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公开(公告)号：CN120000228A
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202510417479.7
申请日：2025-04-03
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种基于零场原子磁力计的小鼠心磁脑磁测试装置及方法，它涉及心磁脑磁测试领域。本发明解决了现有小鼠心磁脑磁测量装置存在仪器体积大、因小鼠的移动或挣扎导致磁场信号失真，产生运动伪影的问题。本发明的平台(1)的上端面上成对开设有多组工装固定孔位(1‑1)，平台(1)的下端面沿其长度方向的中部开设有多个心磁磁力仪安装孔(1‑2)，心磁磁力仪安装在心磁磁力仪安装孔(1‑2)内，每组工装固定孔位(1‑1)内插装有一个插件(2)，插件(2)上设有一个脑磁磁力仪安装孔(2‑1)和头部安装孔(2‑2)。小鼠心磁信号和脑磁信号同时测试，最大程度降低实验过程中环境磁场变化引入的误差。本发明用于小鼠心磁脑磁测试。
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公开(公告)号：CN113777540B
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202111096679.5
申请日：2021-09-18
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01R33/032
Abstract: 本发明涉及磁场测量技术领域，尤其涉及一种包含磁通聚集器的金刚石NV色心磁力仪，包括：金刚石NV色心薄片样品和至少一个磁通聚集器；磁通聚集器具有两个平行相对的底面，磁通聚集器的底面与金刚石NV色心薄片样品的底面平行设置，磁通聚集器的底面所聚集的磁通线穿过金刚石NV色心薄片样品。本发明将环境磁场放大，可以实现更高灵敏度、更大范围的磁场探测。
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公开(公告)号：CN114114096B
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202111438116.X
申请日：2021-11-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01R33/032
Abstract: 本发明涉及磁场探测技术领域，尤其涉及一种基于磁通聚集器的无微波金刚石NV色心磁力仪，包括光路系统、磁场发生模块、光电转换模块、数据处理模块、金刚石NV色心样品薄片以及一对相同的磁通聚集器；一对磁通聚集器同轴相对间隔设置，金刚石NV色心样品薄片设于一对磁通聚集器的间隙中央；磁场发生模块用于提供稳恒磁场与调制磁场；光路系统用于提供绿色泵浦激光入射至金刚石NV色心薄片样品，以及采集金刚石NV色心薄片样品发出的红色荧光；光电转换模块用于接收红色荧光，将红色荧光转换为电信号并输入数据处理模块；数据处理模块用于基于磁通聚集器的磁场放大倍数及输入的电信号计算待测磁场。本发明可有效减小产生稳恒磁场所需功率。
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公开(公告)号：CN114114096A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111438116.X
申请日：2021-11-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01R33/032
Abstract: 本发明涉及磁场探测技术领域，尤其涉及一种基于磁通聚集器的无微波金刚石NV色心磁力仪，包括光路系统、磁场发生模块、光电转换模块、数据处理模块、金刚石NV色心样品薄片以及一对相同的磁通聚集器；一对磁通聚集器同轴相对间隔设置，金刚石NV色心样品薄片设于一对磁通聚集器的间隙中央；磁场发生模块用于提供稳恒磁场与调制磁场；光路系统用于提供绿色泵浦激光入射至金刚石NV色心薄片样品，以及采集金刚石NV色心薄片样品发出的红色荧光；光电转换模块用于接收红色荧光，将红色荧光转换为电信号并输入数据处理模块；数据处理模块用于基于磁通聚集器的磁场放大倍数及输入的电信号计算待测磁场。本发明可有效减小产生稳恒磁场所需功率。
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公开(公告)号：CN118311357A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410468484.6
申请日：2024-04-18
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01R31/00
Abstract: 一种用于磁屏蔽室构建的坡莫合金材料性能评测方法，它涉及合金屏蔽性能测评。本发明为了解决现有坡莫合金在磁屏蔽室中的屏蔽效果缺乏深入研究，导致无法满足不同应用场景对磁场屏要求的问题。步骤一：选取坡莫合金样品，并对其进行质量检查，以确保符合实验需求；步骤二：搭建实验装置；坡莫合金样品竖直放置，磁场产生线圈和磁场测量传感器分别放置在坡莫合金样品的左右两侧；步骤三：对坡莫合金样品进行屏蔽性能测评；步骤四：根据评估结果，选择最合适的坡莫合金材料，并对磁屏蔽室的结构和参数进行优化，至此，完成了对坡莫合金性能的评测。本发明用于快速、准确地评估坡莫合金在磁屏蔽室中的屏蔽效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118011290A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202410024690.8
