公开(公告)号：CN104934301A

公开(公告)日：2015-09-23

申请号：CN201510329522.0

申请日：2015-06-13

Applicant: 复旦大学

Inventor： 陈宜方 ,  李俊洁 ,  刘建朋 ,  陆冰睿 ,  邵金海

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/027 ,  G03F7/20 ,  B82Y40/00

CPC classification number: H01L21/02 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明属于电子束光刻技术领域，具体为一种使用电子束光刻、stencil、光学光刻制作石墨烯纳米器件的方法。其步骤包括：在100-300nm氮化硅隔膜上旋涂300-600nm的PMMA作为掩膜，用电子束光刻直写出100-200nm宽，200-500nm周期的叉指电极，再用RIE刻蚀100-300nm氮化硅隔膜，得到stencil；用stencil作为掩膜板，用热蒸发把100nm金蒸发到以硅为衬底的石墨烯上；然后用光学光刻定义出pads区域，再用热蒸发蒸发金，最后用lift off。本发明所需的图形化工艺条件，需要电子束光刻机、RIE、光学光刻机、SEM、热蒸发等，利用这些工具，即可实现极小尺寸器件的图形化，并制作出非损伤石墨烯纳米器件。

公开(公告)号：CN104465326B

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201410722573.5

申请日：2014-12-03

Applicant: 复旦大学

Inventor： 陈宜方 ,  李俊洁 ,  陆冰睿

IPC: H01L21/02 ,  G03F7/00 ,  B82Y10/00

Abstract: 本发明属于电子束光刻技术领域，具体为一种使用电子束光刻、stencil、光学光刻制作石墨烯纳米器件的方法。其步骤包括：在100（300）nm氮化硅隔膜上旋涂300（600）nm的PMMA作为掩膜，用电子束光刻直写出100（200）nm宽，200（500）nm周期的叉指电极，再用RIE刻蚀100（300）nm氮化硅隔膜，得到stencil；用stencil作为掩膜板，用热蒸发把100nm金蒸发到以硅为衬底的石墨烯上；然后用光学光刻定义出pads区域，再用热蒸发蒸发金，最后用lift off。本发明所需的图形化工艺条件，需要电子束光刻机、RIE、光学光刻机、SEM、热蒸发等，利用这些工具，即可实现极小尺寸器件的图形化，并制作出非损伤石墨烯纳米器件。

公开(公告)号：CN104465326A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201410722573.5

申请日：2014-12-03

Applicant: 复旦大学

Inventor： 陈宜方 ,  李俊洁 ,  陆冰睿

IPC: H01L21/02 ,  G03F7/00 ,  B82Y10/00

Abstract: 本发明属于电子束光刻技术领域，具体为一种使用电子束光刻、stencil、光学光刻制作石墨烯纳米器件的方法。其步骤包括：在100（300）nm氮化硅隔膜上旋涂300（600）nm的PMMA作为掩膜，用电子束光刻直写出100（200）nm宽，200（500）nm周期的叉指电极，再用RIE刻蚀100（300）nm氮化硅隔膜，得到stencil；用stencil作为掩膜板，用热蒸发把100nm金蒸发到以硅为衬底的石墨烯上；然后用光学光刻定义出pads区域，再用热蒸发蒸发金，最后用liftoff。本发明所需的图形化工艺条件，需要电子束光刻机、RIE、光学光刻机、SEM、热蒸发等，利用这些工具，即可实现极小尺寸器件的图形化，并制作出非损伤石墨烯纳米器件。