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公开(公告)号：CN115440623A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202210779714.1
申请日：2022-07-04
Abstract: 本发明提出一种激光烧结装置以及激光烧结方法。所述激光烧结装置包括：激光器、温度传感器、压力传感器基座、运动平台、透光板、以及砝码负载。上述技术方案提出的激光烧结装置及烧结方法通过实时调控烧结温度，避免烧结温度过高导致芯片以及基板损坏，同时提高了烧结体的整体机械强度和抗疲劳可靠性。
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公开(公告)号：CN115403353A
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202210743291.8
申请日：2022-06-28
IPC: C04B28/34 , C04B111/20 , C04B111/27 , C04B111/34
Abstract: 本发明提供了一种磷酸钙基水泥灌封材料及其制造方法，所述磷酸钙基水泥中均匀分布有纳米聚酰亚胺纤维和氮化硼粉末，其中所述纳米聚酰亚胺纤维的质量分数为1％‑10％，纤维长度范围为10微米‑200微米，纤维直径范围为30纳米‑200纳米，所述氮化硼粉末的质量分数为0.1％‑70％，粒径范围为0.01微米‑200微米。采用磷酸钙基水泥作为基础封装材料，降低了成本，比现有任何一种体系的成本都低；上述灌封材料体系耐高温，能耐受350℃的高温；改善了水泥水化的过程，降低了气孔率；降低了裂缝形成的可能性，改善了水泥抗水雾和盐雾的能力。纳米聚酰亚胺纤维和氮化硼粉末形成了三维导热网络，提高了水泥的热导率。
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公开(公告)号：CN117463993A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202311270520.X
申请日：2023-09-27
IPC: B22F1/068 , H01F41/04 , H01F17/00 , H01F41/00 , H01F27/29 , B22F1/065 , B22F1/05 , B22F7/08 , B22F3/10
Abstract: 本发明提供一种烧结材料及其制备方法、柔性烧结电感的制作方法以及双层柔性烧结电感的制作方法。所述烧结材料包括铜粒子、银粒子及分散液，所述铜粒子及银粒子分散于所述分散液中，其中，铜粒子与银粒子的质量之和占烧结材料总重量的比例为75％～90％。上述技术方案通过采用铜粒子和银粒子混合的烧结材料，简化了柔性烧结电感制作工艺的步骤，降低了工艺成本，改善了柔性烧结电感不易工艺集成的问题。通过上述技术方案获得的柔性烧结电感采用烧结工艺制造，可以在柔性基板上灵活地进行弯曲、折叠和拉伸，从而适应各种复杂形状和尺寸的设备，进而可以轻松地整合到柔性电子设备中。
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公开(公告)号：CN117747701A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311595000.6
申请日：2023-11-27
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224
Abstract: 本发明提供一种可转移的太阳能电池电极的制备工艺，包括：在转移衬底表面层叠形成临时粘合介质层和金属铜电极层和感光层在具有透明导电氧化物薄膜的半成品太阳能电池片表面设置导电胶层；将转移衬底倒置与半成品太阳能电池片贴合，加热去除临时粘合介质层以及固化导电胶层，转移衬底与金属铜电极层分离，金属铜电极层转移到半成品太阳能电池片上。本发明制备工艺避免了制备过程中使用刻蚀液、显影液等对电池片的不良影响，解决现有制备工艺中电镀液与刻蚀液等残留物对衬底造成不良影响的问题。
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公开(公告)号：CN114864527A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210433508.5
申请日：2022-04-24
IPC: H01L23/488 , H01L21/60
Abstract: 本发明涉及一种催化剂掺杂铜烧结膏及其制备方法和使用方法。准备催化剂颗粒，配置含铜粒子的分散浆料；将催化剂颗粒加入含铜粒子的分散浆料，获得催化剂掺杂的铜烧结膏；采用混合器对催化剂掺杂铜烧结膏做均匀混合处理，获得最终的催化剂掺杂铜烧结膏。将所述催化剂掺杂铜烧结膏涂覆至基板上；将芯片贴合至涂覆在基板上的催化剂掺杂铜烧结膏上；控制压力及温度烧结所述基板，冷却获得烧结完成的连接器件。与现有技术相比，本发明解决了现有的铜膏体烧结后易氧化，孔隙率较大，连接强度较低的技术问题，有效提高铜烧结膏热学，电学，力学性能可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117340238A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202311266761.7
