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公开(公告)号：CN115053293A
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202180012857.3
申请日：2021-01-29
申请人： 国立研究开发法人科学技术振兴机构
IPC分类号： G11C11/412 , G06F12/00 , G06N3/063 , G11C5/14 , G11C7/10 , G11C7/18 , G11C14/00 , H03K3/356 , H03K3/3565
摘要： 双稳态电路包括：第一反相器电路和第二反相器电路，各自包括：第一导电类型的沟道的第一FET，第一FET的源极连接到电源线，漏极连接到中间节点，栅极连接到输入节点；第一导电类型的沟道的第二FET，第二FET的源极联接到中间节点，漏极联接到输出节点；第三FET，其源极和漏极中的一个连接到中间节点，另一个连接到偏压节点；以及与所述第一导电类型相反的第二导电类型的沟道的第四FET，其源极和漏极中的一个连接到输出节点，另一个连接到控制线；第一存储节点，第一反相器电路的输入节点和第二反相器电路的输出节点连接到第一存储节点；以及第二存储节点，第一反相器电路的输出节点和第二反相器电路的输入节点连接到第二存储节点。第一反相器电路和第二反相器电路的第四FET的栅极连接到字线。第一反相器电路的第三FET的栅极连接到以下任一节点：第一反相器电路的输入节点和输出节点以及第二反相器电路的输入节点和输出节点。第二反相器电路的第三FET的栅极连接到以下任一节点：第二反相器电路的输入节点和输出节点以及第一反相器电路的输入节点和输出节点。
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公开(公告)号：CN107408939B
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN201680019015.X
申请日：2016-03-24
申请人： 国立研究开发法人科学技术振兴机构
IPC分类号： H03K3/353 , G11C11/412 , G11C11/413 , H03K3/356 , H03K5/08
摘要： 该电子电路设置有：双稳态电路，其连接在被供应电源电压的正电源和负电源之间，并且其中，包括在第一模式和第二模式之间切换的反相器电路的第一反相器和第二反相器连接成环状；控制电路20，其向反相器电路输出将反相器电路设定为第一模式的第一信号以及将反相器电路设定为第二模式的第二信号；以及电源供给电路30，其在反相器电路处于第一模式时供应第一电压作为电源电压，在反相器电路处于第二模式时供应高于第一电压的第二电压作为电源电压；其中，所述第一模式是作为传递特性具有滞后的模式并且所述第二模式是作为传递特性没有滞后的模式，或者所述第一模式是传递特性比第二模式陡的模式。
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公开(公告)号：CN116848965A
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202280014493.7
申请日：2022-02-15
申请人： 国立研究开发法人科学技术振兴机构
IPC分类号： H10N10/17
摘要： 该热电转换装置包括：第一热电层(12a)和第二热电层(12b)，其具有彼此相反的导电类型并且在与第一热电层和第二热电层的表面平行的第一方向上交替地设置；第一连接层(14a)和第二连接层(14b)，其在第一方向上交替设置并且在第一热电层和第二热电层之间，以电连接并且热连接到第一热电层和第二热电层；第一导热层(16a)，其热连接到第一连接层，并在与其表面相交的第二方向上延伸；第一隔绝层(17a)，第一导热层穿透第一隔绝层，并且第一隔绝层的热导率小于第一导热层的热导率；以及第二隔绝层(17b)，第一导热层穿透第二隔绝层，第二隔绝层的热导率小于第一隔绝层的热导率，并且第二隔绝层设置在第一隔绝层与第一热电层及第二热电层之间。第二隔绝层(17b)的厚度大于或等于以下距离中较大者的1/4：第一导热层的位于第一热电层侧的边缘与第二连接层的在第一方向上的中心之间的距离；以及第一导热层的位于第二热电层侧的边缘与第二连接层的在第一方向上的中心之间的距离。
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公开(公告)号：CN106796814B
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201580043335.4
申请日：2015-08-06
申请人： 国立研究开发法人科学技术振兴机构
IPC分类号： G11C11/15 , G11C11/412
摘要： 一种存储电路，其特征在于，该存储电路包括如下所述的多个单元和控制单元。所述多个单元被放置在多个行和多个列中，使得形成通过划分所述多个行而形成的多个存储体。各存储体包括一个或更多个行。每个单元包括如下元件：双稳态电路，该双稳态电路存储数据；和非易失性元件，该非易失性元件以非易失性方式保持在双稳态电路中所存储的数据，并且把所述数据恢复到双稳态电路。控制单元执行如下操作：依次在每个行执行存储操作；把向作为前述存储体中的一个并包括执行前述存储操作的行的、第一存储体中的单元的电源提供的电压设置为第一电压，第一存储体包括其上执行存储操作的行；并且把作为不在前述第一存储体中的单元的电源提供的电压设置为第二电压，该第二电压小于前述第一电压，但在该第二电压下，双稳态电路中的数据被保持。
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公开(公告)号：CN106104831B
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201580014108.9
申请日：2015-03-06
申请人： 国立研究开发法人科学技术振兴机构
摘要： 一种晶体管，具备：压电电阻体(10)，其传导载流子；源极(14)，其将所述载流子注入所述压电电阻体；漏极(16)，其从所述压电电阻体接受所述载流子；压电体(12)，其以包围所述压电电阻体的方式进行设置，对所述压电电阻体施加压力；以及栅极(18)，其对所述压电体施加电压，以使所述压电体对所述压电电阻体施加压力。
