公开(公告)号：CN1750170B

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN200510091725.7

申请日：2005-08-15

Applicant: 因芬尼昂技术股份公司

Inventor： R·卡科斯奇克 ,  T·尼斯奇 ,  K·施弗 ,  D·舒姆

IPC: G11C11/401 ,  G11C11/412 ,  H01L27/105 ,  H01L21/8239

CPC classification number: G11C16/0416 ,  H01L27/115 ,  H01L29/8616

Abstract: 集成存储装置及方法，本案提出一种利用穿隧场效晶体管(TFET)以及埋藏位线的存储装置。该存储装置包括一包含储存单元行以及储存单元列的矩阵，其中，每一个储存单元包含至少一单元晶体管，而该单元晶体管则是依次会包含第一掺杂区域以及第二掺杂区域，其一为一漏极区域，以及另一为一源极区域。再者，该存储装置包括字线，其每一个都连接至一行的储存单元，以及位线，各位线连接至一列的储存单元。此外，该等第一掺杂区域为与该等第二掺杂区域不同的掺杂型态。

公开(公告)号：CN1750170A

公开(公告)日：2006-03-22

申请号：CN200510091725.7

申请日：2005-08-15

Applicant: 因芬尼昂技术股份公司

Inventor： R·卡科斯奇克 ,  T·尼斯奇 ,  K·施弗 ,  D·舒姆

IPC: G11C11/401 ,  G11C11/412 ,  H01L27/105 ,  H01L21/8239

CPC classification number: G11C16/0416 ,  H01L27/115 ,  H01L29/8616

Abstract: 本案提出一种利用穿隧场效晶体管(TFET)以及埋藏位线的存储装置。该存储装置包括一包含储存单元行以及储存单元列的矩阵，其中，每一个储存单元包含至少一单元晶体管，而该单元晶体管则是依次会包含第一掺杂区域以及第二掺杂区域，其一为一漏极区域，以及另一为一源极区域。再者，该存储装置包括字线，其每一个都连接至一行的储存单元，以及位线，各位线连接至一列的储存单元。此外，该等第一掺杂区域为与该等第二掺杂区域不同的掺杂型态。