一种基于相变材料的相位梯度超表面型片上集成光开关

    公开(公告)号:CN119471902A

    公开(公告)日:2025-02-18

    申请号:CN202411209226.2

    申请日:2024-08-30

    Abstract: 一种基于相变材料的相位梯度超表面型片上集成光开关,本发明是要解决现有片上集成光调制器存在尺寸偏大、集成度较低、功能单一、无记忆特性等不足的问题。本发明基于相变材料的相位梯度超表面型片上集成光开关中的Si单模光波导设置在SiO2衬底上,在Si单模光波导的上表面沉积图案化的GST材料的微纳结构单元,形成GST结构阵列,GST结构阵列由多个等间距设置的微纳结构单元组成,多个微纳结构单元呈一维阵列结构。本发明所述的光开关是将相变材料与现有光子芯片平台进行异质集成,通过控制GST结构阵列的相变,基于波导边界微扰来实现对光学信号的高效调制,同时兼容高性能和高集成度的显著优势。

    适用于曲面原子层沉积设备的均匀加热装置

    公开(公告)号:CN119307892A

    公开(公告)日:2025-01-14

    申请号:CN202411459982.0

    申请日:2024-10-18

    Abstract: 适用于曲面原子层沉积设备的均匀加热装置,本发明是为了解决传统原子层沉积技术仅适用于平面衬底,在曲面上进行原子层沉积存在衬底加热不均的问题。本发明均匀加热装置中的导热球壳为半球壳体并设置有热电偶,加热丝螺旋盘绕在导热球壳的外壳表面形成加热体,保温球壳由竖直管体与半球壳组成,竖直管体设置在半球壳的外壳中心处形成一体结构,加热体套设在保温球壳内,舱盖上开有通孔,保温球壳的竖直管体插入通孔内,通过调节卡扣卡夹住竖直管体。应用该均匀加热装置到曲面原子层沉积设备上,在衬底上制备TiO2薄膜,验证了加热的均匀性。本发明均匀加热装置实现了衬底各个区域温差在10℃以内,保证了原子层沉积用于曲面镀膜时的均匀性。

    用于同步调控氧化钒薄膜光频介电特性和相变温度的方法

    公开(公告)号:CN119121130A

    公开(公告)日:2024-12-13

    申请号:CN202411209224.3

    申请日:2024-08-30

    Abstract: 用于同步调控氧化钒薄膜光频介电特性和相变温度的方法,本发明要解决利用磁控溅射技制备VO2薄膜工艺中VOx混杂相的成分对氧气流量十分敏感,VO2薄膜制备工艺的稳定性不佳的技术问题。调控方法:一、超声清洗基底;二、清洗金属靶材;三、V金属靶材与直流电源相连,W金属靶材与射频电源相连;四、抽真空;五、加热基底;六、起辉;七、对靶材进行预溅射处理;八、控制氧气流量使镀膜状态处于中毒模式下进行薄膜沉积;九、降温;十、置于退火炉内抽真空;十一、退火处理。本发明通过引入W原子在调控VO2的晶体结构和能带结构的同时,充分利用W和V元素电负性以及原子半径的差异,实现了微观电子极化响应和光频介电特性的同步调控。

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