一种消除铝锂合金T型接头激光焊接气孔的方法

    公开(公告)号:CN112475602A

    公开(公告)日:2021-03-12

    申请号:CN202011271151.2

    申请日:2020-11-13

    Abstract: 一种消除铝锂合金T型接头激光焊接气孔的方法,它涉及材料加工工程领域。本发明要解决铝锂合金T型接头激光焊接过程中易出现气孔的问题。本发明采用双光束旋转激光焊接头通过内部的镜片模组实现双光束的旋转运动,此旋转运动可包括双光束绕自轴的旋转运动,以及绕公轴的旋转运动。旋转的双光束一定程度上使得匙孔更稳定,相对不易发生闭合。同时双光束的旋转作用避免了匙孔壁的塌陷,从而减少了工艺气孔的形成。双光束旋转激光焊接通过两束激光的高频旋转,可实现对熔滴过渡的主动调控;同时旋转的激光束可以细化晶粒,从而提高铝锂合金T型接头的力学性能。本发明应用于焊接领域。

    一种适用于半导体激光增材制造或熔敷的均匀送粉头

    公开(公告)号:CN105522150B

    公开(公告)日:2017-07-28

    申请号:CN201511029342.7

    申请日:2015-12-30

    CPC classification number: Y02P10/295

    Abstract: 一种适用于半导体激光增材制造或熔敷的均匀送粉头,它涉及一种送粉头。本发明的送粉头包括定位指示灯、粉末输入器、气体输入接头、粉末汇聚腔、转换通道、粉末输送通道、矩形喷嘴、圆盘和送粉管。本发明的技术方案,可以在很大程度上面消除粉末不均匀的现象,即采用其他喷嘴容易出现的粉末中间多两边少的现象,能够使得粉末均匀得从送粉口输出,实现均匀送粉的目的,并且经过粉末输送通道及喷嘴的约束可以实现矩形粉斑的输出。从而使送出的金属粉末的连续性、均匀性、挺度等都得到保证,并且可以与半导体激光器的矩形光斑相匹配。

    一种高Zn轻质高强铝合金的制备方法

    公开(公告)号:CN113430432A

    公开(公告)日:2021-09-24

    申请号:CN202110733033.7

    申请日:2021-06-29

    Abstract: 一种高Zn轻质高强铝合金的制备方法,它涉及材料加工工程领域,本发明基于选区激光熔化的高强度铝合金制备方法,适应选区激光熔化的加工特点,实现铝合金性能的进一步强化。本发明设计一种适用于选区激光熔化技术的Al‑Zn‑Mg‑Zr合金粉末,提出通过将相邻熔道间的搭接率控制在‑5%~5%,在实现有效连接的基础上最大程度的降低Zn的烧损。同时,不同于其他铝合金成形过程中对基板进行预热,本发明提出对基板进行进一步降温,通过在基板底部及侧面通冷却液降温,增大温度梯度,从而进一步增加Zn的过饱和固溶能力。本发明应用于材料加工领域。

    一种多能场辅助单晶高温合金激光修复的方法

    公开(公告)号:CN117144356A

    公开(公告)日:2023-12-01

    申请号:CN202311137210.0

    申请日:2023-09-05

    Abstract: 一种多能场辅助单晶高温合金激光修复的方法,本发明属于激光熔化沉积修复技术领域。本发明要解决现有单晶激光熔化沉积修复的工艺窗口小,限制了单晶的修复高度和质量问题。方法:一、将单晶镍基高温合金置于勾形磁场发生器的中心轴位置,且待修复面与勾形磁场中心面平行;二、设置激光熔化沉积的工艺参数、勾形磁场强度及初始的衬底冷却温度;三、使用同轴送粉激光头在单晶镍基高温合金待修复面进行多次沉积,沉积过程中调节衬底冷却温度。本发明用于多能场辅助单晶高温合金激光修复。

    一种消除铝锂合金T型接头激光焊接气孔的方法

    公开(公告)号:CN112475602B

    公开(公告)日:2022-06-28

    申请号:CN202011271151.2

    申请日:2020-11-13

    Abstract: 一种消除铝锂合金T型接头激光焊接气孔的方法,它涉及材料加工工程领域。本发明要解决铝锂合金T型接头激光焊接过程中易出现气孔的问题。本发明采用双光束旋转激光焊接头通过内部的镜片模组实现双光束的旋转运动,此旋转运动可包括双光束绕自轴的旋转运动,以及绕公轴的旋转运动。旋转的双光束一定程度上使得匙孔更稳定,相对不易发生闭合。同时双光束的旋转作用避免了匙孔壁的塌陷,从而减少了工艺气孔的形成。双光束旋转激光焊接通过两束激光的高频旋转,可实现对熔滴过渡的主动调控;同时旋转的激光束可以细化晶粒,从而提高铝锂合金T型接头的力学性能。本发明应用于焊接领域。

    一种高Zn轻质高强铝合金的制备方法

    公开(公告)号:CN113430432B

    公开(公告)日:2022-03-01

    申请号:CN202110733033.7

    申请日:2021-06-29

    Abstract: 一种高Zn轻质高强铝合金的制备方法,它涉及材料加工工程领域,本发明基于选区激光熔化的高强度铝合金制备方法,适应选区激光熔化的加工特点,实现铝合金性能的进一步强化。本发明设计一种适用于选区激光熔化技术的Al‑Zn‑Mg‑Zr合金粉末,提出通过将相邻熔道间的搭接率控制在‑5%~5%,在实现有效连接的基础上最大程度的降低Zn的烧损。同时,不同于其他铝合金成形过程中对基板进行预热,本发明提出对基板进行进一步降温,通过在基板底部及侧面通冷却液降温,增大温度梯度,从而进一步增加Zn的过饱和固溶能力。本发明应用于材料加工领域。

    一种适用于半导体激光増材制造或熔敷的均匀送粉头

    公开(公告)号:CN105522150A

    公开(公告)日:2016-04-27

    申请号:CN201511029342.7

    申请日:2015-12-30

    CPC classification number: Y02P10/295 B22F3/1055 B22F2003/1056 C23C24/10

    Abstract: 一种适用于半导体激光増材制造或熔敷的均匀送粉头,它涉及一种送粉头。本发明的送粉头包括定位指示灯、粉末输入器、气体输入接头、粉末汇聚腔、转换通道、粉末输送通道、矩形喷嘴、圆盘和送粉管。本发明的技术方案,可以在很大程度上面消除粉末不均匀的现象,即采用其他喷嘴容易出现的粉末中间多两边少的现象,能够使得粉末均匀得从送粉口输出,实现均匀送粉的目的,并且经过粉末输送通道及喷嘴的约束可以实现矩形粉斑的输出。从而使送出的金属粉末的连续性、均匀性、挺度等都得到保证,并且可以与半导体激光器的矩形光斑相匹配。

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