铜栅线硅异质结电池的边缘钝化方法及装置

    公开(公告)号:CN117199169A

    公开(公告)日:2023-12-08

    申请号:CN202210603453.8

    申请日:2022-05-30

    IPC分类号: H01L31/18

    摘要: 本公开提出一种铜栅线硅异质结电池的边缘钝化方法及装置,涉及电池技术领域。包括:对铜栅线硅异质结电池进行切片,以获取多个电池分片;将由多个电池分片堆叠形成的电池垛,转移至化学气相沉积设备中;在预设时间段内,向化学气相沉积设备内通入氢气,其中,第一氢气流量为5000‑25000sccm;在电池垛中每个电池分片的切片断面处沉积本征非晶硅薄膜,以获取边缘钝化的电池分片,其中,本征非晶硅薄膜的沉积温度为80‑120℃。由此,可以在低温下对铜栅线硅异质结电池分片的切片断面进行钝化处理,保证铜栅线硅异质结电池分片及铜电极在不受影响的前提下,降低铜栅线硅异质结电池分片的切片断面的载流子复合速率,改善钝化效果,提高了切片铜栅线硅异质结电池的效率。

    硅异质结太阳电池
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110649129A

    公开(公告)日:2020-01-03

    申请号:CN201910887237.9

    申请日:2019-09-19

    摘要: 本发明提出一种硅异质结太阳电池,包括:n型晶硅衬底;分别设置于n型晶硅衬底上表面的第一本征非晶硅层和下表面的第二本征非晶硅层;设置于第一本征非晶硅层上表面的p型掺杂非晶硅发射极层;设置于第二本征非晶硅层下表面的n型掺杂非晶硅背场层;设置于p型掺杂非晶硅发射极层上表面的第一TCO层;设置于n型掺杂非晶硅背场层下表面的第二TCO层;分别设置于第一TCO层上表面和第二TCO层下表面的铜栅线电极层。第一TCO层的功函数高于第二TCO层,这样正背面TCO薄膜不仅可分别与p型非晶硅发射极及n型非晶硅背场形成良好的接触,同时满足载流子输运的功函数要求,利于降低接触电阻,提高电池效率。