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公开(公告)号：CN110137302A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201810130401.7
申请日：2018-02-08
申请人： 国家电投集团科学技术研究院有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0236 , H01L31/0747
摘要： 本发明公开了硅异质结太阳电池晶硅衬底的清洗及制绒方法，包括：(1)将晶硅衬底浸入溶解有臭氧的清洗液中进行预清洗；(2)将步骤(1)所得晶硅衬底浸入碱性溶液中，以便在晶硅衬底的表面形成特定形貌的绒面结构；(3)将步骤(2)所得晶硅衬底浸入含有NH4OH和H2O2的去离子水中进行清洗；(4)将步骤(3)所得晶硅衬底浸入HF、HCl和H2O2的混合液中进行清洗，以便得到具有绒面结构的清洁晶硅衬底。该方法采用臭氧有效清除晶硅衬底表面的有机物等杂质，为后续制绒工序提供更为均匀、可控的洁净晶硅衬底表面，该方法不仅提高了晶硅衬底的清洗和制绒效果，而且以臭氧代替传统方法中的高浓度H2SO4等强酸试剂，便于废液的回收利用，减少了对环境的影响。
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公开(公告)号：CN109148614A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201710456695.8
申请日：2017-06-16
申请人： 国家电投集团科学技术研究院有限公司
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/0747 , H01L31/20
CPC分类号： H01L31/022425 , H01L31/0747 , H01L31/202
摘要： 本发明公开了硅异质结太阳电池及其制备方法。其中，该太阳电池包括：n型晶硅衬底层；轻掺杂n型氢化非晶硅缓冲层，氢化非晶硅缓冲层形成在衬底层的上、下两侧表面上；重掺杂p型氢化非晶硅发射极层，氢化非晶硅发射极层形成在一侧氢化非晶硅缓冲层的表面上；重掺杂n型氢化非晶硅背场层，氢化非晶硅背场层形成在另一侧氢化非晶硅缓冲层的表面上；透明导电氧化物层，透明导电氧化物层形成在氢化非晶硅发射极层和氢化非晶硅背场层的表面上；金属栅线电极层，金属栅线电极层包括：合金过渡层，合金过渡层形成在透明导电氧化物层、氢化非晶硅背场层和氢化非晶硅发射极层至少一层表面上；含铜导电合金层，含铜导电合金层形成在合金过渡层的表面上。
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公开(公告)号：CN110137289A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201810129811.X
申请日：2018-02-08
申请人： 国家电投集团科学技术研究院有限公司
IPC分类号： H01L31/05 , H01L31/072
摘要： 本发明公开了硅异质结太阳电池的金属栅线电极和硅异质结太阳电池，该金属栅线电极包括：一条主栅线；第一组副栅线，所述第一组副栅线包括多根平行布置的副栅线，所述第一组副栅线垂直且相交于所述主栅线设置；第二组副栅线，所述第二组副栅线包括多根平行布置的副栅线，第二组副栅线平行于所述主栅线且与所述第一组副栅线相交设置。该金属栅线电极对电池光作用面遮挡小、电阻低，实现了电流收集和电极遮光之间的良好平衡，从而提高了太阳电池的性能。
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公开(公告)号：CN108987488A
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201710457372.0
申请日：2017-06-16
申请人： 国家电投集团科学技术研究院有限公司
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/0747 , H01L31/20
CPC分类号： Y02E10/50
摘要： 本发明公开了硅异质结太阳电池及其制备方法。其中，该硅异质结太阳电池包括：n型晶硅衬底；第一轻掺杂n型氢化非晶硅层；重掺杂p型氢化非晶硅发射极层；第一透明导电氧化物层；第二轻掺杂n型氢化非晶硅层；重掺杂n型氢化非晶硅背场层；第二透明导电氧化物层；以及多个金属栅线电极层。该硅异质结太阳电池采用轻掺杂的氢化非晶硅替代本征非晶硅作为钝化层，可以在保证良好的界面钝化作用的前提下，显著改善串联电阻，提高电池性能。
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公开(公告)号：CN110137296A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201810130409.3
申请日：2018-02-08
申请人： 国家电投集团科学技术研究院有限公司
IPC分类号： H01L31/0747 , H01L31/20
摘要： 本发明公开了硅异质结太阳电池及其制备方法，该方法包括：提供n型晶硅衬底；在n型晶硅衬底的上表面沉积非晶硅钝化层薄膜和p型非晶硅发射极层，将所得样品浸入清洗液中清洗；在n型晶硅衬底的下表面沉积非晶硅钝化层薄膜和n型非晶硅背场层，将所得样品浸入清洗液中清洗；在p型非晶硅发射极层的上表面沉积透明导电氧化物薄膜，将所得样品浸入清洗液中清洗；在n型非晶硅背场层的下表面沉积透明导电氧化物薄膜，将所得样品进行第一退火处理；形成上表面和下表面电极，将所得样品进行第二退火处理。该方法在对晶硅衬底沉积薄膜层后，对样品进行清洗和退火处理，显著改善了样品各层界面的界面性能，提高了制备得到的硅异质结太阳电池的性能。