申请日：2024-01-08
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01R33/035 , G01R1/04
Abstract: 本发明公开了一种基于超导量子干涉仪的大型零磁装置剩磁测量方法及装置，测量装置包括底座、SQUID安装机构，底座上表面的左右两侧垂直设置有侧面支撑板，底座上可拆卸的安装有内层支撑底座；内层支撑底座上面开设有X、Y轴测量点限位孔，所述内层底板上开设有底板限位孔；所述侧面支撑板和内层侧面支撑板上开设有Z轴测量点限位孔，进行Z轴标定时，通过将支撑承重杆插入对应的Z轴测量点限位孔实现定位。本发明解决SQUID储存在液氦杜瓦内无法倒置导致的不能对Z轴翻转标定，进而不能准确测量Z轴方向磁场的问题。解决SQUID传感器X轴和Y轴零偏误差标定过程中，正向测量和反向180°翻转测量过程中，传感器坐标原点位置不重合引入的零偏标定误差问题。
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公开(公告)号：CN116990726A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202310964598.5
申请日：2023-08-02
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了一种用于零磁装置性能测评的支承定位装置，其特征在于：包括磁屏蔽室地板、滑动支架底座、滑动支架，所述磁屏蔽室地板上开设有4组中心对称的螺纹孔孔位，所述滑动支架底座的四角处设置有支脚，4个支脚固定安装于中心定位安装板上，通过螺栓和螺纹孔孔位将4个中心定位安装板固定在磁屏蔽室地板上，使得4只中心定位安装板中心对称；本支架装置通过中心定位安装板与磁屏蔽室地板上的预留安装孔固定，可以实现将支架装置精确地放置于磁屏蔽室的中心区域。相较于原有方案，有了精确的定位标准；(2)本支架装置可实现传感器的标定和测量一体化功能。
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公开(公告)号：CN117835682B
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202410124541.9
申请日：2024-01-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H05K9/00
Abstract: 一种通过内层套环连接的内嵌连接式磁场屏蔽筒，它涉及元件的磁场屏蔽领域。本发明为了解决现有的长屏蔽筒制造过程中存在材料均匀性难以保持、形状变化难以控制、以及连接不牢固和不紧密，从而导致漏磁的问题。本发明包括基层屏蔽筒，所述基层屏蔽筒包括N个屏蔽筒筒体(1)和N‑1个内层套环(2)，其中，屏蔽筒筒体(1)包括两个端部筒体(1‑1)和多个中部筒体(1‑2)，且端部筒体(1‑1)和中部筒体(1‑2)的壁厚和孔径相同；相邻两个中部筒体(1‑2)的连接处的内侧壁上安装有内层套环(2)，并组成中部筒体单元；中部筒体单元的两端与端部筒体(1‑1)的连接处的内侧壁上安装有内层套环(2)。本发明用于磁场屏蔽。
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公开(公告)号：CN117835683B
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202410124544.2
申请日：2024-01-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H05K9/00
Abstract: 一种适用于长距离磁场屏蔽的法兰连接式屏蔽筒，它涉及元件的磁场屏蔽领域。本发明为了解决现有技术在采用焊接制造时存在连接不牢固和不紧密的问题。本发明包括基层屏蔽筒，基层屏蔽筒包括中部筒体单元和端部筒体，端部筒体的一侧端部加工有端部法兰；中部筒体单元包括多个中部屏蔽筒筒体，相邻两个中部屏蔽筒筒体之间通过中部法兰连接；端部筒体分别安装在中部筒体单元的两侧，且端部筒体的端部法兰与中部屏蔽筒筒体一侧的中部法兰连接。端部法兰在圆周方向上加工有端部凹槽，中部法兰的一侧端部加工有中部凹槽，中部法兰的另一侧端部加工有中部凸起；且端部凹槽与中部凸起之间凹凸配合，中部凹槽和中部凸起之间凹凸配合。本发明用于磁场屏蔽。
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公开(公告)号：CN116577715B
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202310734298.8
申请日：2023-06-20
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了一种用于三轴磁通门传感器零偏标定的装夹工装，包括底座、z轴距离补偿块、第一限位杆，第二限位杆；所述底座上垂直设有两个相互平行的y轴限位板，所述y轴限位板一端垂直设有z轴限位板；两个所述y轴限位板上对应位置开设有中部限位孔和端部限位孔；本发明解决磁通门传感器零偏误差标定过程中，正向测量和反向180°翻转测量过程中，传感器三轴坐标原点位置不重合引入的零偏标定误差问题。便于操作，以最小程度减小正反两次测量操作过程中，环境磁场的变化对于零偏标定误差的影响。
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