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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101220454A
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：CN200810063860.4
申请日：2008-01-16
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种表面抗菌、耐磨的金属/陶瓷纳米多层膜的制备方法，它涉及一种纳米多层膜的制备方法。本发明解决了制备整体抗菌材料成本高、难度高，而表面处理的抗菌材料耐磨性差的问题。本方法如下：采用磁控溅射法，本底真空度为10－4～10－2Pa；在氩气与氮气、乙炔或甲烷三种气体中的一种的气体流量比为2～17∶1，总气压为0.1～1.0Pa，磁控溅射电流为0.2～50A，电压为300～600V，基体偏压为－50～－400V，沉积温度为80℃～400℃的条件下，对对靶进行溅射。本发明制备的纳米陶瓷/金属多层膜的耐磨性能好，抗菌率在95％以上。本发明没有污染，成本低，易于实现，具有良好的工业应用前景。
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公开(公告)号：CN1632168A
公开(公告)日：2005-06-29
申请号：CN200410044176.3
申请日：2004-12-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种提高镁合金耐蚀性的复合处理方法，它涉及一种提高镁合金耐蚀性的处理方法，特别涉及一种提高镁合金耐蚀性的等离子体浸没离子注入方法。本发明按照下述步骤进行：首先对镁合金进行化学氧化，将镁合金浸入pH值为4～5的氧化溶液中，在温度为80～90℃的条件下浸泡10～20分钟，获得镁合金氧化膜；然后采用离子注入的方法对镁合金氧化膜表面进行强化，注入参数为：注入电压20～60kV、注入剂量为(1～5)×1017ions/cm2。本发明具有如下优点：(1)工艺简单，成本低，无污染，易于实现；(2)工作温度低，工件尺寸不发生变化；(3)膜层与基体的粘接性好；(4)膜层致密性好，能提高镁合金表面的耐蚀性。
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公开(公告)号：CN100336937C
公开(公告)日：2007-09-12
申请号：CN200410044176.3
申请日：2004-12-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种提高镁合金耐蚀性的复合处理方法，它涉及一种提高镁合金耐蚀性的处理方法，特别涉及一种提高镁合金耐蚀性的等离子体浸没离子注入方法。本发明按照下述步骤进行：首先对镁合金进行化学氧化，将镁合金浸入pH值为4～5的氧化溶液中，在温度为80～90℃的条件下浸泡10～20分钟，获得镁合金氧化膜；然后采用离子注入的方法对镁合金氧化膜表面进行强化，注入参数为：注入电压20～60kV、注入剂量为(1～5)×1017ions/cm2。本发明具有如下优点：(1)工艺简单，成本低，无污染，易于实现；(2)工作温度低，工件尺寸不发生变化；(3)膜层与基体的粘接性好；(4)膜层致密性好，能提高镁合金表面的耐蚀性。
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公开(公告)号：CN101705468A
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200910308258.7
申请日：2009-10-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 缓释型骨架式TiN/Cu-Zn金属层抗菌薄膜的制备方法，本发明涉及一种抗菌膜的制备方法。本发明解决了现有方法制备的抗菌膜抗菌效果持久性差的问题。本方法如下：一、将基体放入真空室靶台上，然后加热至200℃，再溅射清洗20min；二、在氩气流量为6sccm、氮气流量为2sccm、沉积气压为0.56Pa、基体沉积偏压为复合偏压的条件下转动真空室的靶台，在基体表面交替沉积TiN层和金属层，至膜层总厚度为0.1μm～10μm，得到缓释型骨架式TiN/Cu-Zn金属层抗菌薄膜。本发明所得的缓释型骨架式TiN/Cu-Zn金属层抗菌薄膜经过三个月浸泡后离子溶出速度没有下降，并且对大肠杆菌的抗菌率仍能达到97％以上。
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公开(公告)号：CN101220454B
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN200810063860.4
申请日：2008-01-16
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种表面抗菌、耐磨的金属/陶瓷纳米多层膜的制备方法，它涉及一种纳米多层膜的制备方法。本发明解决了制备整体抗菌材料成本高、难度高，而表面处理的抗菌材料耐磨性差的问题。本方法如下：采用磁控溅射法，本底真空度为10-4～10-2Pa；在氩气与氮气、乙炔或甲烷三种气体中的一种的气体流量比为2～17∶1，总气压为0.1～1.0Pa，磁控溅射电流为0.2～50A，电压为300～600V，基体偏压为-50～-400V，沉积温度为80℃～400℃的条件下，对对靶进行溅射。本发明制备的纳米陶瓷/金属多层膜的耐磨性能好，抗菌率在95％以上。本发明没有污染，成本低，易于实现，具有良好的工业应用前景。
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