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公开(公告)号：CN103559656A
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：CN201310573876.0
申请日：2013-11-15
申请人： 国家电网公司 , 国网上海市电力公司 , 北京国电通网络技术有限公司 , 北京中电飞华通信股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种需求响应控制系统及方法，以增强需求响应控制的有效性和互动性，该系统包括：总控制代理模块，用于根据上级电网发送的第一负荷削减信息和局部控制代理模块提交的第一可控负荷资源信息，生成负荷控制方案，负荷控制方案包括不同局部控制代理模块对应的第二负荷削减量信息，将负荷控制方案发送给对应的局部控制代理模块；局部控制代理模块，用于向总控制代理模块发送第一可控负荷资源信息，接收总控制代理模块发送的第二负荷削减量信息，根据第二负荷削减量信息和保存的第二可控负荷资源信息，生成用于负荷代理模块的第一动作指令，并将第一动作指令发送给负荷代理模块；负荷代理模块，用于响应第一动作指令，变更负荷的运行状态。
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公开(公告)号：CN103559656B
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201310573876.0
申请日：2013-11-15
申请人： 国家电网公司 , 国网上海市电力公司 , 北京国电通网络技术有限公司 , 北京中电飞华通信股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种需求响应控制系统及方法，以增强需求响应控制的有效性和互动性，该系统包括：总控制代理模块，用于根据上级电网发送的第一负荷削减信息和局部控制代理模块提交的第一可控负荷资源信息，生成负荷控制方案，负荷控制方案包括不同局部控制代理模块对应的第二负荷削减量信息，将负荷控制方案发送给对应的局部控制代理模块；局部控制代理模块，用于向总控制代理模块发送第一可控负荷资源信息，接收总控制代理模块发送的第二负荷削减量信息，根据第二负荷削减量信息和保存的第二可控负荷资源信息，生成用于负荷代理模块的第一动作指令，并将第一动作指令发送给负荷代理模块；负荷代理模块，用于响应第一动作指令，变更负荷的运行状态。
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公开(公告)号：CN104700158A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201510075280.7
申请日：2015-02-12
申请人： 国家电网公司 , 国网上海市电力公司 , 国网电力科学研究院 , 北京国电通网络技术有限公司
摘要： 本发明公开了一种配电园区的能源管理方法与系统，其中，该方法包括：按照配电园区中各用电负荷的特性进行分类；计算获得不可控负荷次日预测曲线与可调功率冷热负荷次日预测曲线；计算获得可移动负荷次日运行曲线与存储型负荷次日运行曲线，计算获得所述可移动负荷在需求侧响应下的开始工作时段值、所述存储型负荷在需求侧响应下的开始功率输出时段值、以及所述可中断负荷在需求侧响应下负荷降低值；对所有曲线与无优化策略下的用电情况进行比较性计算；对所有负荷的实际用电曲线与实际运行曲线与不参考需求响应下的用电情况进行比较性计算。
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公开(公告)号：CN104700158B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201510075280.7
申请日：2015-02-12
申请人： 国家电网公司 , 国网上海市电力公司 , 国网电力科学研究院 , 北京国电通网络技术有限公司
摘要： 本发明公开了一种配电园区的能源管理方法与系统，其中，该方法包括：按照配电园区中各用电负荷的特性进行分类；计算获得不可控负荷次日预测曲线与可调功率冷热负荷次日预测曲线；计算获得可移动负荷次日运行曲线与存储型负荷次日运行曲线，计算获得所述可移动负荷在需求侧响应下的开始工作时段值、所述存储型负荷在需求侧响应下的开始功率输出时段值、以及所述可中断负荷在需求侧响应下负荷降低值；对所有曲线与无优化策略下的用电情况进行比较性计算；对所有负荷的实际用电曲线与实际运行曲线与不参考需求响应下的用电情况进行比较比较性计算。
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公开(公告)号：CN103618006B
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201310525160.3
申请日：2013-10-30
IPC分类号： H01L29/861 , H01L29/06 , H01L21/329
摘要： 本发明涉及一种电力半导体器件及其制造方法，具体涉及一种快恢复二极管及其制造方法。本发明在有源区进行推结形成P+区和P区，推结形成过程包括，第一步进行硼注入，推结1-10um，第二步进行磷补偿注入，磷注入条件要求推结后只降低靠近硅表面处P区浓度但不足以使其反型，通过有源区补偿注入形成表面浓度低的P区，这样在保证PN结两侧浓度的情况下降低了正向导通时P区空穴注入量，在采用少子寿命控制时可不需要生成过多的复合中心，由此会带来一系列参数的优化。本发明提供的快恢复二极管及其制造方法，通过对P区进行磷补偿注入的方式实现P区表面浓度降低，从而实现正向导通时注入空穴数量的减少。
