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公开(公告)号：CN112444435A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN202011314203.X
申请日：2020-11-20
Applicant: 国标(北京)检验认证有限公司 , 国合通用测试评价认证股份公司
IPC: G01N1/28 , G01N23/04 , G01N23/20008
Abstract: 本发明公开了属于透射电镜制样与分析技术领域的一种块体材料平面透射电镜样品的制备方法。具体步骤为1)将块体材料加工成薄片，固定于减薄用的环体表面；2)将薄片减薄至中心出现孔洞；3)在孔洞边缘观察粗定位，确定待分析制样的矩形选区；4)在分析制样的矩形选区表面沉积保护层；5)将镀过保护层的矩形选区三边切空，将截面修理平整；6)将纳米机械手与第四边的对边截面焊接后将第四边切空，矩形选区与薄片脱离；7)提取矩形选区焊接至FIB载网的柱体上；8)调整样品台使离子束垂直于矩形选区的截面入射，截面镀保护层，然后最终减薄，得到平面透射电镜样品。本发明是一种简单易行的定点制备块体材料平面透射电镜样品的方法。
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公开(公告)号：CN113514485A
公开(公告)日：2021-10-19
申请号：CN202110704200.5
申请日：2021-06-24
Applicant: 国合通用测试评价认证股份公司 , 国标(北京)检验认证有限公司
IPC: G01N23/20008 , G01N1/28 , G01N1/32 , G01N1/34 , G01N1/36
Abstract: 本发明涉及一种钕铁硼电子背散射衍射分析样品的制备方法，属于扫描电镜样品制备技术领域。本发明通过金相镶样、机械研磨、机械抛光、振动抛光和样品清洗等步骤，制备出大区域高质量的样品。采用本方法制备的钕铁硼EBSD的样品，避免了样品在制样过程中被不均匀腐蚀或产生表面离子损伤，EBSD采集装置可以采集到高质量的菊池花样，从而获得样品准确的结构和取向信息；由于采用了镶样的方法制样，本方法对于样品的适用性较好，适用于从微米级粉体到厘米级块体的各种形态的NdFeB样品。本方法制样操作简单，可实施性强，成本低廉。
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公开(公告)号：CN113514485B
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202110704200.5
申请日：2021-06-24
Applicant: 国合通用测试评价认证股份公司 , 国标(北京)检验认证有限公司
IPC: G01N23/20008 , G01N1/28 , G01N1/32 , G01N1/34 , G01N1/36
Abstract: 本发明涉及一种钕铁硼电子背散射衍射分析样品的制备方法，属于扫描电镜样品制备技术领域。本发明通过金相镶样、机械研磨、机械抛光、振动抛光和样品清洗等步骤，制备出大区域高质量的样品。采用本方法制备的钕铁硼EBSD的样品，避免了样品在制样过程中被不均匀腐蚀或产生表面离子损伤，EBSD采集装置可以采集到高质量的菊池花样，从而获得样品准确的结构和取向信息；由于采用了镶样的方法制样，本方法对于样品的适用性较好，适用于从微米级粉体到厘米级块体的各种形态的NdFeB样品。本方法制样操作简单，可实施性强，成本低廉。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109682848A
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201811635287.X
申请日：2018-12-29
Applicant: 国合通用测试评价认证股份公司 , 国标(北京)检验认证有限公司
IPC: G01N23/2005 , G01N23/20058
CPC classification number: G01N23/2005 , G01N23/20058 , G01N2001/2866 , G01N2001/2873
Abstract: 本发明公开了一种Mg-RE-Zn系镁合金的透射薄膜试样的制备方法，该方法包括以下步骤：(1)将Mg-RE-Zn系镁合金块状试样切割成厚度为1mm左右的薄片；(2)将步骤(1)所得薄片用金刚砂纸研磨至0.1mm厚；而且薄片一侧研磨至表面光滑；(3)采用金刚砂纸分别研磨步骤(2)所得薄片两侧，直至薄片厚度约为0.06mm；(4)在铳样机上将步骤(3)所得薄片铳成圆片；(5)将步骤(4)所得圆片置于电解双喷减薄仪中进行双喷减薄；直至圆片中心出现小孔为止；(6)将步骤(5)所得圆片置于离子减薄仪，进气口氩气压力约为0.18Mpa，所得物即为Mg-RE-Zn系镁合金的透射薄膜试样。本方法制备的Mg-RE-Zn系镁合金薄膜样品，可用于透射电镜观察的薄区较大，样品表面干净无污染层，成本低廉。
