公开(公告)号：CN106298897A

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201510249973.3

申请日：2015-05-15

Applicant: 国网智能电网研究院 ,  国网浙江省电力公司国家电网公司

Inventor： 李晓平 ,  刘江 ,  赵哿 ,  高明超 ,  王耀华 ,  刘钺杨 ,  吴迪 ,  何延强 ,  李立 ,  乔庆楠 ,  曹功勋 ,  董少华 ,  金锐 ,  温家良

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/417 ,  H01L21/28 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明涉及一种具有分离式集电极的平面栅IGBT，包括衬底、依次设置在衬底上的正面金属电极、隔离氧化膜和平面栅极，平面栅极与衬底之间的P阱区，依次设置于P阱区内N+型掺杂区和P+型掺杂区，依次设置于衬底背面的背面N型低掺杂缓冲区和背面P+集电区，在背面P+集电区上设有采用绝缘介质填充的背面凹槽，背面凹槽深度大于、等于或小于背面P+集电区的厚度，绝缘介质完全或部分填充凹槽，绝缘介质与P+集电区有交叠，本发明在传统的平面栅型IGBT基础上，通过增加浅凹槽或氧化层隔离结构形成分离式集电极，此结构有效抑制IGBT器件的空穴注入效率，避免过大的反向恢复电荷；有效抑制IGBT器件关断过程中的拖尾电流，降低关断损耗，使得开关速度更快。

公开(公告)号：CN106033772A

公开(公告)日：2016-10-19

申请号：CN201510122358.6

申请日：2015-03-19

Applicant: 国家电网公司 ,  国网智能电网研究院 ,  国网浙江省电力公司

Inventor： 刘江 ,  赵哿 ,  高明超 ,  王耀华 ,  何延强 ,  吴迪 ,  刘钺杨 ,  乔庆楠 ,  李晓平 ,  董少华 ,  李立 ,  金锐

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L21/28 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L29/7395 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/42312 ,  H01L29/66333

Abstract: 本发明涉及一种具有改善安全工作区的IGBT器件及其制造方法，在所述IGBT器件有源区设有多晶侧壁保护结构和浅P+结构；所述多晶侧壁保护结构位于多晶硅栅极两侧；所述浅P+结构位于N+区和P-基区之间；在N+区预留空穴通路，形成空穴旁路结构。本发明引入spacer工艺，引入浅P+掺杂工艺；该发明无需增加光刻，可改善N+区下方掺杂分布，改善了空穴流分布，改善了电场分布，减少了寄生晶闸管栓锁。

公开(公告)号：CN105720107B

公开(公告)日：2018-12-18

申请号：CN201410742344.X

申请日：2014-12-05

Applicant: 国家电网公司 ,  国网智能电网研究院 ,  国网浙江省电力公司

Inventor： 刘钺杨 ,  吴迪 ,  何延强 ,  金锐 ,  温家良

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/06 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明涉及一种快恢复二极管及其制造方法，该快恢复二极管结构包括N型本征区，缓变可控缓冲区，P型发射区，阳极P+区，阴阳极金属，氧化层；以及局域寿命控制区、全局寿命控制区，本发明采用“波浪型”有源区结构、缓变缓冲层结构和局域寿命控制方式提高FRD的性能，“波浪型”有源区结构可有效调节阳极注入效率，缓变缓冲层结构采用多次外延方式形成，工艺易控、一致性好，三者结合利于FRD性能的折中优化。

公开(公告)号：CN106298693A

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201510240562.8

申请日：2015-05-13

Applicant: 国网智能电网研究院 ,  国网浙江省电力公司国家电网公司

Inventor： 刘江 ,  赵哿 ,  高明超 ,  王耀华 ,  乔庆楠 ,  吴迪 ,  何延强 ,  刘钺杨 ,  曹功勋 ,  李晓平 ,  董少华 ,  李立 ,  金锐 ,  温家良

IPC: H01L23/31 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L23/3171 ,  H01L21/56

Abstract: 本发明涉及一种高压芯片钝化层的制造方法，包括：制造高压芯片正面；背面减薄加工；制造高压芯片钝化层；制造除背面减薄工艺的高压芯片背面。本发明提供的技术方案在高压芯片制造过程中，将钝化层工艺进行优化，减少芯片的应力，增强钝化层与芯片的粘合，提高钝化层在后续工艺及应用中的可靠性，提高高压芯片的可靠性。

公开(公告)号：CN106033773A

公开(公告)日：2016-10-19

申请号：CN201510123044.8

申请日：2015-03-19

Applicant: 国家电网公司 ,  国网智能电网研究院 ,  国网浙江省电力公司

Inventor： 刘江 ,  赵哿 ,  高明超 ,  王耀华 ,  何延强 ,  吴迪 ,  曹功勋 ,  乔庆楠 ,  刘钺杨 ,  李晓平 ,  董少华 ,  李立 ,  金锐

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明涉及一种具有空穴旁路结构的IGBT器件及其制造方法，在IGBT器件有源区设有多晶侧壁保护结构、浅P+结构和P+深基区；所述多晶侧壁保护结构位于多晶硅栅极两侧；所述浅P+结构位于N+区和P-基区之间；所述P+深基区设置于P-基区的外侧且包围P-基区，形成空穴旁路结构。本发明引入高掺杂P+深基区，改善了空穴流分布，改善了电场分布，减少了寄生晶闸管栓锁，提高了IGBT可靠性。

