公开(公告)号：CN102053489A

公开(公告)日：2011-05-11

申请号：CN201010533159.1

申请日：2010-11-05

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 金鹏 ,  刘楠 ,  王冠雄 ,  谭久彬

IPC: G03F7/00 ,  G03F7/027 ,  B81C1/00

Abstract: 基于硫醇-烯的连续浮雕微光学元件高精度紫外压印方法属于微光学元件制造领域。在传统连续浮雕结构微光学元件紫外压印工艺中，使用硫醇-烯类紫外光引发高分子材料作为抗蚀剂使用，通过调节压印压力、控制残胶层厚度的方法使抗蚀剂固化产生的收缩应力通过流体流动的方式得以弛豫，使连续浮雕结构微光学元件的收缩误差降低至3％以下，残胶层厚度为500-1000nm。该方法具有复制收缩误差小、刻蚀选择性优良等特点，可实现连续浮雕结构微光学元件向石英玻璃基底的图形传递。

公开(公告)号：CN102053489B

公开(公告)日：2012-12-26

申请号：CN201010533159.1

申请日：2010-11-05

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 金鹏 ,  刘楠 ,  王冠雄 ,  谭久彬

IPC: G03F7/00 ,  G03F7/027 ,  B81C1/00

Abstract: 基于硫醇-烯的连续浮雕微光学元件高精度紫外压印方法属于微光学元件制造领域。在传统连续浮雕结构微光学元件紫外压印工艺中，使用硫醇-烯类紫外光引发高分子材料作为抗蚀剂使用，通过调节压印压力、控制残胶层厚度的方法使抗蚀剂固化产生的收缩应力通过流体流动的方式得以弛豫，使连续浮雕结构微光学元件的收缩误差降低至3％以下，残胶层厚度为500-1000nm。该方法具有复制收缩误差小、刻蚀选择性优良等特点，可实现连续浮雕结构微光学元件向石英玻璃基底的图形传递。