公开(公告)号：CN103247687B

公开(公告)日：2016-12-28

申请号：CN201310049334.3

申请日：2013-02-07

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： C·拉沃耶 ,  U·拉纳 ,  D·K·萨达那 ,  徐崑庭 ,  P·M·索罗门 ,  孙艳宁 ,  章贞

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/20 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/2258 ,  H01L21/28575 ,  H01L29/20 ,  H01L29/41783 ,  H01L29/452 ,  H01L29/66522 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及到III-V材料的自对准接触及其制造方法、FET器件及其制造方法。提供了用于制造III-V FET器件中的自对准接触的技术。在一个方面，用于制造到III-V材料的自对准接触的方法包括以下步骤。将至少一种金属沉积在所述III-V材料的表面上。使所述至少一种金属与所述III-V材料的上部反应，以形成金属–III-V合金层，所述金属–III-V合金层是自对准接触。使用蚀刻来去除所述至少一种金属的任何未反应部分。将至少一种杂质注入到所述金属–III-V合金层中。使被注入到所述金属–III-V合金层中的所述至少一种杂质扩散到所述金属–III-V合金层和其下面的所述III-V材料之间的界面，从而降低所述自对准接触的接触电阻。

公开(公告)号：CN119896063A

公开(公告)日：2025-04-25

申请号：CN202380065365.X

申请日：2023-04-28

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： P·M·索罗门 ,  安藤崇志 ,  J·罗森 ,  E·A·卡蒂埃

IPC: H10B63/00 ,  H10N70/00

Abstract: 为了限制跨电阻随机存取存储器(RRAM)单元的电阻可变性，本公开包括RRAM单元，其中所述RRAM单元内的电阻扩展层在所述RRAM单元的顶部电极与底部电极之间。电阻扩展层与RRAM单元的细丝形成层串联，且与RRAM单元的细丝形成层没有阻抗。电阻扩展层可以位于细丝形成层之下，或者电阻扩展层可以位于细丝形成层之上。电阻扩展层可以进一步与底部电极或顶部电极串联并且不具有阻抗。

公开(公告)号：CN119856585A

公开(公告)日：2025-04-18

申请号：CN202380064469.9

申请日：2023-09-06

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： P·M·索罗门 ,  安藤崇志 ,  E·A·卡蒂埃 ,  J·罗森

IPC: H10B63/00

Abstract: 一种晶界自动对准的电阻存储器结构，其可使多个以氧化物为主的ReRAM元件并联紧密地组合形成，各元件具有其自身的顺从电阻器。该结构能够形成多丝，每个元件一个细丝，目的是降低复合ReRAM单元中的可变性。

公开(公告)号：CN103247687A

公开(公告)日：2013-08-14

申请号：CN201310049334.3

申请日：2013-02-07

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： C·拉沃耶 ,  U·拉纳 ,  D·K·萨达那 ,  徐崑庭 ,  P·M·索罗门 ,  孙艳宁 ,  章贞

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/20 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/2258 ,  H01L21/28575 ,  H01L29/20 ,  H01L29/41783 ,  H01L29/452 ,  H01L29/66522 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及到III-V材料的自对准接触及其制造方法、FET器件及其制造方法。提供了用于制造III-V FET器件中的自对准接触的技术。在一个方面，用于制造到III-V材料的自对准接触的方法包括以下步骤。将至少一种金属沉积在所述III-V材料的表面上。使所述至少一种金属与所述III-V材料的上部反应，以形成金属–III-V合金层，所述金属–III-V合金层是自对准接触。使用蚀刻来去除所述至少一种金属的任何未反应部分。将至少一种杂质注入到所述金属–III-V合金层中。使被注入到所述金属–III-V合金层中的所述至少一种杂质扩散到所述金属–III-V合金层和其下面的所述III-V材料之间的界面，从而降低所述自对准接触的接触电阻。

公开(公告)号：CN102906879B

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201180024970.X

申请日：2011-04-12

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： I·劳尔 ,  P·M·索罗门 ,  S·J·克斯特 ,  A·马宗达

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/165

CPC classification number: H01L29/165 ,  H01L29/7391

Abstract: 示范性实施例包括一种用于制造异质结隧道场效应晶体管（FET）的方法，该方法包括在绝缘体上硅（SOI）衬底的硅层上形成栅极区域，在硅层上邻近栅极区域形成漏极区域并且邻近栅极区域形成垂直异质结源极区域，其中垂直异质结源极区域产生符合与栅极区域相关的栅极场的隧道路径。

公开(公告)号：CN102906879A

公开(公告)日：2013-01-30

申请号：CN201180024970.X

申请日：2011-04-12

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： I·劳尔 ,  P·M·索罗门 ,  S·J·克斯特 ,  A·马宗达

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/165

CPC classification number: H01L29/165 ,  H01L29/7391

Abstract: 示范性实施例包括一种用于制造异质结隧道场效应晶体管（FET）的方法，该方法包括在绝缘体上硅（SOI）衬底的硅层上形成栅极区域，在硅层上邻近栅极区域形成漏极区域并且邻近栅极区域形成垂直异质结源极区域，其中垂直异质结源极区域产生符合与栅极区域相关的栅极场的隧道路径。