公开(公告)号：CN102257622B

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：CN200980151846.2

申请日：2009-12-15

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： D·S·柯林斯 ,  R·M·拉塞尔 ,  E·托普松

IPC: H01L29/93

CPC classification number: H01L29/93 ,  H01L27/0805 ,  H01L27/0808 ,  H01L29/66181 ,  H01L29/945

Abstract: 本发明揭示一种与深沟槽电容器结构(20，30B，40B)兼容的深沟槽变容器结构(30A，40A，50)及其制造方法。在第二深沟槽(HB)上形成掩埋板层(20)，而保护第一沟槽(11A)免于形成任何掩埋板层。深沟槽的内部填充导电材料，以形成内部电极(40A，40B)。在外面与第一深沟槽的部分邻接形成至少一个掺杂阱(50)，其构成至少一个外部变容器电极。多个掺杂阱(50，60)可并联，以提供具有复杂的电压依赖性的电容的变容器(30A，40A，50，60)。掩埋板层以及与其相连的另一掺杂阱(52)构成第二深沟槽上所形成的线性电容器的外部电极。

公开(公告)号：CN102257622A

公开(公告)日：2011-11-23

申请号：CN200980151846.2

申请日：2009-12-15

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： D·S·柯林斯 ,  R·M·拉塞尔 ,  E·托普松

IPC: H01L29/93

CPC classification number: H01L29/93 ,  H01L27/0805 ,  H01L27/0808 ,  H01L29/66181 ,  H01L29/945

Abstract: 本发明揭示一种与深沟槽电容器结构(20，30B，40B)兼容的深沟槽变容器结构(30A，40A，50)及其制造方法。在第二深沟槽(HB)上形成掩埋板层(20)，而保护第一沟槽(11A)免于形成任何掩埋板层。深沟槽的内部填充导电材料，以形成内部电极(40A，40B)。在外面与第一深沟槽的部分邻接形成至少一个掺杂阱(50)，其构成至少一个外部变容器电极。多个掺杂阱(50，60)可并联，以提供具有复杂的电压依赖性的电容的变容器(30A，40A，50，60)。掩埋板层以及与其相连的另一掺杂阱(52)构成第二深沟槽上所形成的线性电容器的外部电极。