公开(公告)号：CN1013589B

公开(公告)日：1991-08-21

申请号：CN86105732

申请日：1986-07-21

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 夏立芳

IPC: C23C8/24

Abstract: 本工艺涉及铝及铝合金气体渗氮，渗氮时添加洁净剂氯化铵和活化剂稀土。采用本工艺可在铝及铝合金上获得0.1到几毫米的渗氮层，渗氮层硬度纯铝HV64，铝合金HV170，可提高铝制品的强度和耐磨性，扩大铝及铝合金的用途。

公开(公告)号：CN1065925C

公开(公告)日：2001-05-16

申请号：CN97103251.3

申请日：1997-04-17

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 夏立芳 ,  孙明仁 ,  马欣新 ,  孙跃

IPC: C23C16/26

Abstract: 本发明提出一种材料表面大面积类金刚石碳膜低温制备方法及装置，具体说是在密闭的真空室内充入含碳气体，并对工件施加负高压电脉冲，激发等离子体，在工件温度不变的条件下，在其表面形成一层膜基间无界面的大面积类金刚石碳膜。其装置为一个具有封闭磁场地真空室，室外设高压脉冲电源及磁场，室内设工件台或支架及高电压引入电极，以及油冷、水冷系统。采用本发明可以对成批工件，在其表面制取一层无界面的高结合力的类金刚石碳膜。

公开(公告)号：CN1030777C

公开(公告)日：1996-01-24

申请号：CN92113717.6

申请日：1992-11-20

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 夏立芳

IPC: C23C14/48 ,  C23C14/32

Abstract: 本发明涉及金属等离子体源离子注入的方法及装置、主要特征是在加有封闭磁场的真空室内激发金属等离子体并施加负高压脉冲，本发明装置为一个具有封闭磁场的真空室，真空室外设灯丝电源，热电子发射电源和高压脉冲电源及磁条，室内设工作台或支架，阴极靶，灯丝等装置。采用本发明，可以对工件进行全方位的离子注入或离子混合注入，适用于各种机器零件、工模具，半导体器件及宝石和非金属材料。

公开(公告)号：CN1087131A

公开(公告)日：1994-05-25

申请号：CN92113717.6

申请日：1992-11-20

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 夏立芳

IPC: C23C14/48 ,  C23C14/32

Abstract: 本发明涉及金属等离子体源离子注入的方法及装置，主要特征是在加有封闭磁场的真空室内激发金属等离子体并施加负高压脉冲。本发明装置为一个具有封闭磁场的真空室，真空室外设灯丝电源、热电子发射电源和高压脉冲电源及磁条；室内设工作台或支架，阴极靶，灯丝等装置。采用本发明，可以对工件进行全方位的离子注入或离子混合注入，适用于各种机器零件、工模具、半导体器件及宝石和非金属材料。

公开(公告)号：CN86105732A

公开(公告)日：1988-02-17

申请号：CN86105732

申请日：1986-07-21

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 夏立芳

IPC: C23C8/24 ,  C23C8/36 ,  C23C8/02

Abstract: 本工艺采用两种方法：一是气体渗氮时添加洁净剂氯化铵和活化剂稀土，使铝及铝合金渗氮；另一是离子渗氮时采用交流辉光放电使渗氮气氛电离，用直流电场使离子定向运动，解决了铝及铝合金的渗氮问题。采用本工艺可在铝及铝合金上获得0.1到几毫米的渗氮层，渗氮层硬度纯铝HV64，铝合金HV170，可提高铝制品的强度和耐磨性，扩大铝及铝合金的用途。

公开(公告)号：CN1196401A

公开(公告)日：1998-10-21

申请号：CN97103251.3

申请日：1997-04-17

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 夏立芳 ,  孙明仁 ,  马欣新 ,  孙跃

IPC: C23C16/26

Abstract: 本发明提出一种材料表面大面积类金刚石碳膜低温制备方法及装置,具体说是在密闭的真空室内充入含碳气体,并对工件施加负高压电脉冲,激发等离子体,在工件温度不变的条件下,在其表面形成一层膜基间无界面的大面积类金刚石碳膜。其装置为一个具有封闭磁场的真空室,室外设高压脉冲电源及磁场,室内设工件台或支架及高电压引入电极,以及油冷、水冷系统。采用本发明可以对成批工件,在其表面制取一层无界面的高结合力的类金刚石碳膜。