公开(公告)号：CN107851611B

公开(公告)日：2022-03-18

申请号：CN201680045338.6

申请日：2016-08-03

Applicant: 国立研究开发法人产业技术综合研究所

Inventor： 堀洋平 ,  柳永勋 ,  大内真一 ,  安田哲二 ,  昌原明植 ,  入沢寿史 ,  远藤和彦 ,  太田裕之 ,  前田辰郎 ,  小池帆平 ,  小笠原泰弘 ,  片下敏宏 ,  福田浩一

IPC: H01L21/822 ,  H01L21/82 ,  H01L27/04

Abstract: 一种半导体器件(100)，其特征在于，具备前道以及包括多个层的后道A、后道B，在后道B的多个层中的(i)布线间距为100nm以上的至少一层中设置具有安全功能的电路(22、23、24)；(ii)在M5以上(M5、M6、M7、…)的布线层中的至少一层中设置具有安全功能的电路；(iii)在无需使用液浸ArF曝光的至少一层中设置具有安全功能的电路；或者(iv)在使用200nm以上的曝光波长进行曝光的至少一层中设置具有安全功能的电路。

公开(公告)号：CN107851611A

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201680045338.6

申请日：2016-08-03

Applicant: 国立研究开发法人产业技术综合研究所

Inventor： 堀洋平 ,  柳永勋 ,  大内真一 ,  安田哲二 ,  昌原明植 ,  入沢寿史 ,  远藤和彦 ,  太田裕之 ,  前田辰郎 ,  小池帆平 ,  小笠原泰弘 ,  片下敏宏 ,  福田浩一

IPC: H01L21/822 ,  H01L21/82 ,  H01L27/04

CPC classification number: H01L21/82 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04

Abstract: 一种半导体器件(100)，其特征在于，具备前道以及包括多个层的后道A、后道B，在后道B的多个层中的(i)布线间距为100nm以上的至少一层中设置具有安全功能的电路(22、23、24)；(ii)在M5以上(M5、M6、M7、…)的布线层中的至少一层中设置具有安全功能的电路；(iii)在无需使用液浸ArF曝光的至少一层中设置具有安全功能的电路；或者(iv)在使用200nm以上的曝光波长进行曝光的至少一层中设置具有安全功能的电路。