公开(公告)号：CN119757233A

公开(公告)日：2025-04-04

申请号：CN202411935889.2

申请日：2024-12-26

Applicant: 哈工大苏州研究院 ,  哈尔滨工业大学

Inventor： 姚彦 ,  孙徕博 ,  黄陆军 ,  耿林 ,  孙枫泊 ,  鲁伟航 ,  毕梦雪 ,  陈润 ,  张昕

IPC: G01N21/21 ,  G01D21/02 ,  G01N1/28 ,  G01N1/32 ,  G01N21/84 ,  G01N21/88 ,  G01N21/95

Abstract: 一种铜材中氧含量的快速精确简易检测方法和应用。本发明属于材料检测与分析领域。本发明的目的是为了解决现有铜中氧含量的测定方法成本高、效率低以及准确性不高的技术问题。本发明方法：在机械抛光基础上进行电解抛光；利用金相显微镜在明场模式不同倍率下观察试样，当表面出现天蓝色的细粒状或圆粒状相组织时，切换至偏振模式，若出现含有红宝石色的细粒状或圆粒状相组织，则表明含有氧元素；在金相显微镜放大至200倍的条件下对观察到的范围边缘进行划定标记，在划定的区域范围内将金相显微镜放大至500倍进行拍照并拼接，拼接后缩小至200倍下区域大小的采样图，随后统计采样图中的氧化亚铜相面积占比，最后通过公式计算出氧含量。

公开(公告)号：CN119736592A

公开(公告)日：2025-04-01

申请号：CN202411887269.6

申请日：2024-12-20

Applicant: 哈工大苏州研究院 ,  哈尔滨工业大学

Inventor： 孙徕博 ,  黄陆军 ,  耿林 ,  毕梦雪 ,  孙枫泊 ,  鲁伟航 ,  姚彦 ,  陈润 ,  张昕 ,  武鹏博 ,  方乃文 ,  包阳

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/16 ,  C22C5/06 ,  A43D3/02

Abstract: 一种兼具高耐磨和导热性能的铝合金鞋楦及其高效成型方法和应用。本发明属于增材制造领域。本发明的目的是为了解决现有激光增材制造铝合金鞋楦的方法成形效率低、表面质量和尺寸精度无法得到保证以及使用寿命有待提高的技术问题。本发明方法：对鞋楦进行三维建模，通过电弧熔丝增材制造成形AlSi10Mg铝合金鞋楦基体；然后通过直流磁控溅射在基体表面镀覆Ag合金过渡层；再通过直流磁控溅射镀覆CrZrCu合金功能层。本发明通过成分设计，实现了基体与中间过渡层Ag合金、CrZrCu合金三者热膨胀系数的平缓过渡以及三者之间优异的冶金结合。所得铝合金鞋楦用于制鞋工业。

公开(公告)号：CN119410942A

公开(公告)日：2025-02-11

申请号：CN202411558368.X

申请日：2024-11-04

Applicant: 哈工大苏州研究院 ,  哈尔滨工业大学

Inventor： 毕梦雪 ,  孙徕博 ,  黄陆军 ,  耿林 ,  孙枫泊 ,  鲁伟航 ,  姚彦

IPC: C22C1/04 ,  C23C14/35 ,  C23C14/16 ,  B22F1/17 ,  B22F3/15 ,  C23C14/02 ,  C22C27/04 ,  G21B1/13

Abstract: 一种W/Cu复合材料的工业化制备方法及其应用。本发明属于热核聚变用钨/铜复合材料领域。本发明的目的是为了解决现有钨/铜复合材料的制备方法无法兼顾生产成本和产物性能的技术问题。本发明以W粉为基材，先在其表面通过磁控溅射共沉积WCu复合过渡层，再通过磁控溅射在WCu复合过渡层表面沉积Cu膜，该方法解决传统混粉不均匀和颗粒团聚现象，能使W、Cu材料成分分布相对均匀。除此之外，更重要的是，本发明通过调控W粉表面膜层厚度以及与之匹配的热等静压工艺参数，在不增加制备工序，不引入第三组份填料的基础上获得了兼具高致密度和热导率的W/Cu复合材料，为热核聚变等离子体第一壁用复合材料的工业化生产提供了可能。

公开(公告)号：CN119410942B

公开(公告)日：2025-05-16

申请号：CN202411558368.X

申请日：2024-11-04

Applicant: 哈工大苏州研究院 ,  哈尔滨工业大学

Inventor： 毕梦雪 ,  孙徕博 ,  黄陆军 ,  耿林 ,  孙枫泊 ,  鲁伟航 ,  姚彦

IPC: C22C1/04 ,  C23C14/35 ,  C23C14/16 ,  B22F1/17 ,  B22F3/15 ,  C23C14/02 ,  C22C27/04 ,  G21B1/13

Abstract: 一种W/Cu复合材料的工业化制备方法及其应用。本发明属于热核聚变用钨/铜复合材料领域。本发明的目的是为了解决现有钨/铜复合材料的制备方法无法兼顾生产成本和产物性能的技术问题。本发明以W粉为基材，先在其表面通过磁控溅射共沉积WCu复合过渡层，再通过磁控溅射在WCu复合过渡层表面沉积Cu膜，该方法解决传统混粉不均匀和颗粒团聚现象，能使W、Cu材料成分分布相对均匀。除此之外，更重要的是，本发明通过调控W粉表面膜层厚度以及与之匹配的热等静压工艺参数，在不增加制备工序，不引入第三组份填料的基础上获得了兼具高致密度和热导率的W/Cu复合材料，为热核聚变等离子体第一壁用复合材料的工业化生产提供了可能。

公开(公告)号：CN119753405A

公开(公告)日：2025-04-04

申请号：CN202411901720.5

申请日：2024-12-23

Applicant: 哈工大苏州研究院 ,  哈尔滨工业大学

Inventor： 毕梦雪 ,  孙徕博 ,  黄陆军 ,  耿林 ,  孙枫泊 ,  鲁伟航 ,  姚彦 ,  陈润 ,  张昕

IPC: C22C1/05 ,  H01H1/025 ,  H05K7/20 ,  G21B1/13 ,  C22C27/04 ,  C23C14/22 ,  C23C14/18 ,  B22F1/18 ,  B22F3/15

Abstract: 一种多相掺杂高导电钨铜复合材料及其制备方法和应用。本发明属于钨铜复合材料领域。本发明的目的是为了解决现有钨铜复合材料W、Cu浸润性不好以及机械性能和电性能难以兼顾的技术问题。本发明方法：通过磁控溅射分别在石墨烯粉表面和Cu粉表面沉积Co，分别获得MLG@Co粉末和Cu@Co粉末；然后将它们与钨粉球磨混粉，并利用热等静压进行烧结，得到多相掺杂的钨铜复合材料。本发明分别在石墨烯和Cu粉表面镀覆Co膜，优化了钨与铜之间的润湿性，显著提高了W/Cu复合材料的致密度和机械性能，同时通过调控MLG@Co、Cu@Co粉末和钨粉比例，使所得W/Cu复合材料兼具优异的导电性和机械性能。