-
公开(公告)号：CN104934303B
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201510327352.2
申请日：2015-06-15
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/027 , H01L21/02 , B81C1/00
Abstract: 本发明属于微纳加工技术领域，具体为一种制备蝴蝶翅膀仿生微纳结构的方法。本发明首先在硅基底上采用旋涂法依次交替旋涂两种不同灵敏度的光刻胶若干层，然后利用电子束光刻对光刻胶进行曝光，再利用两种显影液对曝光后的样品进行交替显影，最终制备得到具有优异特性的分级层次周期或准周期仿生微纳结构，如仿闪蝶磷翅微纳结构等。本发明结合多层胶技术与电子束光刻技术，制备过程中不需要生物模板，并且能够控制每层胶的旋涂厚度，实现对纵向树枝状周期和占空比的精确控制，制备工艺简单，能得到不同结构参数的蝴蝶磷翅仿生微纳结构。
-
公开(公告)号：CN104407499A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201410722266.7
申请日：2014-12-03
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于电子束光刻微纳加工领域，公开了一种使用氢氧化钾溶液显影电子束光刻用化学放大光刻胶UVIII的方法。其步骤包括：清洗基片，烘干；在基片上旋涂六甲基二硅胺（HMDS）作为粘附层增加光刻胶和基片的粘接力；在基片上旋涂化学放大UVIII电子束光刻胶，前烘；电子束光刻，对UVIII进行曝光；对曝光后的光刻胶进行后烘；用配置的氢氧化钾溶液进行显影、用去离子水进行定影，用氮气枪吹干，得到光刻图形。利用本发明，解决了电子束用化学放大胶的显影问题，相对于传统的ShipleyCD26显影液具有成本低，制备简单，环境友好，可靠性高，得到的图形分辨率高，重复性好等优点，在微纳加工光学器件中有着广泛的应用背景。
-
公开(公告)号：CN106711275B
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201611212045.0
申请日：2016-12-25
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L31/113 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种半导体光电传感器。本发明传感器建立在绝缘层上硅的衬底上，器件的源漏为反型掺杂，即一方为p型而另一方为n型掺杂，而沟道为不掺杂或者低掺杂。沟道区域只有一部分为正栅极覆盖，而衬底作为背栅极。此器件的工作机理结合场效应正反馈原理和绝缘层上硅的动态耦合效应，在一定的瞬态电压偏置下，通过绝缘层上硅的动态耦合效应，器件的能带呈现出类似于场效应正反馈器件的载流子注入势垒。此注入势垒的高度受到光致载流子的调控，从而使得器件能被光触发而导通。由于基于场效应正反馈效应，此器件具有响应速度快，工作电流高和器件结构简单等优点。
-
公开(公告)号：CN106711275A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201611212045.0
申请日：2016-12-25
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L31/113 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/1136 , H01L31/1804
Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种半导体光电传感器。本发明传感器建立在绝缘层上硅的衬底上，器件的源漏为反型掺杂，即一方为p型而另一方为n型掺杂，而沟道为不掺杂或者低掺杂。沟道区域只有一部分为正栅极覆盖，而衬底作为背栅极。此器件的工作机理结合场效应正反馈原理和绝缘层上硅的动态耦合效应，在一定的瞬态电压偏置下，通过绝缘层上硅的动态耦合效应，器件的能带呈现出类似于场效应正反馈器件的载流子注入势垒。此注入势垒的高度受到光致载流子的调控，从而使得器件能被光触发而导通。由于基于场效应正反馈效应，此器件具有响应速度快，工作电流高和器件结构简单等优点。
-
公开(公告)号：CN105047548B
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201510322328.X
申请日：2015-06-13
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/28
Abstract: 本发明属于微电子元器件技术领域，具体为一种电子束曝光制备10 纳米T型栅的方法。本发明采用电子束套刻曝光和反应离子刻蚀相结合的工艺，其步骤包括在器件衬底外延层表面旋涂电子束光刻胶，用电子束曝光设计版图，蒸发金属剥离后反应离子刻蚀形成台面，在刻蚀好台面的样品上再次旋涂电子束光刻胶，利用电子束精密套刻技术形成T型形貌，再蒸发金属后剥离形成T型金属电极，从而利用电子束套刻在器件源漏之间制备10纳米T型栅。本发明方法不仅能够显著降低T型栅的脚部尺寸，还能制备头部很宽的T型栅，降低器件的栅电阻和提高器件的截止频率，在制作镓氮基和铟磷基高电子迁移率晶体管的工艺中具有重要意义。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106876421A
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201710033236.9
