公开(公告)号：CN115088084A

公开(公告)日：2022-09-20

申请号：CN202180014221.2

申请日：2021-02-17

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 康宗圣 ,  李桃 ,  A·拉曼 ,  P·约瑟夫 ,  I·塞沙德里 ,  E·A·德西尔瓦

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 一种半导体结构(100)包括具有多个垂直纳米线(106)的第一半导体沟道和具有多个垂直纳米线(106)的第二半导体沟道。第一半导体沟道和第二半导体沟道被配置为处于堆叠配置。第一半导体沟道的多个垂直纳米线(106)被配置为相对于第二半导体沟道的多个垂直纳米线(106)处于交替位置。

公开(公告)号：CN101038216B

公开(公告)日：2011-08-31

申请号：CN200710135926.1

申请日：2007-03-13

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： L·A·沃尔斯 ,  A·拉曼

IPC: G01K7/18 ,  G01R31/28

CPC classification number: G01K7/16 ,  G01K1/14

Abstract: 提供一种用于集成电路(IC)的紧凑型电阻式热传感器，其中不同的传感器组件被放置在该IC的不同层上。在有利的实施方式中，将多个第一线性导电构件以相互间平行间隔开的关系定位于第一IC层中。类似地，将多个第二线性导电构件以相互间平行间隔开的关系，并以与第一线性构件正交的关系或与第二IC层中现存布线通道平行的关系定位于第二IC层上。导电元件分别将第一线性构件连接成第一导电路径，以及将第二线性构件连接成第二导电路径。在第一和第二层之间延伸的第三导电元件将第一和第二导电路径连接成单个连续导电路径，其中该路径具有随温度变化的电阻。响应于通过该连续路径传送的电流的装置从该路径电阻确定路径的温度。

公开(公告)号：CN118891714A

公开(公告)日：2024-11-01

申请号：CN202380028456.6

申请日：2023-03-20

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 周慧梅 ,  C·拉登斯 ,  王苗苗 ,  A·拉曼

IPC: H01L21/822 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/06 ,  H01L27/092 ,  H01L29/06 ,  H01L29/66 ,  H01L29/775 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明的实施例提供了一种静态随机存取存储器(SRAM)器件。该SRAM器件包括：用在n型晶体管中的第一组纳米片；以及第二组纳米片，其中第二组纳米片的一个或多个纳米片用在p型晶体管中，其中第二组纳米片的宽度比第一组纳米片的宽度更宽。在一个实施例中，p型晶体管用作上拉晶体管，n型晶体管用作下拉晶体管或传输门晶体管。还提供了一种制造SRAM器件的方法。

公开(公告)号：CN101038216A

公开(公告)日：2007-09-19

申请号：CN200710135926.1

申请日：2007-03-13

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： L·A·沃尔斯 ,  A·拉曼

IPC: G01K7/18 ,  G01R31/28

CPC classification number: G01K7/16 ,  G01K1/14

Abstract: 提供一种用于集成电路(IC)的紧凑型电阻式热传感器，其中不同的传感器组件被放置在该IC的不同层上。在有利的实施方式中，将多个第一线性导电构件以相互间平行间隔开的关系定位于第一IC层中。类似地，将多个第二线性导电构件以相互间平行间隔开的关系，并以与第一线性构件正交的关系或与第二IC层中现存布线通道平行的关系定位于第二IC层上。导电元件分别将第一线性构件连接成第一导电路径，以及将第二线性构件连接成第二导电路径。在第一和第二层之间延伸的第三导电元件将第一和第二导电路径连接成单个连续导电路径，其中该路径具有随温度变化的电阻。响应于通过该连续路径传送的电流的装置从该路径电阻确定路径的温度。