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公开(公告)号：CN113851253A
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN202110981747.X
申请日：2021-08-25
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开了一种磁共振成像兼容的导电浆料复合物及其制备方法。磁共振成像兼容的导电浆料复合物为银和钨的纳米颗粒以及合成树脂或有机硅化合物的复合物，其中所述的磁共振成像兼容是指，将该材料加工制备的电子器械植入生物组织后，不会造成磁共振成像中的图像伪影及缺失，即使植入材料在磁共振成像区域内。本发明形成的导电浆料复合物，在提高磁共振兼容性的同时，能保持良好的导电性能和生物相容性，可以通过丝网印刷或点胶等方法放置到所需部位，并且可以根据合成树脂或有机硅化合物材料性质进行固化，以便实现应用该导电浆料复合物的医疗电子器械在植入后不干扰相关的磁共振成像检测诊断。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113827781A
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN202110984314.X
申请日：2021-08-25
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开了一种磁共振成像兼容的导电薄膜合金材料及其制备方法。本发明的导电薄膜合金材料是面向植入式医疗器械、神经接口或脑机接口应用，以一种顺磁性物质和一种抗磁性物质为共溅射材料，通过磁控共溅射镀膜的微纳加工技术制备得到的薄膜合金材料。本发明利用磁控共溅射镀膜的方法，分别优化设定了顺磁性物质‑抗磁性物质的溅射电流强度、功率等参数以及特定的成膜气压来制备合金材料。从而确定了可应用于植入器械的导电薄膜合金材料的磁控溅射制备条件，使其具有较好的导电与电化学性质，并且在磁共振成像中不会造成影响观测植入部位的成像伪影，具有良好的磁共振成像兼容性。
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公开(公告)号：CN113851253B
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202110981747.X
申请日：2021-08-25
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开了一种磁共振成像兼容的导电浆料复合物及其制备方法。磁共振成像兼容的导电浆料复合物为银和钨的纳米颗粒以及合成树脂或有机硅化合物的复合物，其中所述的磁共振成像兼容是指，将该材料加工制备的电子器械植入生物组织后，不会造成磁共振成像中的图像伪影及缺失，即使植入材料在磁共振成像区域内。本发明形成的导电浆料复合物，在提高磁共振兼容性的同时，能保持良好的导电性能和生物相容性，可以通过丝网印刷或点胶等方法放置到所需部位，并且可以根据合成树脂或有机硅化合物材料性质进行固化，以便实现应用该导电浆料复合物的医疗电子器械在植入后不干扰相关的磁共振成像检测诊断。
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公开(公告)号：CN113642282B
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202110943206.8
申请日：2021-08-17
Applicant: 复旦大学
IPC: G06F30/392 , G06F30/398 , G06N3/067
Abstract: 本发明属于光遗传学技术领域，具体为一种基于微型LED阵列的光神经接口优化设计方法。本发明利用吸收层来模拟神经组织，分析光神经接口中微型LED阵列的辐照度分布，通过改变吸收层间距、LED尺寸大小和排列间隔，得到有效光刺激体积与作用范围，得到光神经接口的数学模型，为光神经接口中微型LED阵列设计提供依据；具体包括：建立LED阵列的仿真模型、设置并定义光学材料、进行光线追迹、对模拟结果进行平滑化处理，最后归纳总结得出数学模型，从而在提高光神经接口的空间分辨率和避免串扰方面提供设计指导。
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公开(公告)号：CN113642282A
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202110943206.8
申请日：2021-08-17
Applicant: 复旦大学
IPC: G06F30/392 , G06F30/398 , G06N3/067
Abstract: 本发明属于光遗传学技术领域，具体为一种基于微型LED阵列的光神经接口优化设计方法。本发明利用吸收层来模拟神经组织，分析光神经接口中微型LED阵列的辐照度分布，通过改变吸收层间距、LED尺寸大小和排列间隔，得到有效光刺激体积与作用范围，得到光神经接口的数学模型，为光神经接口中微型LED阵列设计提供依据；具体包括：建立LED阵列的仿真模型、设置并定义光学材料、进行光线追迹、对模拟结果进行平滑化处理，最后归纳总结得出数学模型，从而在提高光神经接口的空间分辨率和避免串扰方面提供设计指导。
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公开(公告)号：CN113827781B
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202110984314.X
申请日：2021-08-25
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开了一种磁共振成像兼容的导电薄膜合金材料及其制备方法。本发明的导电薄膜合金材料是面向植入式医疗器械、神经接口或脑机接口应用，以一种顺磁性物质和一种抗磁性物质为共溅射材料，通过磁控共溅射镀膜的微纳加工技术制备得到的薄膜合金材料。本发明利用磁控共溅射镀膜的方法，分别优化设定了顺磁性物质‑抗磁性物质的溅射电流强度、功率等参数以及特定的成膜气压来制备合金材料。从而确定了可应用于植入器械的导电薄膜合金材料的磁控溅射制备条件，使其具有较好的导电与电化学性质，并且在磁共振成像中不会造成影响观测植入部位的成像伪影，具有良好的磁共振成像兼容性。
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