有机发光器件中的双亲分子缓冲层及其制备方法

    公开(公告)号:CN1287639C

    公开(公告)日:2006-11-29

    申请号:CN03141803.1

    申请日:2003-07-24

    Applicant: 复旦大学

    CPC classification number: H05B33/14 H01L51/5092 H05B33/20

    Abstract: 一种采用双亲分子超薄膜作为有机发光器件中有机电子传输层与金属电极之间连接层或缓冲层及其制备方法。传统的有机发光器件中的缓冲层是无机缓冲层,缓冲层的引入改善了有机发光器件的电子注入,提高了有机发光器件的效率。但是传统的缓冲层材料LiF是种无机材料,有机材料和无机材料在化学性质上存在着巨大差异,由此产生了的有机发光器件的不稳定性。本发明引入双亲分子脂肪酸盐超薄膜缓冲层可以紧密地连接有机层和金属电极,用常规的热蒸发系统即能制得该缓冲层,这种分子的弹性长链结构使得该缓冲层具有较强的抗热冲击的能力,从而增强了有机发光器件的热稳定性,提高了电子注入。

    砷化镓表面钝化保护膜的制备方法

    公开(公告)号:CN1048355C

    公开(公告)日:2000-01-12

    申请号:CN96116400.X

    申请日:1996-06-19

    Applicant: 复旦大学

    Abstract: 一种砷化镓表面钝化保护膜的制备方法。现有的砷化镓材料及其器件硫钝化后,虽然提高了其性能,但是在光、氧存在下易退化失效。本发明用硫镓化合物为束源,真空淀积钝化过的砷化镓及其器件,形成钝化后的保护膜,方便简便,效果良好,使长期稳定钝化效果的关键问题得以解决。

    一种硫钝化Ⅲ-V族半导体材料表面的方法

    公开(公告)号:CN1053063C

    公开(公告)日:2000-05-31

    申请号:CN94112024.4

    申请日:1994-01-18

    Applicant: 复旦大学

    Abstract: 一种用氯化硫钝化Ⅲ-Ⅴ族半导体材料及器件表面的方法,已有的钝化方法时间长而且要控制温度。本发明用氯化硫处理Ⅲ-Ⅴ族半导体材料及器件,只需将半导体预清洗后,室温下将其放入氯化硫溶液中数秒至几十秒钟,取出用无水有机溶剂、丙酮、水冲洗,氮气吹干即可,本方法室温即可,条件简单,处理时间快,工艺简捷,可作为Ⅲ-Ⅴ族半导体,如GaAs、InP、InSb等半导体材料或器件的表面钝化技术。

    用聚对二甲苯原位封装胶体量子点光电器件的系统及方法

    公开(公告)号:CN117979774A

    公开(公告)日:2024-05-03

    申请号:CN202211285511.3

    申请日:2022-10-20

    Applicant: 复旦大学

    Abstract: 本公开涉及用聚对二甲苯原位封装胶体量子点光电器件的系统及方法。该系统包括用于制备胶体量子点光电器件的处于惰性气体氛围的手套箱、与手套箱经由阀门连接的沉积室、与沉积室连接的第一真空泵系统、以及分别与手套箱和沉积室连接的惰性气体源。沉积室包括设置在沉积室中并被配置为放置从手套箱传送进入沉积室的胶体量子点光电器件的样品托,在沉积室中围绕样品托设置并在面向手套箱一侧设有开口以允许胶体量子点光电器件穿过开口进出样品托的筒状冷阱,以及被配置为向放置在样品托内的胶体量子点光电器件沉积聚对二甲苯膜的聚对二甲苯裂解源。

    一种用于器件光学和电学测量以及真空监测的集成设备

    公开(公告)号:CN104931825A

    公开(公告)日:2015-09-23

    申请号:CN201510323769.1

    申请日:2015-06-13

    Applicant: 复旦大学

    Abstract: 本发明属于真空光学、电学测量技术领域。具体为一种用于器件光学和电学测量以及真空监测的集成设备。本发明集成设备的主体为一气闭壳体,在壳体上安装气体止回阀、电学测试探针、透明窗和负压表等。本发明可以实现以下功能:借助手套箱的过渡仓或真空泵对器件进行有效地真空储存;持在真空环境下的器件可以轻便运输;同时安装在壳体上的电学测试探针和透明窗允许对内部储存的器件进行真空光学和电学测试;通过负压表可以实时监测壳体内部的气压状况。

    砷化镓表面微波放电钝化膜的自体生长方法

    公开(公告)号:CN1146632A

    公开(公告)日:1997-04-02

    申请号:CN96116401.8

    申请日:1996-06-19

    Applicant: 复旦大学

    Abstract: 一种用微波放电产生的硫等离子体在GaAs表面进行自体生长钝化膜的方法。以往溶液钝化方法在GaAs表面产生的钝化膜很薄,在大气中存放会被重新氧化而失去钝化效果。本发明先将GaAs单晶片进行常规方式清洗,氮气吹干后放入S2Cl2溶液中预处理。送入真空腔体后,微波放电产生的硫等离子体在GaAs表面自体生长钝化膜。用此种方法制成的Al/GaS/GaAs(MIS)结构,得到GaS薄膜的绝缘性能相当好。

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