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公开(公告)号：CN108956743B
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：CN201810820861.2
申请日：2018-07-24
Applicant: 哈尔滨工程大学 , 中国电子科技集团公司第四十九研究所
IPC: G01N27/414
Abstract: 一种可用金纳米粒子增强的场效应晶体管生物传感器的检测方法，本发明涉及生物检测技术领域。本发明要解决现有场效应晶体管芯片检测灵敏度低的问题。制备：一、晶体管结构制作；二、石墨烯表面醛基化处理；三、石墨烯表面修饰捕获抗体分子；四、石墨烯表面其余活性位点封闭。检测方法：一、金纳米粒子合成；二、金纳米粒子标记二抗分子；三、金纳米粒子增强场效应晶体管生物传感器生物检测。
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公开(公告)号：CN109250682A
公开(公告)日：2019-01-22
申请号：CN201811115680.6
申请日：2018-09-25
Applicant: 中国电子科技集团公司第四十九研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 一种悬浮梁-膜结构的制备方法,属于压力传感器制备领域。解决了采用光刻胶或聚酰亚胺作为牺牲层制备悬浮梁-膜表面不光滑，导致悬浮梁-膜的长期稳定性和一致性差及采用硅片的湿法腐蚀工艺制备悬浮梁-膜结构边缘不整齐，容易断裂且悬浮梁-膜材料受限的问题。本发明利用生长出来的多孔硅层作为牺牲层，制备出来的多孔硅层表面光滑，因此，长在其上的悬浮梁-膜结构层均匀且光滑，保证了悬浮梁-膜结构层的长期稳定性及一致性；另一方面，只对多孔硅层释放窗口和悬浮梁-膜结构层下方所对应的多孔硅层进行腐蚀，不腐蚀悬浮梁-膜结构层，因此，使其制备的悬浮梁-膜结构层更加的整齐，不易断裂。本发明主要用于传感器的制备。
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公开(公告)号：CN105928567B
公开(公告)日：2017-12-19
申请号：CN201610551147.9
申请日：2016-07-13
Applicant: 中国电子科技集团公司第四十九研究所
Abstract: 集成温湿度传感器的硅基气体敏感芯片及其制作方法，涉及环境监测技术，目的是为了解决现有硅基芯片没有集成气敏单元的问题。本发明将多个气敏单元、温敏单元和湿敏单元均集成在一个N型单晶硅片上，相邻两个单元之间均设置有横截面为矩形的第二级隔热通孔，每个气敏单元中，每相邻两根电极引线之间均设置有横截面为梯形的第一级隔热通孔，所述矩形和梯形的四个角均采用圆弧过渡。上述芯片能够同时对环境的温湿度指标进行监测，并能够监测多种气体，二级隔热能够满足不同单元的不同工作温度要求。热隔离孔中采用圆弧过渡代替尖锐的角区，使该阵列芯片具有多功能测量、选择性好、机械强度高、可靠性高、功耗低等优点，适用于环境监测。
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公开(公告)号：CN104501878B
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：CN201510038604.X
申请日：2015-01-26
Applicant: 中国电子科技集团公司第四十九研究所
Abstract: 一种复合传感器敏感芯体的填充陶瓷结构及安装方法，它涉及传感器测量领域，具体涉及一种复合传感器敏感芯体的填充陶瓷结构及安装方法。本发明为解决现有填充陶瓷结构中，压力芯片和温度芯片安装在填充陶瓷结构的同一侧，由于两个芯片是横向安装，使得传感器的整体尺寸较大，不方便操作，而且由于温度芯片安装中引线的要求，填充陶瓷结构中安装温度芯片的內槽需要加工的很深，硅油的填充量大，导致温度压力复合传感器测量精度低的问题。本发明所述压力芯片安装在第一安装槽内，填充陶瓷结构的下端面的中心处设置有第二安装槽，温度芯片安装在第二安装槽内，且压力芯片和温度芯片沿着填充陶瓷结构的中心轴线垂直对称。本发明用于传感器测量领域。
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公开(公告)号：CN103557967B
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201310595320.1
申请日：2013-11-22
Applicant: 中国电子科技集团公司第四十九研究所
Abstract: 一种硅微谐振式压力传感器芯体及制作方法，属于传感器领域，本发明为了避免使用硅-硅直接键合、硅片减薄等复杂技术，避免谐振子制作过程中引入较大的残余应力问题。本发明包括下层基片和上层基片，键合为一个整体；下层基片上设置谐振梁、压力敏感膜片、下层激励电极、压敏电阻和下层引线焊盘；谐振梁的上表面设置下层激励电极和压敏电阻，压力敏感膜片设置在谐振腔的底部；上层基片上设置有振动槽和上层激励电极；上层基片的下表面设置有振动槽，在振动槽的槽底表面覆有上层激励电极；上层基片下表面的凹槽与谐振梁所在谐振腔形成密闭空间，下层激励电极与上层激励电极的位置相对设置；下层基片选用SOI硅片；上层基片选用玻璃片。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103439032B
