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公开(公告)号：CN113158601A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN202110312986.6
申请日：2021-03-24
Applicant: 复旦大学 , 常州佳讯光电产业发展有限公司
IPC: G06F30/3308 , G06F30/27 , G06N3/00 , G06N3/04 , G06N3/08 , G06F119/08 , G06F119/14
Abstract: 本发明公开了一种高可靠板级扇出型SiC MOSFET封装结构优化方法。本发明首先采用有限元仿真模拟计算出SiC MOSFET中重布线层（RDL）在稳态散热中的最大散热温度和温度循环作用下的最大应力，然后在此基础上对仿真进行优化设计与分析，构建芯片的分布与散热温度和最大应力之间的神经网络训练数据集；接着利用蚁群算法进行迭代计算得到适应度值的进化曲线，其中适应度值由神经网络算法预测得到。从而找出散热与热应力最优情况下的芯片分布方式，以达到优化目的。本发明主要应用于功率模块封装可靠性优化场合，通过改善结构，降低SiC芯片结温和热应力，提高模块的可靠性。
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公开(公告)号：CN112417729B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202011321629.8
申请日：2020-11-23
Applicant: 复旦大学
IPC: G06F30/23 , G06N3/006 , G06F119/08
Abstract: 本发明公开了一种基于蚁群算法的SiC MOSFET封装结构优化方法。本发明首先采用有限元仿真模拟计算出SiC MOSFET中重布线层（RDL）在稳态散热中的最大散热温度和温度循环作用下的最大应力，然后在此基础上对仿真进行优化设计与分析，构建芯片的分布与散热温度和最大应力之间的适应度函数；接着利用蚁群算法进行迭代计算得到适应度值的进化曲线，从而找出散热与热应力最优情况下的芯片分布方式，以达到优化目的。本发明主要应用于功率器件和模块封装可靠性优化场合，通过改善结构，降低SiC芯片结温和热应力，提高模块的可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113343535B
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202110700564.6
申请日：2021-06-23
Applicant: 复旦大学
IPC: G06F30/23 , G06F30/27 , G06N3/12 , G06F111/04 , G06F111/06 , G06F119/08
Abstract: 本发明公开了一种高可靠性的嵌入式SiC功率器件封装设计方法，属于封装领域，包括：S1构建SiC功率器件的三维模型，确定SiC功率器件的结构和参数；S2基于经验公式获得关于盲孔结构的热阻模型和力学模型；S3通过多目标优化遗传算法对热阻模型和力学模型进行优化，获得盲孔结构的最优结果；S4根据S1中三维模型，在基板上确定盲孔分布的可行域；S5对于可行域内的盲孔位置分布进行有限元仿真实验；S6构建盲孔层中关于盲孔位置分布的最大热应力模型和最大散热温度模型，并获得盲孔位置分布的最优结果；S7根据S3和S6获得SiC功率器件中盲孔结构与位置分布的设计。本发明方法合理有效，能够设计出在高温条件下具有高可靠性的嵌入式SiC功率器件。
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公开(公告)号：CN112417729A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202011321629.8
申请日：2020-11-23
Applicant: 复旦大学
IPC: G06F30/23 , G06N3/00 , G06F119/08
Abstract: 本发明公开了一种基于蚁群算法的SiC MOSFET封装结构优化方法。本发明首先采用有限元仿真模拟计算出SiC MOSFET中重布线层（RDL）在稳态散热中的最大散热温度和温度循环作用下的最大应力，然后在此基础上对仿真进行优化设计与分析，构建芯片的分布与散热温度和最大应力之间的适应度函数；接着利用蚁群算法进行迭代计算得到适应度值的进化曲线，从而找出散热与热应力最优情况下的芯片分布方式，以达到优化目的。本发明主要应用于功率器件和模块封装可靠性优化场合，通过改善结构，降低SiC芯片结温和热应力，提高模块的可靠性。
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公开(公告)号：CN112163355A
公开(公告)日：2021-01-01
申请号：CN202011018010.X
申请日：2020-09-24
Applicant: 复旦大学
IPC: G06F30/23 , G06F30/392 , G06F30/398 , G06F111/10 , G06F113/18 , G06F119/08 , G06F119/14
Abstract: 本发明涉及一种嵌入式扇出型SiC MOSFET封装结构优化设计方法、介质及设备，其中，所述方法构建SiC MOSFET器件的三维模型，确定芯片分布的可行域，基于所述可行域利用响应曲面法进行仿真参数设计，基于所述仿真参数进行有限元仿真，根据仿真结果构建芯片的分布情况与最大散热温度和最大应力之间的数学模型，从而获得散热与应力最优的芯片分布方式，实现封装结构优化设计。与现有技术相比，本发明具有分析效率、优化准确性高等优点。
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公开(公告)号：CN112163355B
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN202011018010.X
申请日：2020-09-24
Applicant: 复旦大学
IPC: G06F30/23 , G06F30/392 , G06F30/398 , G06F111/10 , G06F113/18 , G06F119/08 , G06F119/14
Abstract: 本发明涉及一种嵌入式扇出型SiC MOSFET封装结构优化设计方法、介质及设备，其中，所述方法构建SiC MOSFET器件的三维模型，确定芯片分布的可行域，基于所述可行域利用响应曲面法进行仿真参数设计，基于所述仿真参数进行有限元仿真，根据仿真结果构建芯片的分布情况与最大散热温度和最大应力之间的数学模型，从而获得散热与应力最优的芯片分布方式，实现封装结构优化设计。与现有技术相比，本发明具有分析效率、优化准确性高等优点。
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公开(公告)号：CN113343535A
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN202110700564.6
申请日：2021-06-23
Applicant: 复旦大学
IPC: G06F30/23 , G06F30/27 , G06N3/12 , G06F111/04 , G06F111/06 , G06F119/08
Abstract: 本发明公开了一种高可靠性的嵌入式SiC功率器件封装设计方法，属于封装领域，包括：S1构建SiC功率器件的三维模型，确定SiC功率器件的结构和参数；S2基于经验公式获得关于盲孔结构的热阻模型和力学模型；S3通过多目标优化遗传算法对热阻模型和力学模型进行优化，获得盲孔结构的最优结果；S4根据S1中三维模型，在基板上确定盲孔分布的可行域；S5对于可行域内的盲孔位置分布进行有限元仿真实验；S6构建盲孔层中关于盲孔位置分布的最大热应力模型和最大散热温度模型，并获得盲孔位置分布的最优结果；S7根据S3和S6获得SiC功率器件中盲孔结构与位置分布的设计。本发明方法合理有效，能够设计出在高温条件下具有高可靠性的嵌入式SiC功率器件。
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