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公开(公告)号：CN112981299A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202110177344.X
申请日：2021-02-07
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种利用热等离子体在金刚石表面制备高结合强度碳化物涂层的方法，涉及一种在金刚石表面制备涂层的方法。目的在于解决现有方法在金刚石表面制备的碳化物涂层存在碳化物涂层不均匀致密、厚度难调控、结合强度低的问题。方法：称取一定质量的具有金属镀层的金刚石粉，清洗与干燥，将金刚石粉输送至热等离子体反应器中进行热等离子体处理。本发明利用热等离子体作为高温热源能够在金刚石表面生成致密的碳化物涂层，抑制了金刚石表层的石墨化倾向，涂层覆盖率大于95％，可以通过对金属镀层厚度的控制实现对碳化物涂层厚度的调控。本发明适用于在金刚石表面制备碳化物涂层。
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公开(公告)号：CN107652601B
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN201711065757.9
申请日：2017-11-02
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种包含低损伤且定向排列的SiC纳米线的复合材料薄片的制备方法，涉及一种SiC纳米线的薄片的制备方法。本发明为解决目前层状复合材料的制备过程中SiC纳米线断裂严重、SiC纳米线因比表面积高而导致SiC纳米线极易团聚，难以在浆料中均匀分散的问题。方法：一、称料；二、SiC纳米线预分散；三、SiC纳米线低损伤球磨分散；四、除气处理；五、流延成型；六、干燥。本发明方法给出了一种制备低损伤、定向排列的SiC纳米线的薄片的方法，该方法工艺简单，SiC纳米线沿流延成型方向排列，能够解决SiC纳米线极易团聚的问题，对SiC纳米线损伤较小。本发明适用于制备SiC纳米线薄片。
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公开(公告)号：CN112974797B
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202110177333.1
申请日：2021-02-07
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种利用微波在金刚石表面制备高结合强度碳化物涂层的方法，涉及一种金刚石表面制备涂层的方法。目的是解决现有方法在金刚石表面制备的碳化物涂层存在不均匀、厚度难调控、结合强度低的问题。方法：称取具有金属镀层的金刚石粉；将金刚石粉超声振荡处理，干燥，将金刚石粉在保护气氛下进行微波处理，然后随炉冷却至室温，得到表面包覆碳化物涂层的金刚石粉，清洗后烘干，即完成。本发明利用微波对镀金属镀层的金刚石进行处理，在短时间内生成了致密的碳化物涂层，碳化物涂层与金刚石基体间为牢固的化学键合结合，避免了金刚石的石墨化，工艺简单，节能环保，降低了涂覆成本，适用范围广，易于实现产业化生产及应用。本发明适用于在金刚石表面制备涂层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112935249B
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202110186963.5
申请日：2021-02-07
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种金刚石/金属基复合材料的高效制备方法，涉及一种金刚石/金属基复合材料的制备方法。为了解决现有金刚石表面制备碳化物涂层的方法能量损耗大、金刚石易发生石墨化和工艺复杂的问题。称取具有金属镀层的金刚石粉装填于石墨模具中，振实，进行低温扩散处理和高温反应处理，气压浸渗。本发明通过改变预热温度曲线，对金刚石进行低温长时间扩散和高温短时间反应的处理，高温短时间反应避免了金刚石发生石墨化，在复合材料制备过程中在金刚石表面原位合成了一层致密的碳化物涂层，减少了能量损耗，工艺简单、效率高、产品质量和稳定性易把控、成本低、易于实现产业化生产及应用。本发明适用于制备金刚石/金属基复合材料。
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公开(公告)号：CN107652601A
公开(公告)日：2018-02-02
申请号：CN201711065757.9
申请日：2017-11-02
Applicant: 哈尔滨工业大学
CPC classification number: C08J5/18 , C08J2329/04 , C08K3/34 , C08K7/00 , C08K2201/011
Abstract: 一种包含低损伤且定向排列的SiC纳米线的复合材料薄片的制备方法，涉及一种SiC纳米线的薄片的制备方法。本发明为解决目前层状复合材料的制备过程中SiC纳米线断裂严重、SiC纳米线因比表面积高而导致SiC纳米线极易团聚，难以在浆料中均匀分散的问题。方法：一、称料；二、SiC纳米线预分散；三、SiC纳米线低损伤球磨分散；四、除气处理；五、流延成型；六、干燥。本发明方法给出了一种制备低损伤、定向排列的SiC纳米线的薄片的方法，该方法工艺简单，SiC纳米线沿流延成型方向排列，能够解决SiC纳米线极易团聚的问题，对SiC纳米线损伤较小。本发明适用于制备SiC纳米线薄片。
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公开(公告)号：CN112981299B
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202110177344.X
申请日：2021-02-07
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种利用热等离子体在金刚石表面制备高结合强度碳化物涂层的方法，涉及一种在金刚石表面制备涂层的方法。目的在于解决现有方法在金刚石表面制备的碳化物涂层存在碳化物涂层不均匀致密、厚度难调控、结合强度低的问题。方法：称取一定质量的具有金属镀层的金刚石粉，清洗与干燥，将金刚石粉输送至热等离子体反应器中进行热等离子体处理。本发明利用热等离子体作为高温热源能够在金刚石表面生成致密的碳化物涂层，抑制了金刚石表层的石墨化倾向，涂层覆盖率大于95％，可以通过对金属镀层厚度的控制实现对碳化物涂层厚度的调控。本发明适用于在金刚石表面制备碳化物涂层。
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公开(公告)号：CN112974797A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202110177333.1
申请日：2021-02-07
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种利用微波在金刚石表面制备高结合强度碳化物涂层的方法，涉及一种金刚石表面制备涂层的方法。目的是解决现有方法在金刚石表面制备的碳化物涂层存在不均匀、厚度难调控、结合强度低的问题。方法：称取具有金属镀层的金刚石粉；将金刚石粉超声振荡处理，干燥，将金刚石粉在保护气氛下进行微波处理，然后随炉冷却至室温，得到表面包覆碳化物涂层的金刚石粉，清洗后烘干，即完成。本发明利用微波对镀金属镀层的金刚石进行处理，在短时间内生成了致密的碳化物涂层，碳化物涂层与金刚石基体间为牢固的化学键合结合，避免了金刚石的石墨化，工艺简单，节能环保，降低了涂覆成本，适用范围广，易于实现产业化生产及应用。本发明适用于在金刚石表面制备涂层。
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公开(公告)号：CN112935249A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202110186963.5
申请日：2021-02-07
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种金刚石/金属基复合材料的高效制备方法，涉及一种金刚石/金属基复合材料的制备方法。为了解决现有金刚石表面制备碳化物涂层的方法能量损耗大、金刚石易发生石墨化和工艺复杂的问题。称取具有金属镀层的金刚石粉装填于石墨模具中，振实，进行低温扩散处理和高温反应处理，气压浸渗。本发明通过改变预热温度曲线，对金刚石进行低温长时间扩散和高温短时间反应的处理，高温短时间反应避免了金刚石发生石墨化，在复合材料制备过程中在金刚石表面原位合成了一层致密的碳化物涂层，减少了能量损耗，工艺简单、效率高、产品质量和稳定性易把控、成本低、易于实现产业化生产及应用。本发明适用于制备金刚石/金属基复合材料。
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