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公开(公告)号：CN105023836A
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201410169697.5
申请日：2014-04-25
IPC分类号： H01L21/283
摘要： 本发明涉及一种功率器件制作方法，具体涉及一种功率器件的背面buffer层制作方法。在3300V以上单晶硅片背面外延一层掺磷浓度高的外延N+层，然后进行背封，防止磷溢出及对相邻片正面造成自掺杂。进行芯片正面工艺，背面的外延N+层会在正面热过程作用下向单晶硅片N-层进行扩散形成buffer层，在外延N+层浓度确定后，buffer层厚度决定于正面热过程，如厚度不足可在芯片正面工艺前增加一步热过程。本发明通过外延N+层，在实现buffer层的同时保留现有功率器件背面成熟工艺，避免金属粘附性问题；从结构上保证buffer层的完整及背面良好的欧姆接触。
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公开(公告)号：CN103545269A
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201310341881.9
申请日：2013-08-07
摘要： 本发明涉及微电子封装技术领域，具体涉及一种大功率压接式IGBT封装模块。上端盖子、子模块、门极针、下端底座，上端盖子盖于下端底座上，所述子模块设置于上端盖子和下端底座之间，所述门极针设置于下端底座中绝缘底板的凹槽内。所述子模块包括顶部钼片、芯片、底部钼片、导电银片和PBI高性能塑料框架，在所述PBI高性能塑料框架的槽面内顶部钼片、芯片、底部钼片和导电银片自上到下依次压接，所述顶部钼片的上表面与上端盖子的下表面电极接触，所述子模块里导电银片的下表面与下端底座中凸台的上表面压接。本发明具有制作和装配更加简便、连接的可靠性更好、散热性能更好等优点。
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公开(公告)号：CN108808849B
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN201710291681.5
申请日：2017-04-28
申请人： 南京南瑞继保电气有限公司 , 南京南瑞继保工程技术有限公司 , 国网上海市电力公司 , 国家电网公司
IPC分类号： H02J13/00
摘要： 本发明公开一种接口配置方法，在极控、极保护、直流母线保护或直流线路保护设备，与需操作的直流断路器控制设备之间配置采用标准协议的双向接口通信链路点对点连接。此种方法通过柔性直流系统中各种控制保护设备与需操作的直流断路器配置双向点对点链路，避免单个控制保护设备退出时影响其他运行设备对直流断路器的操作，通过为需要快速出口的线路保护装置增加配置高频快速跳闸链路，保证线路保护设备能够高速、可靠跳闸直流断路器。本发明还公开一种接口配置系统。
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公开(公告)号：CN105023836B
公开(公告)日：2017-12-05
申请号：CN201410169697.5
申请日：2014-04-25
IPC分类号： H01L21/283
摘要： 本发明涉及一种功率器件制作方法，具体涉及一种功率器件的背面buffer层制作方法。在3300V以上单晶硅片背面外延一层掺磷浓度高的外延N+层，然后进行背封，防止磷溢出及对相邻片正面造成自掺杂。进行芯片正面工艺，背面的外延N+层会在正面热过程作用下向单晶硅片N‑层进行扩散形成buffer层，在外延N+层浓度确定后，buffer层厚度决定于正面热过程，如厚度不足可在芯片正面工艺前增加一步热过程。本发明通过外延N+层，在实现buffer层的同时保留现有功率器件背面成熟工艺，避免金属粘附性问题；从结构上保证buffer层的完整及背面良好的欧姆接触。
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公开(公告)号：CN103579322B
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201310562571.X
申请日：2013-11-13
IPC分类号： H01L29/739 , H01L23/49 , H01L23/498 , H01L29/06 , H01L21/331 , H01L21/48
CPC分类号： H01L24/05 , H01L2224/05552 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/00
摘要： 本发明涉及一种功率器件及其制造方法，具体涉及一种增强开关速度和开关均匀性的IGBT器件及其制造方法。该IGBT器件包括发射极PAD区域、栅PAD区域、栅Finger区域、栅Bus区域和终端区域。所述栅PAD区域位于器件中心位置，发射极PAD区域分布在栅PAD四周，栅Finger区将发射极PAD区域分开，栅Bus区域包围着发射极PAD区域，所述终端区位于栅Bus区域外围。本发明通过改进传统的多晶硅层与金属层结构设计，使得IGBT器件在开关过程中对元胞栅极的充电和放电速度加快，从而使IGBT器件整体的开关速度增快。与传统的IGBT器件结构相比，本发明加快了IGBT的开关速度，同时提高了IGBT元胞开关过程的均匀性。
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