公开(公告)号：CN103180946B

公开(公告)日：2016-01-13

申请号：CN201180051958.8

申请日：2011-10-21

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： H·巴罗斯基 ,  A·胡贝尔 ,  H·哈雷尔 ,  T·尼格迈尔 ,  J·祖佩尔 ,  B·米歇尔 ,  T·布伦斯奇维勒 ,  S·帕雷德斯

IPC: H01L25/18

CPC classification number: H01L25/18 ,  H01L23/3672 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T29/49002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供一种用于经由散热器的集成功率递送和分布的机构。该机构包括：处理器层，经由第一组耦合设备耦合到信令和输入/输出(I/O)层；以及散热器，经由第二组耦合设备耦合到处理器层。在该机构中，散热器在一面上包括多个槽，其中每个槽提供用于向处理器层递送功率的路径或者用于向处理器层递送接地的路径。在该机构中，散热器仅用于向该机构的元件递送功率而不向元件提供数据通信信号，并且信令和I/O层仅专用于向处理器层传输数据通信信号和从处理器层接收数据通信信号而未向处理器层的元件提供功率。

公开(公告)号：CN103180946A

公开(公告)日：2013-06-26

申请号：CN201180051958.8

申请日：2011-10-21

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： H·巴罗斯基 ,  A·胡贝尔 ,  H·哈雷尔 ,  T·尼格迈尔 ,  J·祖佩尔 ,  B·米歇尔 ,  T·布伦斯奇维勒 ,  S·帕雷德斯

IPC: H01L25/18

CPC classification number: H01L25/18 ,  H01L23/3672 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T29/49002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供一种用于经由散热器的集成功率递送和分布的机构。该机构包括：处理器层，经由第一组耦合设备耦合到信令和输入/输出(I/O)层；以及散热器，经由第二组耦合设备耦合到处理器层。在该机构中，散热器在一面上包括多个槽，其中每个槽提供用于向处理器层递送功率的路径或者用于向处理器层递送接地的路径。在该机构中，散热器仅用于向该机构的元件递送功率而不向元件提供数据通信信号，并且信令和I/O层仅专用于向处理器层传输数据通信信号和从处理器层接收数据通信信号而未向处理器层的元件提供功率。

公开(公告)号：CN103283020B

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201180063637.X

申请日：2011-10-21

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： H·巴罗夫斯基 ,  A·胡贝尔 ,  H·哈雷尔 ,  T·尼格迈尔 ,  J·祖佩尔 ,  B·米歇尔 ,  T·不伦瑞勒 ,  S·帕雷德斯

IPC: H01L25/065 ,  H01L25/10 ,  H01L25/11

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L25/16 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2225/1052 ,  H01L2225/1088 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  Y10T29/41 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供一种用于优化三维(3D)超大规模集成(VLSI)器件中的半导体封装的机构。该3D VLSI器件包括经由第一组耦合器件耦合到至少一个信号传输和输入/输出(I/O)层的处理器层。该3D VLSI器件还包括经由第二组耦合器件耦合到处理器层的功率递送层。在该3D VLSI器件中，功率递送层专用于仅向三维VLSI器件的单元递送功率而不提供数据通信信号，并且至少一个信号传输和输入/输出(I/O)层专用于仅向处理器层发送数据通信信号和从处理器层接收数据通信信号而不向处理器层的单元提供功率。

公开(公告)号：CN103283020A

公开(公告)日：2013-09-04

申请号：CN201180063637.X

申请日：2011-10-21

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： H·巴罗夫斯基 ,  A·胡贝尔 ,  H·哈雷尔 ,  T·尼格迈尔 ,  J·祖佩尔 ,  B·米歇尔 ,  T·不伦瑞勒 ,  S·帕雷德斯

IPC: H01L25/065 ,  H01L25/10 ,  H01L25/11

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L25/16 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2225/1052 ,  H01L2225/1088 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  Y10T29/41 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种用于优化三维(3D)超大规模集成(VLSI)器件中的半导体封装的机构。该3D VLSI器件包括经由第一组耦合器件耦合到至少一个信号传输和输入/输出(I/O)层的处理器层。该3D VLSI器件还包括经由第二组耦合器件耦合到处理器层的功率递送层。在该3D VLSI器件中，功率递送层专用于仅向三维VLSI器件的单元递送功率而不提供数据通信信号，并且至少一个信号传输和输入/输出(I/O)层专用于仅向处理器层发送数据通信信号和从处理器层接收数据通信信号而不向处理器层的单元提供功率。