一种用于制备金纳米粒子的晶种生长法

    公开(公告)号:CN104551012B

    公开(公告)日:2016-06-15

    申请号:CN201510060993.6

    申请日:2015-02-05

    Abstract: 一种用于制备金纳米粒子的晶种生长法,涉及一种用于制备金纳米粒子的方法。本发明是要解决目前晶种生长法制备大粒径金纳米粒子的原料具有毒性,还原剂引入杂质,制得金纳米粒子单分散性差、形貌不均一的技术问题。本发明:一、金种的制备;二、晶种生长法制备金纳米粒子。本发明的优点:一、本发明制备的金纳米粒子粒径均一,形貌均一为球形,通过改变HAuCl4与金种的比例可以精确控制金纳米粒子粒径大小,制得金纳米粒子标准分散度偏差小于10%,粒子长径比小于1.1;二、本发明在室温下快速反应,且利用H2O2为还原剂,反应完成后可以简单地通过分解反应或煮沸除去,在原有金种基础上不引入新的化学成分,不引入杂质。

    一种光修复水溶热塑性树脂涂层划痕的方法

    公开(公告)号:CN104946050B

    公开(公告)日:2017-06-06

    申请号:CN201510412589.0

    申请日:2015-07-14

    Abstract: 一种光修复水溶热塑性树脂涂层划痕的方法,涉及一种修复树脂涂层划痕的方法。本发明是要解决目前高分子涂层表面划伤后难以修复、影响美观、失去对基体材料保护能力以及埋植型自修复涂层制备复杂、成本高、无法对同一位置多次修复的技术问题。本发明:使用特定频率低功率激光照射光修复水溶热塑性树脂涂层的划痕处;所述的水溶热塑性树脂涂层是按以下步骤制备的:一、金纳米粒子的制备;二、涂层制备。本发明的优点:1、远程可操控性;2、广泛适用性;3、多次修复性;4、本发明用简单的方法大大提高了现有水性漆类材料使用寿命及性能,具有巨大的应用前景。

    一种光修复油性热塑性树脂涂层划痕的方法

    公开(公告)号:CN104987793A

    公开(公告)日:2015-10-21

    申请号:CN201510412586.7

    申请日:2015-07-14

    Abstract: 一种光修复油性热塑性树脂涂层划痕的方法,涉及一种修复树脂涂层划痕的方法。本发明是要解决目前高分子涂层表面划伤后难以修复、影响美观、失去对基体材料保护能力以及埋植型自修复涂层制备复杂、成本高、无法对同一位置多次修复的技术问题。本发明:使用特定频率低功率激光照射光修复油性热塑性树脂涂层的划痕处;所述的油性热塑性树脂涂层是按以下步骤制备的:一、金纳米粒子的制备;二、涂层制备。本发明的优点:1、远程可操控性;2、广泛适用性;3、多次修复性;4、本发明用简单的方法大大提高了现有水性漆类材料使用寿命及性能,具有巨大的应用前景。

    一种光修复油性热塑性树脂涂层划痕的方法

    公开(公告)号:CN104987793B

    公开(公告)日:2017-07-28

    申请号:CN201510412586.7

    申请日:2015-07-14

    Abstract: 一种光修复油性热塑性树脂涂层划痕的方法,涉及一种修复树脂涂层划痕的方法。本发明是要解决目前高分子涂层表面划伤后难以修复、影响美观、失去对基体材料保护能力以及埋植型自修复涂层制备复杂、成本高、无法对同一位置多次修复的技术问题。本发明:使用特定频率低功率激光照射光修复油性热塑性树脂涂层的划痕处;所述的油性热塑性树脂涂层是按以下步骤制备的:一、金纳米粒子的制备;二、涂层制备。本发明的优点:1、远程可操控性;2、广泛适用性;3、多次修复性;4、本发明用简单的方法大大提高了现有水性漆类材料使用寿命及性能,具有巨大的应用前景。

    一种光修复水溶热塑性树脂涂层划痕的方法

    公开(公告)号:CN104946050A

    公开(公告)日:2015-09-30

    申请号:CN201510412589.0

    申请日:2015-07-14

    Abstract: 一种光修复水溶热塑性树脂涂层划痕的方法,涉及一种修复树脂涂层划痕的方法。本发明是要解决目前高分子涂层表面划伤后难以修复、影响美观、失去对基体材料保护能力以及埋植型自修复涂层制备复杂、成本高、无法对同一位置多次修复的技术问题。本发明:使用特定频率低功率激光照射光修复水溶热塑性树脂涂层的划痕处;所述的水溶热塑性树脂涂层是按以下步骤制备的:一、金纳米粒子的制备;二、涂层制备。本发明的优点:1、远程可操控性;2、广泛适用性;3、多次修复性;4、本发明用简单的方法大大提高了现有水性漆类材料使用寿命及性能,具有巨大的应用前景。

    一种用于制备金纳米粒子的晶种生长法

    公开(公告)号:CN104551012A

    公开(公告)日:2015-04-29

    申请号:CN201510060993.6

    申请日:2015-02-05

    Abstract: 一种用于制备金纳米粒子的晶种生长法,涉及一种用于制备金纳米粒子的方法。本发明是要解决目前晶种生长法制备大粒径金纳米粒子的原料具有毒性,还原剂引入杂质,制得金纳米粒子单分散性差、形貌不均一的技术问题。本发明:一、金种的制备;二、晶种生长法制备金纳米粒子。本发明的优点:一、本发明制备的金纳米粒子粒径均一,形貌均一为球形,通过改变HAuCl4与金种的比例可以精确控制金纳米粒子粒径大小,制得金纳米粒子标准分散度偏差小于10%,粒子长径比小于1.1;二、本发明在室温下快速反应,且利用H2O2为还原剂,反应完成后可以简单地通过分解反应或煮沸除去,在原有金种基础上不引入新的化学成分,不引入杂质。

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