公开(公告)号：CN1434983A

公开(公告)日：2003-08-06

申请号：CN01810810.5

申请日：2001-05-23

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： J·卡尔普 ,  J·纳亚克 ,  W·劳施 ,  M·希罗尼 ,  S·沃尔德曼 ,  N·萨姆德默

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/10

CPC classification number: H01L29/4966 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/7835

Abstract: 一种半导体芯片包含具有整流接触扩散和非整流接触扩散的半导体基底。晕圈扩散邻近整流接触扩散，而无晕圈扩散邻近非整流接触扩散。为了提高击穿抵抗力，整流接触扩散可以是FET的源极/漏极扩散。非整流接触扩散可以是FET体接触、横向二极管接触或电阻或电容接触。避免非整流接触的晕圈，降低了串联电阻并且改进了器件特征。在具有邻近扩散的晕圈的器件的芯片上的另一个实施例中，无晕圈扩散邻近横向二极管的整流接触扩散，从而显著改进了二极管的理想度并且提高了击穿电压。

公开(公告)号：CN1234175C

公开(公告)日：2005-12-28

申请号：CN01810810.5

申请日：2001-05-23

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： J·卡尔普 ,  J·纳亚克 ,  W·劳施 ,  M·希罗尼 ,  S·沃尔德曼 ,  N·萨姆德默

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/10

CPC classification number: H01L29/4966 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/7835

Abstract: 一种半导体芯片包含具有整流接触扩散和非整流接触扩散的半导体基底。晕圈扩散邻近整流接触扩散，而无晕圈扩散邻近非整流接触扩散。为了提高击穿抵抗力，整流接触扩散可以是FET的源极/漏极扩散。非整流接触扩散可以是FET体接触、横向二极管接触或电阻或电容接触。避免非整流接触的晕圈，降低了串联电阻并且改进了器件特征。在具有邻近扩散的晕圈的器件的芯片上的另一个实施例中，无晕圈扩散邻近横向二极管的整流接触扩散，从而显著改进了二极管的理想度并且提高了击穿电压。