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公开(公告)号：CN109148616A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201710461478.8
申请日：2017-06-16
申请人： 国家电投集团科学技术研究院有限公司
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/074 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/022425 , H01L31/074 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了硅异质结太阳电池及其制备方法。其中，该太阳电池包括：n型晶硅衬底层；轻掺杂n型氢化非晶硅缓冲层，氢化非晶硅缓冲层形成在衬底层的上、下两侧表面上；重掺杂p型氢化非晶硅发射极层，氢化非晶硅发射极层形成在一侧轻掺杂n型氢化非晶硅缓冲层的表面上；重掺杂n型氢化非晶硅背场层，氢化非晶硅背场层形成在另一侧氢化非晶硅缓冲层的表面上；透明导电氧化物层，透明导电氧化物层分别形成在氢化非晶硅发射极层和氢化非晶硅背场层的表面上；合金栅线电极层，合金栅线电极层形成在透明导电氧化物层、氢化非晶硅背场层和氢化非晶硅发射极层的至少一层的表面上；以及电极保护层，电极保护层形成在合金栅线电极层的表面上。
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公开(公告)号：CN207398153U
公开(公告)日：2018-05-22
申请号：CN201720707435.9
申请日：2017-06-16
申请人： 国家电投集团科学技术研究院有限公司
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/0747 , H01L31/20
摘要： 本实用新型公开了硅异质结太阳电池。该太阳电池包括：n型晶硅衬底层；轻掺杂n型氢化非晶硅缓冲层，氢化非晶硅缓冲层形成在衬底层的上、下两侧表面上；重掺杂p型氢化非晶硅发射极层，氢化非晶硅发射极层形成在一侧氢化非晶硅缓冲层的表面上；重掺杂n型氢化非晶硅背场层，氢化非晶硅背场层形成在另一侧氢化非晶硅缓冲层的表面上；透明导电氧化物层，透明导电氧化物层形成在氢化非晶硅发射极层和氢化非晶硅背场层的表面上；金属栅线电极层，金属栅线电极层包括：合金过渡层，合金过渡层形成在透明导电氧化物层、氢化非晶硅背场层和氢化非晶硅发射极层至少一层表面上；含铜导电合金层，含铜导电合金层形成在合金过渡层的表面上。
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公开(公告)号：CN207834323U
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201820229144.8
申请日：2018-02-08
申请人： 国家电投集团科学技术研究院有限公司
IPC分类号： H01L31/05 , H01L31/072
摘要： 本实用新型公开了硅异质结太阳电池的金属栅线电极和硅异质结太阳电池，该金属栅线电极包括：一条主栅线；第一组副栅线，所述第一组副栅线包括多根平行布置的副栅线，所述第一组副栅线垂直且相交于所述主栅线设置；第二组副栅线，所述第二组副栅线包括多根平行布置的副栅线，第二组副栅线平行于所述主栅线且与所述第一组副栅线相交设置。该金属栅线电极对电池光作用面遮挡小、电阻低，实现了电流收集和电极遮光之间的良好平衡，从而提高了太阳电池的性能。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN207398154U
公开(公告)日：2018-05-22
申请号：CN201720708353.6
申请日：2017-06-16
申请人： 国家电投集团科学技术研究院有限公司
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/074
摘要： 本实用新型公开了硅异质结太阳电池。该太阳电池包括：n型晶硅衬底层；轻掺杂n型氢化非晶硅缓冲层，氢化非晶硅缓冲层形成在衬底层的上、下两侧表面上；重掺杂p型氢化非晶硅发射极层，氢化非晶硅发射极层形成在一侧轻掺杂n型氢化非晶硅缓冲层的表面上；重掺杂n型氢化非晶硅背场层，氢化非晶硅背场层形成在另一侧氢化非晶硅缓冲层的表面上；透明导电氧化物层，透明导电氧化物层分别形成在氢化非晶硅发射极层和氢化非晶硅背场层的表面上；合金栅线电极层，合金栅线电极层形成在透明导电氧化物层、氢化非晶硅背场层和氢化非晶硅发射极层的至少一层的表面上；以及电极保护层，电极保护层形成在合金栅线电极层的表面上。
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公开(公告)号：CN207233747U
公开(公告)日：2018-04-13
申请号：CN201720708354.0
申请日：2017-06-16
申请人： 国家电投集团科学技术研究院有限公司
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/074
摘要： 本实用新型公开了硅异质结太阳电池，该硅异质结太阳电池包括：n型晶硅衬底；第一轻掺杂n型氢化非晶硅层；重掺杂p型氢化非晶硅发射极层；第一透明导电氧化物层；第二轻掺杂n型氢化非晶硅层；重掺杂n型氢化非晶硅背场层；第二透明导电氧化物层；以及多个金属栅线电极层。该硅异质结太阳电池采用轻掺杂的氢化非晶硅替代本征非晶硅作为钝化层，可以在保证良好的界面钝化作用的前提下，显著改善串联电阻，提高电池性能。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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