一种固体氧化物电池连接体保护涂层及其制备方法

    公开(公告)号:CN117374312A

    公开(公告)日:2024-01-09

    申请号:CN202311132559.5

    申请日:2023-09-01

    Inventor: 陶有堃 刘涛

    Abstract: 本发明公开一种固体氧化物电池连接体保护涂层及其制备方法,所述固体氧化物电池连接体保护涂层,包括层叠设置的第一涂层和第二涂层;所述第一涂层包括尖晶石、稀土化合物;所述第二涂层包括尖晶石、烧结助剂。本发明基于Cr离子和O离子的迁移特点,提供一种具有两层结构的固体氧化物电池连接体的保护涂层,其中第一涂层作为与固体氧化物电池连接体接触的内层,起到限制Cr和Fe向外扩散的作用,具有阻Cr和阻Fe功能。第二涂层作为外界接触的外层,起到限制O向内扩散的作用,具有阻O功能,最大限度的使高电阻Cr2O3层的生长速率得到降低,有效改善尖晶石涂层高温抗氧化性能。

    水平梯度结晶法制备单晶生长用碲铟铅多晶料的方法

    公开(公告)号:CN119121391B

    公开(公告)日:2025-04-08

    申请号:CN202411254058.9

    申请日:2024-09-09

    Abstract: 水平梯度结晶法制备单晶生长用碲铟铅多晶料的方法,它涉及碲铟铅多晶料的制备方法。它是要解决现有PIT单晶体开裂严重、光学吸收强的技术问题。本方法:称取Pb源、In源、Te源和In2Te3原料放在一个坩埚中,将提供气氛压力的Te放在另一个坩埚中,再将两个坩埚置于石英管两端,充入惰性气体后熔封;将石英管放入双温区水平管式炉中,原料坩埚放在高温区,另一坩埚放在低温区,经过反应阶段、均质化阶段、梯度结晶阶段和降温阶段,得到碲铟铅多晶料。用该多晶料生长单晶,厚度为4.385mm并双面抛光的晶片在2.09μm处光学吸收小于0.17cm‑1,可借助激光器泵浦输出中远红外激光,用于工业、医疗和能源领域。

    一种考虑空间热损失的热扩散率测量方法

    公开(公告)号:CN118914270B

    公开(公告)日:2025-02-14

    申请号:CN202410956519.0

    申请日:2024-07-17

    Abstract: 本发明属于红外热波技术领域,提供一种考虑空间热损失的热扩散率测量方法,进而可以测量出十分精确的材料热扩散系数。本发明包括以下步骤:步骤S1:将待测样品试件前表面与光源发射器保持统一水平位置,使得光源发射器发出的调制热光源能够完全照射到待测样品试件前表面;步骤S2:通过光源发射器设置具有不同调制频率的调制信号,分别对待测样品的前表面施加不同调制频率的热激励,使得样品在其内部产生热扩散并在表面产生热辐射;步骤S3:利用红外热像仪采集并记录样品试件上表面在不同调制频率下的温度场数据;步骤S4:建立热学模型;步骤S5:提取温度响应相位和振幅深度信息,得到不同调制频率下的随深度变化的温度场数据分布结果。

    一种减少重力影响生长低光学吸收高均匀性碲铟铅单晶的方法

    公开(公告)号:CN119121407A

    公开(公告)日:2024-12-13

    申请号:CN202411254059.3

    申请日:2024-09-09

    Abstract: 一种减少重力影响生长低光学吸收高均匀性碲铟铅单晶的方法,它涉及碲铟铅单晶的生长方法。它是要解决现有的PIT晶体生长方法存在晶体开裂严重、光学吸收强、晶体内部元素分布不均匀的问题。本方法:将Pb源、In源和Te源和额外的In2Te3置于圆筒状坩埚中,再向石英管中加入单质Te后熔融密封;将石英管放入倾斜单温区管式炉中反应,得到PIT多晶,再将多晶料装入带有籽晶阱的热解氮化硼坩埚内并放入石英管中真空密封;在多温区水平晶体生长炉中进行单晶生长,得到PIT单晶体。切成的6mm厚双面抛光晶片在2~3μm波段内透过率接近60%,在2.09μm处光学吸收小于0.11cm‑1,可用于工业、医疗和能源领域。

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