公开(公告)号：CN119471902A

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN202411209226.2

申请日：2024-08-30

Applicant: 哈尔滨工业大学 ,  哈工大郑州研究院

Inventor： 李坤 ,  高岗 ,  朱嘉琦 ,  吴彬 ,  段超 ,  黄易 ,  秦宇婕

IPC: G02B6/122

Abstract: 一种基于相变材料的相位梯度超表面型片上集成光开关，本发明是要解决现有片上集成光调制器存在尺寸偏大、集成度较低、功能单一、无记忆特性等不足的问题。本发明基于相变材料的相位梯度超表面型片上集成光开关中的Si单模光波导设置在SiO2衬底上，在Si单模光波导的上表面沉积图案化的GST材料的微纳结构单元，形成GST结构阵列，GST结构阵列由多个等间距设置的微纳结构单元组成，多个微纳结构单元呈一维阵列结构。本发明所述的光开关是将相变材料与现有光子芯片平台进行异质集成，通过控制GST结构阵列的相变，基于波导边界微扰来实现对光学信号的高效调制，同时兼容高性能和高集成度的显著优势。

公开(公告)号：CN119121130A

公开(公告)日：2024-12-13

申请号：CN202411209224.3

申请日：2024-08-30

Applicant: 哈尔滨工业大学 ,  哈工大郑州研究院

Inventor： 李坤 ,  高岗 ,  朱嘉琦 ,  吴彬 ,  段超 ,  黄易 ,  秦宇婕

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/35 ,  C23C14/54 ,  C23C14/58

Abstract: 用于同步调控氧化钒薄膜光频介电特性和相变温度的方法，本发明要解决利用磁控溅射技制备VO2薄膜工艺中VOx混杂相的成分对氧气流量十分敏感，VO2薄膜制备工艺的稳定性不佳的技术问题。调控方法：一、超声清洗基底；二、清洗金属靶材；三、V金属靶材与直流电源相连，W金属靶材与射频电源相连；四、抽真空；五、加热基底；六、起辉；七、对靶材进行预溅射处理；八、控制氧气流量使镀膜状态处于中毒模式下进行薄膜沉积；九、降温；十、置于退火炉内抽真空；十一、退火处理。本发明通过引入W原子在调控VO2的晶体结构和能带结构的同时，充分利用W和V元素电负性以及原子半径的差异，实现了微观电子极化响应和光频介电特性的同步调控。