公开(公告)号：CN105720107A

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201410742344.X

申请日：2014-12-05

Applicant: 国家电网公司 ,  国网智能电网研究院 ,  国网浙江省电力公司

Inventor： 刘钺杨 ,  吴迪 ,  何延强 ,  金锐 ,  温家良

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/06 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明涉及一种快恢复二极管及其制造方法，该快恢复二极管结构包括N型本征区，缓变可控缓冲区，P型发射区，阳极P+区，阴阳极金属，氧化层；以及局域寿命控制区、全局寿命控制区，本发明采用“波浪型”有源区结构、缓变缓冲层结构和局域寿命控制方式提高FRD的性能，“波浪型”有源区结构可有效调节阳极注入效率，缓变缓冲层结构采用多次外延方式形成，工艺易控、一致性好，三者结合利于FRD性能的折中优化。

公开(公告)号：CN204243050U

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：CN201420765448.8

申请日：2014-12-05

Applicant: 国家电网公司 ,  国网智能电网研究院 ,  国网浙江省电力公司

Inventor： 刘钺杨 ,  吴迪 ,  何延强 ,  金锐 ,  温家良

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/06 ,  H01L21/329

Abstract: 本实用新型涉及一种快恢复二极管，该快恢复二极管结构包括N型本征区，缓变可控缓冲区，P型发射区，阳极P+区，阴阳极金属，氧化层；以及局域寿命控制区、全局寿命控制区，本实用新型采用“波浪型”有源区结构、缓变缓冲层结构和局域寿命控制方式提高FRD的性能，“波浪型”有源区结构可有效调节阳极注入效率，缓变缓冲层结构采用多次外延方式形成，工艺易控、一致性好，三者结合利于FRD性能的折中优化。

公开(公告)号：CN204577432U

公开(公告)日：2015-08-19

申请号：CN201520316286.4

申请日：2015-05-15

Applicant: 国网智能电网研究院 ,  国网浙江省电力公司 ,  国家电网公司

Inventor： 李晓平 ,  刘江 ,  赵哿 ,  高明超 ,  王耀华 ,  刘钺杨 ,  吴迪 ,  何延强 ,  李立 ,  乔庆楠 ,  曹功勋 ,  董少华 ,  金锐 ,  温家良

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/417 ,  H01L21/28 ,  H01L21/331

Abstract: 本实用新型涉及一种具有分离式集电极的平面栅IGBT，包括衬底、依次设置在衬底上的正面金属电极、隔离氧化膜和平面栅极，平面栅极与衬底之间的P阱区，依次设置于P阱区内N+型掺杂区和P+型掺杂区，依次设置于衬底背面的背面N型低掺杂缓冲区和背面P+集电区，在背面P+集电区上设有采用绝缘介质填充的背面凹槽，背面凹槽深度大于、等于或小于背面P+集电区的厚度，绝缘介质完全或部分填充凹槽，绝缘介质与P+集电区有交叠，本实用新型在传统的平面栅型IGBT基础上，通过增加浅凹槽或氧化层隔离结构形成分离式集电极，此结构有效抑制IGBT器件的空穴注入效率，避免过大的反向恢复电荷；有效抑制IGBT器件关断过程中的拖尾电流，降低关断损耗，使得开关速度更快。

公开(公告)号：CN106558624B

公开(公告)日：2024-03-19

申请号：CN201510638966.2

申请日：2015-09-30

Applicant: 国网智能电网研究院 ,  国网上海市电力公司 ,  国家电网公司

Inventor： 吴迪 ,  刘钺杨 ,  何延强 ,  董少华 ,  曹功勋 ,  刘江 ,  金锐 ,  温家良

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/06 ,  H01L29/40 ,  H01L29/66 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明提供一种快速恢复二极管及其制造方法，所述二极管包括：具有三个具有间隔的P型硅区(3)的且表面有氧化层(2)的N型硅衬底(1)，所述氧化层(2)上的多晶层(5)，所述多晶层(5)上的阳极金属层和所述N型硅衬底(1)上与其相对的阴极金属层，所述P型硅区(3)具有深能级掺杂区(4)；所述制造方法包括：1)初始氧化；2)形成有源区和分压环；3)形成PN结；4)多晶生长：5)寿命控制；6)多晶场板；7)形成阳极金属电极并表面钝化；8)形成Al/Ti/Ni/Ag或Ti/Ni/Ag阴极金属电极。本发明制造方法利用多晶实现激光退火终端保护，避免激光退火导致终端受损以致耐压失效。

公开(公告)号：CN106601826A

公开(公告)日：2017-04-26

申请号：CN201510674227.9

申请日：2015-10-16

Applicant: 国网智能电网研究院 ,  国家电网公司

Inventor： 曹功勋 ,  刘钺杨 ,  吴迪 ,  何延强 ,  董少华 ,  金锐

IPC: H01L29/868 ,  H01L29/06 ,  H01L21/329 ,  H01L21/266

CPC classification number: H01L29/868 ,  H01L21/266 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/6609

Abstract: 本发明提供一种快恢复二极管及其制作方法，所述二极管包括含有有源区(5)和具有间隔的终端保护环(7)的衬底N-层(2)，所述衬底N-层(2)的正面和背面分别有氧化层(3)和缓冲层(4)，再于所述氧化层(3)敷设有BPSG层(8)，所述有源区(5)设有金属电极(9)，所述有源区(5)周边设有电阻区(6)；所述制作方法包括：1)初始氧化；2)形成背面缓冲层；3)形成离子注入窗口；4)PN结形成；5)BPSG淀积；6)引线孔形成；7)金属电极淀积；8)形成表面钝化层；本发明方法制备的快恢复二极管，改善了反向恢复过程中电流的不均匀性，避免电流集边现象，缓解局部动态雪崩增强，提高了其抗动态雪崩能力。