申请日：2023-09-27
Abstract: 本发明提供一种烧结材料及其制备方法、以及采用烧结材料的封装方法。所述烧结材料包括铜粒子、银粒子及分散液，所述铜粒子及银粒子分散于所述分散液中，其中，银粒子的质量占烧结材料总重量的比例为25％～95％。上述技术方案采用铜粒子和银粒子混合的烧结材料，改善了烧结材料烧结后易被硫化氢腐蚀的问题以及烧结材料易氧化的问题，可以在保证烧结接头热学，电学，力学性能可靠性的同时，增强接头的抗腐蚀性能。
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公开(公告)号：CN118655163B
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202410880649.0
申请日：2024-07-02
Applicant: 复旦大学宁波研究院
IPC: G01N23/207 , G01L1/25 , G01L5/00
Abstract: 一种碳化硅缺陷密度的无损测量方法，包括以下步骤：对待测碳化硅样品进行XRD检测，得到摇摆曲线，进一步获得待测碳化硅样品半高宽；对标准样品进行XRD检测，得到摇摆曲线，进一步获得标准样品半高宽；按照缺陷密度计算公式计算，得到碳化硅缺陷密度；所述缺陷密度计算公式为：位错密度＝(待测碳化硅样品半高宽‑标准样品半高宽)2/(4.35×b2)×10‑4；其中，b为缺陷的伯氏矢量。本发明在充分研究碳化硅缺陷密度及残余应力和摇摆曲线的关系的基础上，通过测量摇摆曲线的半高宽，可以无损测量碳化硅的缺陷密度，进一步通过摇摆曲线的峰位可以计算残余应力，从而在不损伤衬底材料的基础上，能够实现碳化硅缺陷密度的快速、准确测量，效率高且成本低。
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公开(公告)号：CN118655163A
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202410880649.0
申请日：2024-07-02
Applicant: 复旦大学宁波研究院
IPC: G01N23/207 , G01L1/25 , G01L5/00
Abstract: 一种碳化硅缺陷密度的无损测量方法，包括以下步骤：对待测碳化硅样品进行XRD检测，得到摇摆曲线，进一步获得待测碳化硅样品半高宽；对标准样品进行XRD检测，得到摇摆曲线，进一步获得标准样品半高宽；按照缺陷密度计算公式计算，得到碳化硅缺陷密度；所述缺陷密度计算公式为：位错密度＝(待测碳化硅样品半高宽‑标准样品半高宽)2/(4.35×b2)×10‑4；其中，b为缺陷的伯氏矢量。本发明在充分研究碳化硅缺陷密度及残余应力和摇摆曲线的关系的基础上，通过测量摇摆曲线的半高宽，可以无损测量碳化硅的缺陷密度，进一步通过摇摆曲线的峰位可以计算残余应力，从而在不损伤衬底材料的基础上，能够实现碳化硅缺陷密度的快速、准确测量，效率高且成本低。
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公开(公告)号：CN112417729A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202011321629.8
申请日：2020-11-23
Applicant: 复旦大学
IPC: G06F30/23 , G06N3/00 , G06F119/08
Abstract: 本发明公开了一种基于蚁群算法的SiC MOSFET封装结构优化方法。本发明首先采用有限元仿真模拟计算出SiC MOSFET中重布线层（RDL）在稳态散热中的最大散热温度和温度循环作用下的最大应力，然后在此基础上对仿真进行优化设计与分析，构建芯片的分布与散热温度和最大应力之间的适应度函数；接着利用蚁群算法进行迭代计算得到适应度值的进化曲线，从而找出散热与热应力最优情况下的芯片分布方式，以达到优化目的。本发明主要应用于功率器件和模块封装可靠性优化场合，通过改善结构，降低SiC芯片结温和热应力，提高模块的可靠性。
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公开(公告)号：CN112163355A
公开(公告)日：2021-01-01
申请号：CN202011018010.X
申请日：2020-09-24
Applicant: 复旦大学
IPC: G06F30/23 , G06F30/392 , G06F30/398 , G06F111/10 , G06F113/18 , G06F119/08 , G06F119/14
Abstract: 本发明涉及一种嵌入式扇出型SiC MOSFET封装结构优化设计方法、介质及设备，其中，所述方法构建SiC MOSFET器件的三维模型，确定芯片分布的可行域，基于所述可行域利用响应曲面法进行仿真参数设计，基于所述仿真参数进行有限元仿真，根据仿真结果构建芯片的分布情况与最大散热温度和最大应力之间的数学模型，从而获得散热与应力最优的芯片分布方式，实现封装结构优化设计。与现有技术相比，本发明具有分析效率、优化准确性高等优点。
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