06 , C09D175/14 , C09D127/12 , C09D175/06 , C09D5/03 , C09D7/12 , B64C21/10 , B64C3/36 , B64D15/00
CPC classification number: C09D133/12 , B64C3/36 , B64C21/10 , B64D15/00 , C08K2201/011 , C08L2205/02 , C08L2205/025 , C08L2205/035 , C08L2205/18 , C09D5/032 , C09D5/033 , C09D7/61 , C09D7/62 , C09D7/63 , C09D7/65 , C09D7/70 , C09D175/14 , C09D183/06 , C08L33/12 , C08K9/06 , C08K3/36 , C08L83/06 , C08L27/12 , C08L83/04 , C08K13/02 , C08K2003/2241 , C08K3/346 , C08K2003/3045 , C08L75/06 , C08K9/02 , C08K7/20 , C08K9/04
Abstract: 本发明属于机械设计技术领域,具体为一种基于微纳米涂层的飞机机翼延迟转捩方法。本发明通过在飞机机翼表面装配微纳米涂层,利用其低表面能特性,使得飞机机翼在飞行时边界层转捩延迟,实现表面层流浸润面积增大、湍流区域减小的目的。本发明采用数值和实验的手段研究微纳米涂层对边界层流动的影响机理,建立涂层设计方法,制备合适的微纳米涂层装配于飞机机翼表面。本发明可以减小飞机机翼表面摩擦阻力,降低湍流激励噪声,推迟边界层转捩的发生,扩大层流区域;同时利用低表面能微纳米涂层在化学性能上突出的高度热稳定性和化学惰性,减小水滴对飞机机翼的附着力,获得自清洁和防冰等多种综合效果。
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公开(公告)号:CN103544331A
公开(公告)日:2014-01-29
申请号:CN201210246285.8
申请日:2012-07-16
Applicant: 复旦大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明属于半导体可制造性设计领域,针对铜互连哑元金属填充的技术,具体涉及一种基于CMP仿真模型的哑元综合优化方法。本发明方法通过全芯片CMP仿真得到CMP抛光后的芯片表面高度形貌,并得到高度变化剧烈的有效热点区域;在有效热点区域迭代地进行步进式哑元填充和局部区域快速CMP仿真逐步消除热点;最终通过全芯片CMP仿真确定无有效热点为止。与基于规则的哑元综合方法相比,本发明可确保哑元填充后的版图其CMP抛光后的高度偏差在给定的偏差门限内,且哑元填充量较少。实验表明,在相同填充量下,本发明所述的两种哑元填充方法SMDF和FMF得到的高度形貌均方差比密度驱动的哑元填充方法平均小约58%,具有明显的优势。
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公开(公告)号:CN102296691B
公开(公告)日:2013-06-12
申请号:CN201110192075.0
申请日:2011-07-11
Applicant: 复旦大学
IPC: E03F1/00 , E03F5/00 , E03C1/12 , F16K31/122
Abstract: 本发明属于环保技术领域,具体为一种自力式真空排水系统。该真空排水系统实际上是一个污水收集系统,该系统通过与真空罐连通的管线通向四面八方,通到污水收集点,然后由真空泵组将污水抽入真空罐中;再经排污泵或空压机排入市政总管线。系统包括:污水槽、真空罐、真空泵、真空分界阀、排水泵、空压机、PC机及相应控制软件等。本发明比较传统的重力排污系统,具有施工简单、成本低廉、机动灵活、高效的特点。本发明主要用于工矿企业、机关学校、城乡住宅区等地的污水收集。也可用于真空厕所,作为粪便收集,可大量节约用水,由于是负压,无臭气弥散,特别适用于缺水的城市。本发明也可用于地铁、火车、长途汽车上的厕所。
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公开(公告)号:CN101964002B
公开(公告)日:2013-04-10
申请号:CN200910055285.8
申请日:2009-07-23
