基于热压印技术的金属材料反射式微光学元件加工方法

    公开(公告)号:CN101221359A

    公开(公告)日:2008-07-16

    申请号:CN200810063985.7

    申请日:2008-02-04

    Abstract: 基于热压印技术的金属材料反射式微光学元件加工方法,涉及微光学元件制作技术;该方法制作具有多台阶或连续浮雕结构特征的反射式微光学元件包括以下五个步骤:①应用微细加工技术制备用于热压印的压模;②应用热压印将压模的浮雕结构压印到聚合物薄片上;③在具有表面浮雕结构的聚合物表面蒸镀金属层;④应用电铸技术进行支撑结构加工,材料与蒸镀金属一致;⑤将聚合物剥离。本发明所得到的反射式微光学元件为单一金属材料,在高温等恶劣的工作环境下具有高稳定性,高强度、高硬度、高抗辐射损伤阈值的特点。

    一种胺苯基POSS改性的发光稀土配合物的制备方法

    公开(公告)号:CN102675354A

    公开(公告)日:2012-09-19

    申请号:CN201110056754.5

    申请日:2011-03-10

    Abstract: 一种胺苯基POSS改性的发光稀土配合物,是按下述原料配比及方法制得:1.利用带有一个氨基和七个苯基的笼型倍半硅氧烷(简称AMPOSS)与带有酰氯基团的吡啶类配体反应合成具有酰胺基团的有机-无机杂化配体。合成条件:AMPOSS与吡啶类配体的摩尔比为:1∶1-2∶1,AMPOSS与敷酸剂的摩尔比为1∶3-1∶5,反应在45℃搅拌18h,过滤,蒸干有机溶剂,洗涤后得到POSS改性的杂化配体。2.将上述得到的杂化配体与稀土硝酸盐配合,将其溶解于有机溶剂中,搅拌并回流加热12h,除去有机溶剂,洗涤,得到具有稀土配合物发光特征的POSS改性的有机-无机发光配合物。

    基于热压印技术的金属材料反射式微光学元件加工方法

    公开(公告)号:CN101221359B

    公开(公告)日:2010-10-06

    申请号:CN200810063985.7

    申请日:2008-02-04

    Abstract: 基于热压印技术的金属材料反射式微光学元件加工方法,涉及微光学元件制作技术;该方法制作具有多台阶或连续浮雕结构特征的反射式微光学元件包括以下五个步骤:①应用微细加工技术制备用于热压印的压模;②应用热压印将压模的浮雕结构压印到聚合物薄片上;③在具有表面浮雕结构的聚合物表面蒸镀金属层;④应用电铸技术进行支撑结构加工,材料与蒸镀金属一致;⑤将聚合物剥离。;本发明所得到的反射式微光学元件为单一金属材料,在高温等恶劣的工作环境下具有高稳定性,高强度、高硬度、高抗辐射损伤阈值的特点。

    基于柔性紫外压模的曲面基底多相位微光学元件加工方法

    公开(公告)号:CN101221358A

    公开(公告)日:2008-07-16

    申请号:CN200810063983.8

    申请日:2008-02-04

    Abstract: 基于柔性紫外压模的曲面基底多相位微光学元件加工方法涉及微光学元件制作技术;该方法增加了以聚合物结构为掩模,应用干法刻蚀技术在基片上获得浮雕结构步骤,完成微细结构向硬质基板表面的图形传递,并且在压印步骤中,软压印模在压印过程所外加的预压力作用下发生弹性形变而弯曲成与被加工表面相近的形状,且变形量的大小可通过有限元仿真的方法计算得到,母板制作步骤中的压模母板表面微细结构的形貌与尺寸需要针对该形变量的大小对进行补偿设计,应用该方法可以实现单一材料曲面基底非聚合物硬质光学材料微光学元件的加工制作。

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