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201310410397.7
申请日：2013-09-11
Applicant: 中国电子科技集团公司第四十九研究所
IPC: H01P11/00
Abstract: 硅微谐振器的加工方法，属于传感器领域，本发明为解决谐振器采用现有方法制作存在的问题。本发明该方法包括以下步骤：步骤一、选用电阻率为3Ω·cm～10Ω·cm的N型 硅片作为待加工硅片，进行热氧化处理，获取热氧化处理硅片；步骤二、采用光刻工艺在热氧化处理硅片的上表面刻蚀出谐振梁结构图形；去掉谐振梁两侧区域的氧化层；同时，利用深反应离子刻蚀工艺在所述谐振梁两侧对称形成两个深槽；步骤三、谐振梁侧壁覆盖钝化层；步骤四、刻蚀掉两个深槽底部的钝化层；步骤五、继续对两个深槽底部再刻蚀一定深度；步骤六、用TMAH溶液对硅片进行腐蚀，释放出谐振梁；谐振梁两侧的两个深槽连通后构成振动腔室，加工出硅微谐振器。
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公开(公告)号：CN103557970A
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：CN201310595163.4
申请日：2013-11-22
Applicant: 中国电子科技集团公司第四十九研究所
IPC: G01L1/18
Abstract: 一种静电激励/压阻检测硅微谐振式压力传感器及其制作方法，属于传感器领域，本发明为解决现有硅微谐振式压力传感器制作技术存在的问题。本发明包括下层硅片和上层硅片，下层硅片和上层硅片通过BCB胶键合；下层硅片上设置有谐振梁、压力敏感膜片、下层激励电极、压敏电阻和下层引线焊盘；谐振梁的上表面设置有下层激励电极和压敏电阻，下层激励电极和压敏电阻的引线均通过下层引线焊盘引出；压力敏感膜片设置在谐振梁所在谐振腔的底部；上层硅片上设置有上层引线焊盘和上层激励电极；上层激励电极设置在上层硅片下表面的凹槽内；上层激励电极的引线通过上层引线焊盘引出；下层硅片选用N型（111）硅片；上层硅片N型（100）硅片。
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公开(公告)号：CN103557967A
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：CN201310595320.1
申请日：2013-11-22
Applicant: 中国电子科技集团公司第四十九研究所
Abstract: 一种硅微谐振式压力传感器芯体及制作方法，属于传感器领域，本发明为了避免使用硅-硅直接键合、硅片减薄等复杂技术，避免谐振子制作过程中引入较大的残余应力问题。本发明包括下层基片和上层基片，键合为一个整体；下层基片上设置谐振梁、压力敏感膜片、下层激励电极、压敏电阻和下层引线焊盘；谐振梁的上表面设置下层激励电极和压敏电阻，压力敏感膜片设置在谐振腔的底部；上层基片上设置有振动槽和上层激励电极；上层基片的下表面设置有振动槽，在振动槽的槽底表面覆有上层激励电极；上层基片下表面的凹槽与谐振梁所在谐振腔形成密闭空间，下层激励电极与上层激励电极的位置相对设置；下层基片选用SOI硅片；上层基片选用玻璃片。
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公开(公告)号：CN102322893B
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201110142899.7
申请日：2011-05-30
Applicant: 中国电子科技集团公司第四十九研究所
IPC: G01D21/02
Abstract: 充油式温度压力复合传感器，属于温度压力复合传感器技术领域。它解决了采用两种传感器组装形成的温度压力复合传感器不能同时对局部区域的信号进行测量的问题。它由管座、压力芯片、温度芯片、金丝引线、银钯丝、外引出线束、陶瓷环、封堵塞、波纹膜片和压环组成，将压力芯片和温度芯片近距离的装配在管座内，通过共晶焊的方式将其焊接在管座上，在使用时，进行真空充油后，压力芯片和温度芯片同时被保护起来，再通过波纹膜片感受压力。本发明适用于对局部区域的温度和压力的同时测量。
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公开(公告)号：CN102322893A
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：CN201110142899.7
申请日：2011-05-30
Applicant: 中国电子科技集团公司第四十九研究所
IPC: G01D21/02
Abstract: 充油式温度压力复合传感器，属于温度压力复合传感器技术领域。它解决了采用两种传感器组装形成的温度压力复合传感器不能同时对局部区域的信号进行测量的问题。它由管座、压力芯片、温度芯片、金丝引线、银钯丝、外引出线束、陶瓷环、封堵塞、波纹膜片和压环组成，将压力芯片和温度芯片近距离的装配在管座内，通过共晶焊的方式将其焊接在管座上，在使用时，进行真空充油后，压力芯片和温度芯片同时被保护起来，再通过波纹膜片感受压力。本发明适用于对局部区域的温度和压力的同时测量。
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