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公开(公告)号：CN117795659A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202280054625.9
申请日：2022-09-27
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/768 , H01L23/528 , H01L29/786
Abstract: 集成芯片和形成集成芯片的方法，包括在衬底之上形成层堆叠，该层堆叠包括在第一牺牲层之上的器件堆叠。用第一蚀刻停止层替换第一牺牲层。移除衬底，暴露层堆叠的衬底侧。蚀刻层堆叠的衬底侧以形成沟槽，沟槽停止在第一蚀刻停止层上。在沟槽中形成导电线。
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