基于幂权Fourier变换的ISAR成像方法

    公开(公告)号:CN108535726A

    公开(公告)日:2018-09-14

    申请号:CN201810348697.X

    申请日:2018-04-18

    Abstract: 本发明提出了一种基于幂权Fourier变换的ISAR成像方法,适用于处理雷达信号的幂权Fourier变换(PWFT),并提供了该技术在ISAR成像中的应用,包括以下步骤:S1、构造二维回波数据矩阵;S2、进行幂权Fourier变换距离压缩;S3、进行距离像互相关处理;S4、估计目标径向运动参数;S5、构建平动补偿因子;S6、进行平动补偿;S7、进行幂权Fourier变换距离和方位压缩实现成像。本发明的有益效果是:一方面可以减小距离对准误差以提高参数估计精度,另一方面可以提高图像的聚焦性,此外,可以有效解决ISAR成像模糊问题的同时,只引入非常小的计算复杂度。

    基于分数阶Fourier变换的对称累积互相关参数估计方法

    公开(公告)号:CN107607949A

    公开(公告)日:2018-01-19

    申请号:CN201710859000.0

    申请日:2017-09-21

    Abstract: 本发明提供了一种基于分数阶Fourier变换的对称累积互相关参数估计方法,包括以下步骤:步骤1:由目标的基带回波信号构造离散的数据矩阵 ,为距离向采样数或子脉冲个数,为方位向采样数即回波次数;步骤2:利用优化迭代搜索方案,以精度 为迭代指标,按列寻找 对应的匹配阶数 ;步骤3:对回波数据 按列进行 阶FrFT距离压缩,得到各次回波的一维距离像;步骤4:选择合适的对称累积个数,对各一维距离像进行对称累积互相关处理,得到 个对称累积互相关函数 。本发明的有益效果是:(1)距离对准误差小;(2)相位累积误差小,抑制交叉项效果好;(3)优化了计算复杂度。

    一种用甲基丙烯酰氧基倍半硅氧烷改性的沙漠地带护肤剂

    公开(公告)号:CN102133156A

    公开(公告)日:2011-07-27

    申请号:CN201010100547.0

    申请日:2010-01-25

    Inventor: 胡立江 韩春 韩啸

    Abstract: 一种用甲基丙烯酰氧基倍半硅氧烷改性的沙漠地带护肤剂,是按下述原料配比及方法制得:1.利用溶胶-凝胶法水解缩合γ-(甲基丙烯酰氧)丙基三甲氧基硅烷(MPMS)与钛酸四丁酯的混合物。合成条件:溶剂与前驱体的摩尔比3∶1、水与前驱体的摩尔比3∶1、前驱体与催化剂的摩尔比50∶1。反应条件:35℃水浴7大,前3天密封,后两天封闭,最后使反应在完全敞开下进行至粘稠。2.通过25组单因素实验以及正交试验,确定POSS聚合物的最佳制备工艺。其合成条件为:时间4小时,温度80℃,乳化剂4.0g,引发剂0.08g,蒸馏水140ml,单体5ml,POSS与单体比例1∶8。该种护肤剂具有驱蚊,防紫外线辐射,热稳定性高等优异性能。

    一种基于云边协同的流数据处理系统、方法及应用

    公开(公告)号:CN117215598A

    公开(公告)日:2023-12-12

    申请号:CN202311186539.6

    申请日:2023-09-14

    Abstract: 本发明公开了一种基于云边协同的流数据处理系统、方法及应用,涉及边缘计算技术领域。本发明的技术要点包括:首先,通过分割把一个完整的有向无环图分为云端和边缘端两个部分,并利用吞吐量预测算法实现吞吐量最大化;然后,利用深度强化学习算法实现边缘端和云端不同策略的算子部署。本发明在吞吐量预测上可以准确预测在不同元组大小和不同CPU核数下的算子吞吐量;且无论是云端模型还是边缘端模型,相比Flink原生算法吞吐量都有提升;在算子部署上,在不同的任务和带宽下,本发明能够充分利用云边带宽和DAG之间的关系,获得更大的吞吐量和更低的延迟,并且在云边带宽发生变化的情况下动态更改部署方案,取得更优的部署效果。

    高温碳化硅MOSFET驱动电路
    10.
    发明授权

    公开(公告)号:CN105391276B

    公开(公告)日:2018-01-30

    申请号:CN201510968875.5

    申请日:2015-12-21

    Abstract: 高温碳化硅MOSFET驱动电路,属于高温电力电子领域,本发明为解决作为信号发生源的耐高温芯片的最大供电电压一般小于18V,则其输出的PWM信号的高电平也小于18V,不满足驱动信号的高电平应为18V的问题。本发明以耐高温200℃的NPN三极管2N2222、PNP三极管2N2907、稳压芯片TPS76901、1N53XX系列稳压管、定时器芯片CHT‑555为基础,设计出一个耐高温200℃的碳化硅MOSFET驱动电路,该驱动电路能够将CHT‑555定时器产生的0‑5V方波信号放大成低电平为‑5V、高电平为18V的碳化硅MOSFET驱动信号,放大后的驱动信号的上升时间和下降时间均小于80ns。

Patent Agency Ranking