静态随机存取存储器单元的存储单元布置及相关设计结构

    公开(公告)号:CN107924694B

    公开(公告)日:2021-07-09

    申请号:CN201680045489.1

    申请日:2016-07-29

    Abstract: 可以提供SRAM单元组的存储单元布置,其中在每个组中,多个SRAM单元通过至少一个公共局部位线连接到局部读放大器的输入。所述放大器的输出连接到共享全局位线。全局位线连接到预充电电路,并且所述预充电电路适于在读取数据之前用可编程预充电电压对所述全局位线预充电。所述预充电电路包括:限幅电路,所述限幅电路包括连接到全局位线的预充电调节器电路以用可编程预充电电压对所述全局位线进行预充电,以及评估和转换电路,其连接到所述预充电调节器电路和所述全局位线来补偿全局位线的漏电流而不改变其电压电平。

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