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公开(公告)号：CN109896499B
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN201910161174.9
申请日：2019-03-04
申请人： 中国电子科技集团公司第四十九研究所
摘要： 一种陶瓷微结构石墨烯气体传感器及其制造方法，本发明属于传感器技术领域，具体涉及一种陶瓷微结构石墨烯气体传感器及其制造方法。本发明是为了解决陶瓷异质材料上石墨烯CVD生长、修饰困难和传感器结构尺寸大的问题。本发明采用MEMS工艺技术在陶瓷异质材料基片制作传感器加热电阻和信号输出电极，采用PVD技术在基片上制作石墨烯生长的种子层，用CVD技术实现石墨烯在种子层上的生长，用化学修饰手段实现对石墨的功能化修饰，完成石墨烯气体传感器的制备。本发明的传感器具有性能高、尺寸小的特点，通过传感单元的阵列化集成用于多种气体浓度同时检测。
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![一种基于[111]单晶硅的气体敏感芯片阵列及其制作方法](/CN/2018/1/303/images/201811517619.jpg)
公开(公告)号：CN109613085A
公开(公告)日：2019-04-12
申请号：CN201811517619.4
申请日：2018-12-12
申请人： 中国电子科技集团公司第四十九研究所
IPC分类号： G01N27/30
摘要： 一种基于[111]单晶硅的气体敏感芯片阵列及其制作方法，涉及气体传感器技术领域。本发明是为了解决现有的气体传感器微加热板的加工工艺复杂的问题。本发明加热电极为方波形结构，敏感膜电极为梳状结构，一对敏感膜电极分别位于加热电极的两侧、且加热电极相邻的两个方波之间均有一个敏感膜电极的齿，加热电极和两个敏感膜电极的上表面覆盖有气体敏感膜，[111]单晶硅基底上表面开有隔热腔，支撑层覆盖在[111]单晶硅基底上表面，支撑层上开有多个呈矩形阵列排布的腐蚀孔，每一行相邻的两个腐蚀孔之间均固定有一个气体敏感芯片，气体敏感芯片的引出电极的长度方向均与[111]单晶硅基底的[211]晶向同向。
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公开(公告)号：CN108956742B
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201810820855.7
申请日：2018-07-24
申请人： 中国电子科技集团公司第四十九研究所
IPC分类号： G01N27/414
摘要： 一种石墨烯场效应晶体管阵列生物传感器及其制备方法和检测方法，本发明涉及生物传感器及其制备方法和检测方法。本发明要解决现有石墨烯场效应晶体管生物传感器在检测过程准确度较低的问题。传感器由硅衬底、氧化层、第一金属栅极、第二金属栅极、栅绝缘层、第一石墨烯导电沟道层、第二石墨烯导电沟道层、第一组源、漏电极及第二组源、漏电极组成；制备：一、晶体管结构制作；二、石墨烯表面醛基化处理；三、检测单元石墨烯表面修饰捕获抗体分子；四、检测单元和参比单元石墨烯表面其余活性位点封闭；检测：将传感器浸入到含待测抗原的溶液中，测得检测单元和参比单元石墨烯狄拉克点电压，差值对应标准工作曲线，得出待测物溶液绝对浓度。
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公开(公告)号：CN108956743A
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201810820861.2
申请日：2018-07-24
申请人： 中国电子科技集团公司第四十九研究所
IPC分类号： G01N27/414
摘要： 一种可用金纳米粒子增强的场效应晶体管生物传感器的制备方法及其检测方法，本发明涉及生物检测技术领域。本发明要解决现有场效应晶体管芯片检测灵敏度低的问题。制备：一、晶体管结构制作；二、石墨烯表面醛基化处理；三、石墨烯表面修饰捕获抗体分子；四、石墨烯表面其余活性位点封闭。检测方法：一、金纳米粒子合成；二、金纳米粒子标记二抗分子；三、金纳米粒子增强场效应晶体管生物传感器生物检测。
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公开(公告)号：CN108956742A
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201810820855.7
申请日：2018-07-24
申请人： 中国电子科技集团公司第四十九研究所
IPC分类号： G01N27/414
摘要： 一种石墨烯场效应晶体管阵列生物传感器及其制备方法和检测方法，本发明涉及生物传感器及其制备方法和检测方法。本发明要解决现有石墨烯场效应晶体管生物传感器在检测过程准确度较低的问题。传感器由硅衬底、氧化层、第一金属栅极、第二金属栅极、栅绝缘层、第一石墨烯导电沟道层、第二石墨烯导电沟道层、第一组源、漏电极及第二组源、漏电极组成；制备：一、晶体管结构制作；二、石墨烯表面醛基化处理；三、检测单元石墨烯表面修饰捕获抗体分子；四、检测单元和参比单元石墨烯表面其余活性位点封闭；检测：将传感器浸入到含待测抗原的溶液中，测得检测单元和参比单元石墨烯狄拉克点电压，差值对应标准工作曲线，得出待测物溶液绝对浓度。
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公开(公告)号：CN106226361A
