公开(公告)号：CN104518054B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201410813122.2

申请日：2014-12-24

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 彭瑞芹 ,  矫淑杰 ,  李洪涛 ,  赵连城

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 一种在硅衬底上变温生长InAs/GaSb超晶格红外探测器GaSb缓冲层的方法，其具体步骤如下：步骤1：取一衬底；步骤2：在衬底上生长AlSb薄层；步骤3：在AlSb薄层上低温生长GaSb薄层；步骤4：停顿5?10min；步骤5：在GaSb薄层上高温生长GaSb缓冲层；步骤6：在GaSb缓冲层上生长外延层；步骤7：对生长结束后材料进行降温处理，完成在硅衬底上生长红外探测材料GaSb缓冲层的制备。本发明通过在较低温度下生长GaSb薄层，可有效限制外延层与衬底由于晶格失配产生的位错，减少高温下生长的GaSb缓冲层中的缺陷密度，提高外延层质量，具有广阔应用前景与技术优势。

公开(公告)号：CN105161551A

公开(公告)日：2015-12-16

申请号：CN201510501380.1

申请日：2015-08-14

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 矫淑杰 ,  彭瑞芹 ,  李洪涛

IPC: H01L31/0236

CPC classification number: Y02E10/50 ,  H01L31/02363

Abstract: 本发明公开了一种可以降低InAs/GaSb超晶格长波红外探测器暗电流的表面钝化方法，其步骤如下：步骤1：取一衬底；步骤2：在衬底上生长GaAs缓冲层；步骤3：在GaAs缓冲层上生长p型GaSb缓冲层；步骤4：在GaSb缓冲层上生长p型InAs/GaSb超晶格层、InAs/GaSb超晶格吸收层、n型InAs/GaSb超晶格层、InAs盖层；步骤5：采用标准光刻工艺技术及感应耦合等离子体刻蚀技术刻蚀露出p型InAs/GaSb超晶格层；步骤6：在p型InAs/GaSb超晶格层和InAs盖层上利用磁控溅射技术沉积合金电极Ti/Pt/Au，并用丙酮溶液进行金属剥离、清洗；步骤7：在剥离、清洗后的基片上，利用感应耦合等离子体化学气相沉技术在75℃下生长SiO2高质量绝缘层薄膜，然后刻蚀露出电极，最后封装、测试。本方法可以减小器件暗电流，提高器件性能。

公开(公告)号：CN104518054A

公开(公告)日：2015-04-15

申请号：CN201410813122.2

申请日：2014-12-24

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 彭瑞芹 ,  矫淑杰 ,  李洪涛 ,  赵连城

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/1852 ,  H01L31/101

Abstract: 一种在硅衬底上变温生长InAs/GaSb超晶格红外探测器GaSb缓冲层的方法，其具体步骤如下：步骤1：取一衬底；步骤2：在衬底上生长AlSb薄层；步骤3：在AlSb薄层上低温生长GaSb薄层；步骤4：停顿5-10min；步骤5：在GaSb薄层上高温生长GaSb缓冲层；步骤6：在GaSb缓冲层上生长外延层；步骤7：对生长结束后材料进行降温处理，完成在硅衬底上生长红外探测材料GaSb缓冲层的制备。本发明通过在较低温度下生长GaSb薄层，可有效限制外延层与衬底由于晶格失配产生的位错，减少高温下生长的GaSb缓冲层中的缺陷密度，提高外延层质量，具有广阔应用前景与技术优势。