申请日：2017-01-18
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L27/146 , H01L21/77
Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种基于动态耦合效应的半导体光电传感器及其制备方法。本发明传感器建立在绝缘层上硅的衬底上，器件的源漏区域为金属‑半导体的肖特基接触，无须任何掺杂；沟道为不掺杂或者低掺杂；正栅极覆盖沟道的部分区域且一般在沟道中间，而衬底作为背栅极。此器件的工作机理基于绝缘层上硅的动态耦合效应，背栅施加电压后会在沟道的背面形成导电的高载流子层；此时，正栅极在瞬态电压偏置下，通过绝缘层上硅的动态耦合效应产生深度耗尽，夹断背部的导电层；而光产生的载流子在正栅极下的沟道处聚集，从而隔绝正栅极对于背部导电沟道的耗尽，使得器件能被光触发而导通。相较于普通的光电反偏二极管，此器件具有工作电流高和易于组成传感阵列等优点。
-
公开(公告)号：CN105047548A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201510322328.X
申请日：2015-06-13
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/28
CPC classification number: H01L21/28079
Abstract: 本发明属于微电子元器件技术领域，具体为一种电子束曝光制备10纳米T型栅的方法。本发明采用电子束套刻曝光和反应离子刻蚀相结合的工艺，其步骤包括在器件衬底外延层表面旋涂电子束光刻胶，用电子束曝光设计版图，蒸发金属剥离后反应离子刻蚀形成台面，在刻蚀好台面的样品上再次旋涂电子束光刻胶，利用电子束精密套刻技术形成T型形貌，再蒸发金属后剥离形成T型金属电极，从而利用电子束套刻在器件源漏之间制备10纳米T型栅。本发明方法不仅能够显著降低T型栅的脚部尺寸，还能制备头部很宽的T型栅，降低器件的栅电阻和提高器件的截止频率，在制作镓氮基和铟磷基高电子迁移率晶体管的工艺中具有重要意义。
-
公开(公告)号：CN104934301A
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201510329522.0
申请日：2015-06-13
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/02 , H01L21/027 , G03F7/20 , B82Y40/00
CPC classification number: H01L21/02 , H01L21/027
Abstract: 本发明属于电子束光刻技术领域，具体为一种使用电子束光刻、stencil、光学光刻制作石墨烯纳米器件的方法。其步骤包括：在100-300nm氮化硅隔膜上旋涂300-600nm的PMMA作为掩膜，用电子束光刻直写出100-200nm宽，200-500nm周期的叉指电极，再用RIE刻蚀100-300nm氮化硅隔膜，得到stencil；用stencil作为掩膜板，用热蒸发把100nm金蒸发到以硅为衬底的石墨烯上；然后用光学光刻定义出pads区域，再用热蒸发蒸发金，最后用lift off。本发明所需的图形化工艺条件，需要电子束光刻机、RIE、光学光刻机、SEM、热蒸发等，利用这些工具，即可实现极小尺寸器件的图形化，并制作出非损伤石墨烯纳米器件。
-
公开(公告)号：CN104465337A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410729054.1
申请日：2014-12-03
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/027 , B82Y40/00
CPC classification number: H01L21/0337 , B82Y40/00 , H01L21/0334
Abstract: 本发明属于半导体纳米工艺技术领域，具体为一种使用双层胶制作金属纳米狭缝的方法。其步骤包括：在半导体衬底上旋涂上PMMA正胶光刻胶，再旋涂上NEB负胶光刻胶，接着光刻出线条，对NEB光刻胶显影成像，定义出狭缝的位置，然后进行刻蚀工艺，对PMMA光刻胶刻蚀到衬底的表面，在刻蚀掉的部份淀积金属，完成后进行最后一部剥离工艺，形成金属纳米狭缝的结构。本发明方法准确性高，可靠性高，重复性好；能达到更低的线宽，在蒸发金属和剥离工艺后，能达到10纳米的金属狭缝；使用本发明具有很高的效率和产率；在纳米光学结构制备中有着广泛的应用前景。
-
公开(公告)号：CN106876368B
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201710064235.0
申请日：2017-02-04
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于半导体场效应管技术领域，具体为一种的半导体场效应正反馈馈器件。本发明器件建立在绝缘层上硅的衬底上，器件的阴极和阳极为反型重掺杂，即一方为p+型而另一方为n+型掺杂，而沟道为不掺杂或者低掺杂。临近沟道的是被栅极侧墙所覆盖的低掺杂区域。与一般的场效应正反馈器件相比，如Z2‑FET，本发明提出的器件结构具有对称性，可使用完全自对准的工艺，与MOSFET的工艺完全兼容。此器件不但保留了场效应正反馈器件的低亚阈摆幅和栅控回滞输出特性，可广泛应用于开关，存储器和静电保护等，而且工艺成本更低，工艺难度更小。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
15
records
(took 0.018 seconds)