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201610794841.3
申请日：2016-08-31
申请人： 中国电子科技集团公司第四十九研究所
IPC分类号： G01N27/12
摘要： 一种新型微热板式气体敏感元件，涉及气体传感器，目的是为了解决现有的微热板式气体传感器存在敏感材料容易脱落以及器件整体尺寸较大的问题。上述气体敏感元件从下向上依次为：氮化硅层、二氧化硅层、硅片和二氧化硅层构成的基底、第一绝缘钝化层和第二绝缘钝化层。基底上开有通透的中空硅杯，第一绝缘钝化层内嵌有敏感膜引出电极，该电极位于中空硅杯的底面，其下表面镀有气体敏感膜，加热电阻和测温电阻嵌在第二绝缘钝化层内，该钝化层的上表面设有加热电阻焊盘、测温电阻焊盘和敏感膜引出电极焊盘，每个焊盘上表面均设置有芯片凸点。中空硅杯使得气体敏感膜不易脱落，并且不需要额外安装保护罩，降低了整体尺寸。
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公开(公告)号：CN105548285A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201511008980.0
申请日：2015-12-28
申请人： 中国电子科技集团公司第四十九研究所
IPC分类号： G01N27/22
摘要： 一种采用插指微结构电容式薄冰传感器测量薄冰的方法，涉及传感器技术领域。本发明是现有结冰传感器尺寸大，难于安装，并且检测灵敏度差、准确性差的问题。本发明由控制器接收数据，判断参考电容的数据是否等于结冰测量电容的数据，如果是，飞机表面没有结冰，如果否，判断结冰测量电容是否等于参考电容的2～78倍，如果是，飞机表面结冰，如果否，将该结冰数据与温度数据和湿度数据进行比较，判断该结冰数据是否满足湿度数据为70％的湿度以上或者满足温度在0℃以下，如果是飞机表面结冰，如果否，飞机表面没有结冰。它用于安装在飞机表面测量结冰。
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公开(公告)号：CN104592756A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201510069712.3
申请日：2015-02-10
申请人： 中国电子科技集团公司第四十九研究所
CPC分类号： C08L79/08 , C08G73/1007 , C08G73/1071 , G01N27/225
摘要： 一种聚酰亚胺湿敏材料及其制备方法，本发明涉及湿敏材料及其制备方法。本发明要解决现有的聚酰亚胺湿敏材料湿滞以及非线性输出大，且聚酰亚胺湿敏材料前躯体聚酰胺酸对水汽敏感、耐水解性差及容易发生降解的问题。材料是由二酐、二胺、醇类试剂、N,N'-二异丙基碳二亚胺缩合剂及强极性非质子化溶剂制备而成；方法：将二酐加入到醇类试剂中反应，然后置于冰水浴中，将二胺及N,N'-二异丙基碳二亚胺缩合剂分别溶于强极性非质子化溶剂中，得到混合物A及混合物B，在冰水浴中，将混合物A及混合物B分别加入反应体系中，将产物清洗，过滤，干燥，并溶于强极性非质子化溶剂中，最后固化。本发明主要用于聚酰亚胺湿敏材料及其制备。
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公开(公告)号：CN102890106A
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN201210427615.3
申请日：2012-10-31
申请人： 中国电子科技集团公司第四十九研究所
IPC分类号： G01N27/22
摘要： 具有微米网格状多孔电极的电容式高分子湿度传感器及其制作方法，涉及一种电容式高分子湿度传感器及其制作方法。为了解决目前尺寸不增加的电容式高分子湿度传感器可靠性差的问题。所述传感器包括衬底、下电极、电介质层和上电极；上电极为微米网格状多孔电极，多孔为阵列式排布的通透孔，下电极包括过渡的金属薄层和金薄膜。本发明的制作方法用与高分子湿敏材料相兼容的方法，在高分子湿敏材料形成的电介质层上形成阵列式排布的整体厚度为0.5～1μm的带有网格状多孔的金属薄膜，网格状多孔的孔隙和线条宽度在微米数量级；并在厚度为0.5～1μm的金属薄膜的焊盘位置上焊接引线。本发明用于检测湿度的传感器。
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公开(公告)号：CN109613086A
公开(公告)日：2019-04-12
申请号：CN201811525828.3
申请日：2018-12-13
申请人： 中国电子科技集团公司第四十九研究所
IPC分类号： G01N27/30
摘要： 气体敏感芯片及其制备方法，涉及气体传感器领域。本发明是为了解决现有气体敏感芯片在筛选、传递和测试过程中，容易被损坏，进而导致成品率低的问题。本发明所述的气体敏感芯片，气体敏感单元的基底上沿三条连续的边留有宽度相同的基底键合区，透气封盖为一侧开口的长方体盖状结构，透气封盖顶部开有电气引出口、且透气封盖顶部的中心位置还开有透气孔，透气封盖的底部盖沿构成封盖键合区，透气封盖盖合在气体敏感单元上方，基底键合区与封盖键合区相互对应并实现键合连接，使得透气封盖中心与基底的中心正对、且气体敏感单元上的所有焊盘均位于电气引出口的下方。
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