公开(公告)号：CN119108888A

公开(公告)日：2024-12-10

申请号：CN202411151480.1

申请日：2024-08-21

Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院)

Inventor： 王开阳 ,  尹浈 ,  唐海军 ,  张旭东 ,  沙新博 ,  王文超

IPC: H01S3/108 ,  H01S3/23 ,  B82Y40/00 ,  B82Y20/00

Abstract: 本发明公开了一种利用散射体耦合倏逝波出射制备钙钛矿纳米激光器阵列的方法，涉及光学器件的技术领域。本发明所述方法包括以下步骤：(1)制备MAPbBr3钙钛矿微盘；(2)制备散射体阵列结构；(3)将MAPbBr3钙钛矿微盘转移到散射体阵列结构上，完成样品组装；(4)设计散射体阵列结构，使用波长为400nm的飞秒光泵浦，制备得到钙钛矿纳米激光器阵列。本发明解决了传统激光器阵列单个谐振腔的品质因子和集成度间的矛盾，在一整个腔上，通过利用与腔表面倏逝波耦合输出的散射效应，使得周期性排布的散射体输出辐射基本一致的激光，从而使得钙钛矿纳米激光器阵列具有更高的集成度和更均匀的辐射。

公开(公告)号：CN118192101A

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202410169494.X

申请日：2024-02-06

Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院)

Inventor： 肖淑敏 ,  沙新博 ,  刘奇 ,  曾益轩 ,  宋清海

IPC: G02F1/01 ,  G02F1/00 ,  G03F7/00 ,  C23C14/06 ,  C23C14/24 ,  C23C14/30 ,  C23C14/04 ,  C23C14/18 ,  C23C14/58 ,  B05D7/24

Abstract: 本发明涉及一种圆二色性切换器件及其制备方法。所述圆二色性切换器件包括依次设置的衬底、隔离层、相变膜层及保护层，所述隔离层内镶嵌有若干呈周期性阵列排布的硅结构单元，所述硅结构单元包括两个对称设置的硅柱，所述硅柱的一端与所述衬底的上表面相接，所述硅柱与所述衬底的上表面之间的夹角小于90°，所述硅柱的纵向高度小于所述隔离层的厚度，所述相变膜层的材质为硫系相变材料。本发明通过将非易失的低损耗硫系相变材料与手性BIC相结合，得到较高圆偏度的圆偏光，同时可以实现圆二色性的快速稳定切换。