Applicant: 复旦大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明属集成电路半导体制造技术领域,提出一种化学机械抛光工艺的哑元填充的启发式方法,将最小化哑元金属数目的哑元填充问题表示成一个标准的线性规划问题,然后提出动态增加网格内哑元金属密度的启发式算法求解最小哑元填充问题。该方法在每次优化过程中根据网格密度代价函数和近似精度,动态确定向待填充网格内填充哑元金属密度的数量,同时通过近似常数ε调整每次迭代时网格内哑元金属密度的增加量,能实现最终结果精度和计算速度的折衷。本方法可行性高,处理速度极高效,其计算速度和结果精度均优于流行的Monte-Carlo方法,可用于解决大规模版图哑元填充问题。
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公开(公告)号:CN102402635A
公开(公告)日:2012-04-04
申请号:CN201010286461.1
申请日:2010-09-19
Applicant: 复旦大学
IPC: G06F17/50 , H01L21/768
Abstract: 本发明属集成电路半导体制造技术领域,涉及一种针对耦合电容影响的化学机械抛光工艺哑元金属填充方法。本方法将求解最小化耦合电容影响的哑元金属填充问题转化成特殊的覆盖线性规划问题,然后用完全多项式时间近似法求解所述问题。本发明能保证最终结果的最优性,在满足给定金属密度约束的前提下,最终获得的哑元金属带来的耦合电容增加量不超过最小增加量的倍。本方法解决了以往方法中存在的速度和精度不能兼顾的难题,可以应用于解决大规模版图哑元填充问题。
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公开(公告)号:CN102142046A
公开(公告)日:2011-08-03
申请号:CN201010567839.5
申请日:2010-11-26
Applicant: 复旦大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明属集成电路领域,涉及针对考虑工艺偏差影响下的带有透明锁存器的数字集成电路进行最优化速度分级的方法,包括计算带有透明锁存器的数字集成电路的最小时钟周期累计密度分布函数,以及根据最小时钟周期累计密度分布函数确定最优时钟周期等级分界点和分界点的最优测试顺序,以最大化总收益。本方法能通过随机配置法以很低的计算复杂度和很高的求解精度得到透明锁存器电路的工作时钟周期分布,避免随机到达时间求解中的收敛性问题;能以计算复杂度仅为O(n log n)的优化方法确定周期等级分界点的最优测试顺序,从而最小化测试成本;还能从理论上保证在采用贪婪算法确定周期等级分界点位置以最大化电路设计收益时,每次迭代计算的最优性。
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公开(公告)号:CN102054089A
公开(公告)日:2011-05-11
申请号:CN201010510296.3
申请日:2010-10-18
Applicant: 复旦大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明涉及针对工艺偏差影响下带有透明锁存器的数字集成电路进行速度分级的方法,包括:步骤1,计算带有透明锁存器的数字集成电路的最小时钟周期累计密度分布函数;步骤2,根据上述最小时钟周期累计密度分布函数采用贪婪算法来计算最优时钟周期等级分界点以最大化销售利润;步骤3,通过求解字母序二叉树带权最短路径问题确定时钟周期等级分界点的最优测试顺序以最小化测试成本,从而在同时考虑销售利润和测试成本的情况下,以低计算复杂度和高计算精度最大化集成电路的设计价值。
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公开(公告)号:CN101964002A
公开(公告)日:2011-02-02
申请号:CN200910055285.8
申请日:2009-07-23
Applicant: 复旦大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明属集成电路半导体制造技术领域,提出一种化学机械抛光工艺的哑元填充的启发式方法,将最小化哑元金属数目的哑元填充问题表示成一个标准的线性规划问题,然后提出动态增加网格内哑元金属密度的启发式算法求解最小哑元填充问题。该方法在每次优化过程中根据网格密度代价函数和近似精度,动态确定向待填充网格内填充哑元金属密度的数量,同时通过近似常数ε调整每次迭代时网格内哑元金属密度的增加量,能实现最终结果精度和计算速度的折衷。本方法可行性高,处理速度极高效,其计算速度和结果精度均优于流行的Monte-Carlo方法,可用于解决大规模版图哑元填充问题。
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