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公开(公告)号：CN106841257B
公开(公告)日：2019-04-19
申请号：CN201710110346.0
申请日：2017-02-27
Applicant: 国标(北京)检验认证有限公司 , 北京有色金属研究总院
IPC: G01N23/207
Abstract: 本发明涉及电镜分析技术领域，涉及一种单根一维纳米材料截面应力的分析方法。该方法包括：(1)确定待分析的单根一维纳米材料并使其长轴方向与样品杆倾转轴线方向垂直；(2)确定衍射点，得到系列倾转电子衍射谱；(3)按照倾转角度顺序排列，形成原始倒空间三维强度矩阵；进一步处理得到真实的倒空间三维衍射强度分布矩阵；(4)从所述倒空间三维衍射强度分布矩阵中提取二维强度分布信息；(5)将二维强度分布信息与理论电子衍射模拟结果结合，确定待分析的一维纳米材料截面应力分布状态。本发明能够对单个一维纳米材料的截面应力状态进行分析，弥补了X射线衍射方法对大量一维纳米材料进行统计平均分析的不足。
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公开(公告)号：CN115265444B
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202210724617.2
申请日：2022-09-26
Applicant: 国标(北京)检验认证有限公司
IPC: G01B21/08
Abstract: 本发明公开了属于材料的检测分析技术领域的一种透射电镜测量薄膜样品厚度的方法。利用会聚电子束在样品表面作用产生碳污染斑，将试样倾转一定的角度γ后，碳污染斑在明场像的形状尺寸发生变化，相互分离为具有一定距离的两个斑，通过测量上下表面碳污染斑之间的分离距离r，以及试样倾转角度γ，并利用几何关系t＝r/sinγ获得目标区域的样品厚度。本发明对样品本身的晶体结构没有限制，适用于非晶和晶态的样品，对于样品的厚度没有限制，能在透射电镜下进行观察的样品，电子束可以穿透样品可以成明场像，因此其样品厚度均可测量；可实现对样品快速、简单方便的测量、成本低，适用范围广，可实施性强。
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公开(公告)号：CN115265444A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210724617.2
申请日：2022-09-26
Applicant: 国标(北京)检验认证有限公司
IPC: G01B21/08
Abstract: 本发明公开了属于材料的检测分析技术领域的一种透射电镜测量薄膜样品厚度的方法。利用会聚电子束在样品表面作用产生碳污染斑，将试样倾转一定的角度γ后，碳污染斑在明场像的形状尺寸发生变化，相互分离为具有一定距离的两个斑，通过测量上下表面碳污染斑之间的分离距离r，以及试样倾转角度γ，并利用几何关系t＝r/sinγ获得目标区域的样品厚度。本发明对样品本身的晶体结构没有限制，适用于非晶和晶态的样品，对于样品的厚度没有限制，能在透射电镜下进行观察的样品，电子束可以穿透样品可以成明场像，因此其样品厚度均可测量；可实现对样品快速、简单方便的测量、成本低，适用范围广，可实施性强。
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公开(公告)号：CN106841257A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201710110346.0
申请日：2017-02-27
Applicant: 国标(北京)检验认证有限公司 , 北京有色金属研究总院
IPC: G01N23/207
CPC classification number: G01N23/207
Abstract: 本发明涉及电镜分析技术领域，涉及一种单根一维纳米材料截面应力的分析方法。该方法包括：(1)确定待分析的单根一维纳米材料并使其长轴方向与样品杆倾转轴线方向垂直；(2)确定衍射点，得到系列倾转电子衍射谱；(3)按照倾转角度顺序排列，形成原始倒空间三维强度矩阵；进一步处理得到真实的倒空间三维衍射强度分布矩阵；(4)从所述倒空间三维衍射强度分布矩阵中提取二维强度分布信息；(5)将二维强度分布信息与理论电子衍射模拟结果结合，确定待分析的一维纳米材料截面应力分布状态。本发明能够对单个一维纳米材料的截面应力状态进行分析，弥补了X射线衍射方法对大量一维纳米材料进行统计平均分析的不足。
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