本公开提出一种铜栅线硅异质结电池的边缘钝化方法及装置，涉及电池技术领域。包括：对铜栅线硅异质结电池进行切片，以获取多个电池分片；将由多个电池分片堆叠形成的电池垛，转移至化学气相沉积设备中；在预设时间段内，向化学气相沉积设备内通入氢气，其中，第一氢气流量为5000‑25000sccm；在电池垛中每个电池分片的切片断面处沉积本征非晶硅薄膜，以获取边缘钝化的电池分片，其中，本征非晶硅薄膜的沉积温度为80‑120℃。由此，可以在低温下对铜栅线硅异质结电池分片的切片断面进行钝化处理，保证铜栅线硅异质结电池分片及铜电极在不受影响的前提下，降低铜栅线硅异质结电池分片的切片断面的载流子复合速率，改善钝化效果，提高了切片铜栅线硅异质结电池的效率。