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公开(公告)号：CN116161979B
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202310163325.0
申请日：2023-02-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B37/02
Abstract: 一种Ti‑Al‑C系MAX相陶瓷与锆合金连接的方法，本发明为了解决现有的Ti‑Al‑C系MAX相陶瓷与锆合金连接的方法在连接面间不可避免的生成了与母材热膨胀系数差异较大的Zr‑Al脆性金属间化合物而导致获得的焊接接头强度低的问题。连接方法：一、以纯铜作为中间层；二、对待焊Ti‑Al‑C系MAX相陶瓷和锆合金的待连接表面机械打磨和抛光；三、按照Ti‑Al‑C系MAX相陶瓷/中间层/锆合金的顺序依次叠放，得到待焊装配件；四、将待焊装配件放入高温真空炉内，在885～950℃的温度下保温。本发明避免了Zr‑Al脆性相的生成，取而代之的是生成了与母材热膨胀系数相匹配的ZrC陶瓷相，显著提高了接头强度。
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公开(公告)号：CN116161979A
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202310163325.0
申请日：2023-02-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B37/02
Abstract: 一种Ti‑Al‑C系MAX相陶瓷与锆合金连接的方法，本发明为了解决现有的Ti‑Al‑C系MAX相陶瓷与锆合金连接的方法在连接面间不可避免的生成了与母材热膨胀系数差异较大的Zr‑Al脆性金属间化合物而导致获得的焊接接头强度低的问题。连接方法：一、以纯铜作为中间层；二、对待焊Ti‑Al‑C系MAX相陶瓷和锆合金的待连接表面机械打磨和抛光；三、按照Ti‑Al‑C系MAX相陶瓷/中间层/锆合金的顺序依次叠放，得到待焊装配件；四、将待焊装配件放入高温真空炉内，在885～950℃的温度下保温。本发明避免了Zr‑Al脆性相的生成，取而代之的是生成了与母材热膨胀系数相匹配的ZrC陶瓷相，显著提高了接头强度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116143540A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202310163319.5
申请日：2023-02-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B37/02
Abstract: 采用Zr‑Cu‑Fe钎料钎焊MAX相陶瓷与锆基合金的方法，本发明要解决现有的MAX相陶瓷与锆基合金扩散焊接头强度低的问题。钎焊方法：一、真空电弧熔炼制备Zr‑Cu‑Fe钎料合金，合金切割打磨制成钎料箔片；二、分别对MAX相陶瓷和锆基合金的待焊表面机械打磨，超声清洗；三、按照MAX相陶瓷/钎料箔片/锆基合金的顺序依次叠放，得到待焊装配件；四、将待焊装配件置入高真空钎焊炉内，控制钎焊温度为880～930℃进行钎焊。本发明通过在Zr基体中添加Cu和Fe对MAX相陶瓷与锆基合金进行连接。添加的Cu和Fe降低了Zr基合金的熔点，又保留了Zr基钎料的活性，实现原子间的键合，从而形成可靠的连接。
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公开(公告)号：CN116352204A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202310508912.9
申请日：2023-05-08
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B23K1/00 , B23K1/008 , B23K1/20 , B23K3/08 , B23K103/00
Abstract: 一种空气气氛下电场辅助闪光钎焊导电陶瓷的低温连接方法，它涉及一种陶瓷的低温连接方法。本发明要解决现有常用陶瓷连接方法存在连接温度高、连接时间长、环境气氛要求高的问题。方法：一、预处理；二、将预处理后的钎料片置于两块预处理后的陶瓷之间，待连接件上下表面均设置与外接电源相连接的电极，将待连接件和表面设置的电极均置于连接炉上下压头之间，并施加单轴压力；三、连接前先调节电流值，将连接炉升温至连接温度，升高电压直至陶瓷导通，然后在特定电流下保温连接。本发明用于空气气氛下电场辅助闪光钎焊导电陶瓷的低温连接。
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公开(公告)号：CN115611651A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202211362609.4
申请日：2022-11-02
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B37/00
Abstract: 一种电场辅助碳化硅陶瓷氧化的低温连接方法，它涉及一种碳化硅陶瓷的连接方法。本发明要解决现有常用陶瓷连接方法存在连接温度高、接头性能差及效率较低的问题。方法：一、将碳化硅陶瓷进行预处理；二、将待连接件置于连接炉上下压头中间，且待连接件上下表面均设置与外接电源相连接的电极；三、将连接炉升温至连接温度，在升高电压直至碳化硅陶瓷导通，然后调节电流保温。本发明用于电场辅助碳化硅陶瓷氧化的低温连接。
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公开(公告)号：CN116143540B
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202310163319.5
申请日：2023-02-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B37/02
Abstract: 采用Zr‑Cu‑Fe钎料钎焊MAX相陶瓷与锆基合金的方法，本发明要解决现有的MAX相陶瓷与锆基合金扩散焊接头强度低的问题。钎焊方法：一、真空电弧熔炼制备Zr‑Cu‑Fe钎料合金，合金切割打磨制成钎料箔片；二、分别对MAX相陶瓷和锆基合金的待焊表面机械打磨，超声清洗；三、按照MAX相陶瓷/钎料箔片/锆基合金的顺序依次叠放，得到待焊装配件；四、将待焊装配件置入高真空钎焊炉内，控制钎焊温度为880～930℃进行钎焊。本发明通过在Zr基体中添加Cu和Fe对MAX相陶瓷与锆基合金进行连接。添加的Cu和Fe降低了Zr基合金的熔点，又保留了Zr基钎料的活性，实现原子间的键合，从而形成可靠的连接。
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公开(公告)号：CN115611651B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202211362609.4
申请日：2022-11-02
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种电场辅助碳化硅陶瓷氧化的低温连接方法，它涉及一种碳化硅陶瓷的连接方法。本发明要解决现有常用陶瓷连接方法存在连接温度高、接头性能差及效率较低的问题。方法：一、将碳化硅陶瓷进行预处理；二、将待连接件置于连接炉上下压头中间，且待连接件上下表面均设置与外接电源相连接的电极；三、将连接炉升温至连接温度，在升高电压直至碳化硅陶瓷导通，然后调节电流保温。本发明用于电场辅助碳化硅陶瓷氧化的低温连接。
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