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公开(公告)号：CN115088084A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202180014221.2
申请日：2021-02-17
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L29/786 , H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 一种半导体结构(100)包括具有多个垂直纳米线(106)的第一半导体沟道和具有多个垂直纳米线(106)的第二半导体沟道。第一半导体沟道和第二半导体沟道被配置为处于堆叠配置。第一半导体沟道的多个垂直纳米线(106)被配置为相对于第二半导体沟道的多个垂直纳米线(106)处于交替位置。
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