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公开(公告)号：CN104303234B
公开(公告)日：2017-12-12
申请号：CN201380025692.9
申请日：2013-02-19
申请人： 国立研究开发法人科学技术振兴机构
IPC分类号： G11C11/15 , G11C11/413
CPC分类号： G11C14/0081 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C11/1677 , G11C13/0069 , G11C14/0054 , G11C2013/0076 , G11C2207/2263
摘要： 一种存储电路，具备：双稳态电路(30)，存储数据；非易失性元件(MTJ1、MTJ2)，将存储在上述双稳态电路中的数据非易失性地进行保存，并将非易失性地保存的数据恢复到上述双稳态电路中；和判定部(50)，在上述双稳态电路与上述非易失性元件的数据一致的情况下，不将上述双稳态电路的数据保存于上述非易失性元件中，在上述双稳态电路与上述非易失性元件的数据不一致的情况下，将上述双稳态电路的数据保存于上述非易失性元件中。
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公开(公告)号：CN106796814A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201580043335.4
申请日：2015-08-06
申请人： 国立研究开发法人科学技术振兴机构
IPC分类号： G11C11/15 , G11C11/412
CPC分类号： G11C14/0081 , G11C11/1675 , G11C11/1697 , G11C11/412 , G11C11/419
摘要： 一种存储电路，其特征在于，该存储电路包括如下所述的多个单元和控制单元。所述多个单元被放置在多个行和多个列中，使得形成通过划分所述多个行而形成的多个存储体。各存储体包括一个或更多个行。每个单元包括如下元件：双稳态电路，该双稳态电路存储数据；和非易失性元件，该非易失性元件以非易失性方式保持在双稳态电路中所存储的数据，并且把所述数据恢复到双稳态电路。控制单元执行如下操作：依次在每个行执行存储操作；把向作为前述存储体中的一个并包括执行前述存储操作的行的、第一存储体中的单元的电源提供的电压设置为第一电压，第一存储体包括其上执行存储操作的行；并且把作为不在前述第一存储体中的单元的电源提供的电压设置为第二电压，该第二电压小于前述第一电压，但在该第二电压下，双稳态电路中的数据被保持。
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公开(公告)号：CN106104831A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201580014108.9
申请日：2015-03-06
申请人： 国立研究开发法人科学技术振兴机构
CPC分类号： H01L49/00 , G11C11/16 , G11C14/0081 , G11C14/009 , H01L27/226 , H01L27/2436 , H03K3/356
摘要： 一种晶体管，具备：压电电阻体(10)，其传导载流子；源极(14)，其将所述载流子注入所述压电电阻体；漏极(16)，其从所述压电电阻体接受所述载流子；压电体(12)，其以包围所述压电电阻体的方式进行设置，对所述压电电阻体施加压力；以及栅极(18)，其对所述压电体施加电压，以使所述压电体对所述压电电阻体施加压力。
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公开(公告)号：CN113892232A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202080040101.5
申请日：2020-03-18
申请人： 国立研究开发法人科学技术振兴机构
IPC分类号： H03K3/356 , G11C11/412 , G11C11/417 , G11C14/00
摘要： 一种电子电路，其具有：单元阵列，其具有多个存储器单元，各个存储器单元分别具有双稳态电路，该双稳态电路具有第一逆变器电路和第二逆变器电路，该第一逆变器电路和该第二逆变器电路能够切换传递特性实质上不具有滞后的第一模式和传递特性具有滞后的第二模式，第一逆变器电路的输出节点和输入节点分别与第二逆变器电路的输入节点和输出节点连接；以及控制电路，其在将多个存储器单元中的可以不保持数据的一个或多个第一存储器单元断电之后，将多个存储器单元中的剩余的一个或多个第二存储器单元内的双稳态电路设为所述第二模式，在维持第二模式的状态下向一个或多个第二存储器单元内的双稳态电路提供第二电源电压，该第二电源电压比在读出和/或写入数据时提供给双稳态电路的第一电源电压低，在第二电源电压下，第二模式的双稳态电路能够保持数据。
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公开(公告)号：CN107408939A
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201680019015.X
申请日：2016-03-24
申请人： 国立研究开发法人科学技术振兴机构
IPC分类号： H03K3/353 , G11C11/412 , G11C11/413 , H03K3/356 , H03K5/08
摘要： 该电子电路设置有：双稳态电路，其连接在被供应电源电压的正电源和负电源之间，并且其中，包括在第一模式和第二模式之间切换的反相器电路的第一反相器和第二反相器连接成环状；控制电路20，其向反相器电路输出将反相器电路设定为第一模式的第一信号以及将反相器电路设定为第二模式的第二信号；以及电源供给电路30，其在反相器电路处于第一模式时供应第一电压作为电源电压，在反相器电路处于第二模式时供应高于第一电压的第二电压作为电源电压；其中，所述第一模式是作为传递特性具有滞后的模式并且所述第二模式是作为传递特性没有滞后的模式，或者所述第一模式是传递特性比第二模式陡的模式。
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