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公开(公告)号：CN113851253B
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202110981747.X
申请日：2021-08-25
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开了一种磁共振成像兼容的导电浆料复合物及其制备方法。磁共振成像兼容的导电浆料复合物为银和钨的纳米颗粒以及合成树脂或有机硅化合物的复合物，其中所述的磁共振成像兼容是指，将该材料加工制备的电子器械植入生物组织后，不会造成磁共振成像中的图像伪影及缺失，即使植入材料在磁共振成像区域内。本发明形成的导电浆料复合物，在提高磁共振兼容性的同时，能保持良好的导电性能和生物相容性，可以通过丝网印刷或点胶等方法放置到所需部位，并且可以根据合成树脂或有机硅化合物材料性质进行固化，以便实现应用该导电浆料复合物的医疗电子器械在植入后不干扰相关的磁共振成像检测诊断。
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公开(公告)号：CN114635112B
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202210183425.5
申请日：2022-02-28
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开了一种反应溅射氧化钌修饰的神经电极阵列及其制备方法。其包括：在神经电极阵列表面利用反应溅射的方法来制备特定钌、氧原子比例的氧化钌。其中所述的氧化钌是利用特定流量的氩气、氧气以及特定的气压来反应溅射制备的。所述的方法与工艺参数能够确定氧化钌附着力强度较好的反应溅射条件，并且可以获得较好的电化学性质。经过该反应溅射氧化钌修饰的神经电极阵列能够获得更好的电生理信号采集与电刺激效果。
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公开(公告)号：CN114587367A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202210183550.6
申请日：2022-02-28
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开了一种缩放拓扑结构的神经电极阵列及其制备方法，其中所述的拓扑结构是将不同尺寸的电极点，按照特定的结构排列形成拓扑阵列。不同尺寸的电极点能够获取不同范围内神经元的神经电活动，通过不同尺寸的电极点形成拓扑阵列就能获得对应拓扑结构神经元的神经活动，直接用于神经网络的研究。同时，同尺寸的电极点能够对不同范围内神经元进行电刺激，通过不同尺寸的电极点形成拓扑阵列就能对相应拓扑结构神经元进行电刺激，也可以直接用于神经网络的干预与研究。本发明所述的缩放拓扑结构的神经电极阵列，能够研究多个神经元互联协同工作的情况，为提取神经信号或刺激神经元提供新工具。
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公开(公告)号：CN114634151B
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202210183433.X
申请日：2022-02-28
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开了一种易释放的超薄柔性神经电极阵列及其制备方法，本发明利用旋涂的聚苯乙烯磺酸钠PSS作为释放牺牲层，利用PSS的强亲水性，在释放器件时，更易于脱离衬底。其所述的释放过程不涉及强酸、强碱等有害试剂。在进行释放操作前与传统的微纳加工工艺兼容，包括兼容光刻、刻蚀、沉积等加工步骤。通过在特定区域添加释放材料，能够大幅加快超薄柔性电极的释放时间，保护柔性电极的完整性。本发明操作简便，易释放出不同尺寸的超薄柔性神经电极阵列。
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公开(公告)号：CN114587366A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202210183520.5
申请日：2022-02-28
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开了一种超高深宽比的硅神经电极及其制备方法，本发明的硅神经电极具有特定的探针间连接弧度，特定的厚度，宽度以及长度；其通过结合无接触低应力的探针制备方法制备得到。本发明的超高深宽比的硅神经探针能更好的植入体内采集数据，并实现超高深宽比，超高密度、超大范围的跨尺度神经信号采集。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114999732A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210183441.4
申请日：2022-02-28
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开一种高性能PEDOT:PSS薄膜及其制备方法，其包括：设定薄膜的制备参数、设计正交实验、刮涂制备PEDOT:PSS薄膜、测量PEDOT:PSS薄膜性能、通过结果指导优化刮涂参数与后处理参数，最后制备获得高性能的PEDOT:PSS薄膜，从而提高柔性光电器件电极的性能。本发明采用正交实验的方法设计实验，基于分析各影响参数各水平的综合平均值K及极差值R，获得了在多参数相互影响的情况下的最优参数组合，其方法简单、便捷、高效，利于重复实施。
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公开(公告)号：CN114634151A
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202210183433.X
申请日：2022-02-28
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开了一种易释放的超薄柔性神经电极阵列及其制备方法，本发明利用旋涂的聚苯乙烯磺酸钠PSS作为释放牺牲层，利用PSS的强亲水性，在释放器件时，更易于脱离衬底。其所述的释放过程不涉及强酸、强碱等有害试剂。在进行释放操作前与传统的微纳加工工艺兼容，包括兼容光刻、刻蚀、沉积等加工步骤。通过在特定区域添加释放材料，能够大幅加快超薄柔性电极的释放时间，保护柔性电极的完整性。本发明操作简便，易释放出不同尺寸的超薄柔性神经电极阵列。
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公开(公告)号：CN114635112A
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202210183425.5
申请日：2022-02-28
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开了一种反应溅射氧化钌修饰的神经电极阵列及其制备方法。其包括：在神经电极阵列表面利用反应溅射的方法来制备特定钌、氧原子比例的氧化钌。其中所述的氧化钌是利用特定流量的氩气、氧气以及特定的气压来反应溅射制备的。所述的方法与工艺参数能够确定氧化钌附着力强度较好的反应溅射条件，并且可以获得较好的电化学性质。经过该反应溅射氧化钌修饰的神经电极阵列能够获得更好的电生理信号采集与电刺激效果。
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公开(公告)号：CN114634152A
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202210183512.0
申请日：2022-02-28
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开了一种具有跨尺寸电极点的神经电极阵列及其设计方法，本发明设计方法利用多通道的连接器设计多个相同的电极阵列，每个电极阵列包含有多个不同尺寸的电极。所述制备方法采用了微纳加工中的光刻，刻蚀工艺；本发明在刻蚀工艺步骤时，将跨尺寸的范围作了划分，分别采用不同工艺参数进行刻蚀。本发明保证了电极点的刻蚀精度，防止过度刻蚀或没有完全刻蚀。
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公开(公告)号：CN114633032A
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202210183476.8
申请日：2022-02-28
Applicant: 复旦大学
IPC: B23K26/38 , B23K26/402
Abstract: 本发明公开了一种高密度变截面硅探针结构及其制备方法；其包括：利用硅片基底制作探针，使用激光切割探针阵列。本发明利用特定的激光能量、移动距离、加工次数、标刻速度和图层次数来激光切割硅片，确定了能在短时间高质量切割不同截面高度、不同间距硅探针的参数，并且所得到的探针边缘完整，崩边的损坏小。
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