一种梯形组合式跨越架
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119401281A

    公开(公告)日:2025-02-07

    申请号:CN202411515553.0

    申请日:2024-10-29

    Abstract: 本发明公开了一种梯形组合式跨越架,包括若干梯形跨越架单元,梯形跨越架单元底部通过90°旋转铰链安装在支撑底座上,支撑底座通过膨胀地锚扎入地下固定;相邻梯形跨越架单元之间通过横梁模块连接;其中一侧外端的梯形跨越架单元与将跨越架由折叠状态下转换为竖直状态的牵引模块连接;本发明通过设置牵引模块配合铰接在支撑底座上的梯形跨越单元减少了高空作业量,能够在地面将跨越架预先组装好,提高了组装效率,有效缩短了施工工期,并且各梯形跨越架单元之间呈折叠状态,通过牵引模块中的钢丝绳将折叠状态的跨越架牵引至竖直状态,能够对导线进行有效防护。

    一种IGBT、IGBT背面的制作方法和装置

    公开(公告)号:CN109860283B

    公开(公告)日:2024-09-20

    申请号:CN201910040864.9

    申请日:2019-01-16

    Abstract: 本发明提供了一种IGBT、IGBT背面的制作方法和装置,在N型硅片的背面采用离子注入方式形成场终止层,并对所述场终止层进行激光退火处理;在所述场终止层的底部形成P+集电极层,并依次对有源区的P+集电极层和整个背面的P+集电极层进行激光退火处理;在所述有源区的P+集电极层和整个背面的P+集电极层的底部分别形成背面金属层,不需要光刻程序,仅需要一次注入即可形成,简化了制作过程,大大提高了制作效率,降低了制作成本。且本发明通过不同激光退火条件实现有源区的P+集电极层和整个背面的P+集电极层激光退火,能够降低终端区P+注入效率,减小过渡区电场积累,提高IGBT可靠性。

    一种MOSFET器件的制备方法
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115706005A

    公开(公告)日:2023-02-17

    申请号:CN202110925271.8

    申请日:2021-08-12

    Inventor: 刘瑞 吴军民 杨霏

    Abstract: 本发明提供一种MOSFET器件的制备方法,包括:提供半导体基底;在半导体基底上形成掺杂导电离子的栅极材料层;对栅极材料层进行退火处理,退火处理使栅极材料层背离半导体基底的至少部分表面形成氧化层;进行退火处理之后,对栅极材料层进行腐蚀清洗处理以去除氧化层;去除氧化层之后,对栅极材料层进行刻蚀以形成栅电极层。MOSFET器件的制备方法有效降低了MOSFET器件失效的风险。

    TSN时钟同步系统和方法、计算机存储介质及芯片

    公开(公告)号:CN115426068A

    公开(公告)日:2022-12-02

    申请号:CN202211143558.6

    申请日:2022-09-20

    Abstract: 本发明公开了一种TSN时钟同步系统和方法、计算机存储介质及芯片,其中,所述系统包括:接收时戳模块,用于通过交换机接收目标以太网模块发送的同步报文;报文处理模块,用于对同步报文进行处理,以确定时钟偏差;时间校准模块,用于根据时钟偏差获取主时钟的时钟信号和交换机的时钟同步数据;锁相环模块,用于对主时钟的时钟信号进行锁定;频率锁定检测模块,用于确定时钟信号是否处于锁定状态;同步模块,用于将同步数据发送至交换机,以使目标以太网模块与交换机时钟同步。该系统基于目标以太网模块发送的同步报文确定时钟同步数据,实现目标以太网模块与交换机时钟同步,系统设计简单,便于纯硬件实现,具有较高的稳定性、实时性和精确度。

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