一种带有微结构的金刚石砂轮及其制备方法

    公开(公告)号:CN109333385A

    公开(公告)日:2019-02-15

    申请号:CN201811360379.1

    申请日:2018-11-15

    CPC classification number: B24D7/02 B24D18/00

    Abstract: 一种带有微结构的金刚石砂轮及其制备方法,涉及超精密加工技术领域。本发明可以解决现有金刚石砂轮磨粒限制磨削质量、降低磨削效率和金刚石砂轮容屑空间小等的问题。本发明利用化学气相沉积法制造金刚石磨料层,并金刚石磨料层表面制造微结构。本发明所述的一种带有微结构的金刚石砂轮及其制备方法,能够主要应用于硬脆材料光学表面的超精密机械加工领域中。

    一种藤蔓缠绕电致光谱调控纤维器件的制备方法

    公开(公告)号:CN117170153A

    公开(公告)日:2023-12-05

    申请号:CN202310577205.5

    申请日:2023-05-22

    Abstract: 一种“藤蔓缠绕”电致光谱调控纤维器件的制备方法,它涉及一种纤维器件的制备方法。本发明的目的是要解决现有方法制备的纤维器件具有光谱调控波段单一、力学性能差,循环使用寿命不高和电致变色性能衰减的问题。方法:一、制备电极层;二、制备功能层;三、纤维基底的预处理;四、制备表面负载凝胶电解质的碳纤维;五、构建“藤蔓缠绕”结构纤维器件;六、构建纤维器件封装层。本发明制备的“藤蔓缠绕”电致光谱调控纤维器件具有良好的红外热辐射调控能力,并具有可见光管理能力;以60°的弯折角度弯折5000次以及氧化还原循环5000次后,器件的红外发射率调控能力依旧保持稳定。本发明可获得一种“藤蔓缠绕”电致光谱调控纤维器件。

    一种Nb相增韧高强高塑型γ-TiAl基合金及其制备方法

    公开(公告)号:CN115961169A

    公开(公告)日:2023-04-14

    申请号:CN202111171127.6

    申请日:2021-10-08

    Abstract: 本发明公开了一种Nb相增韧高强高塑型γ‑TiAl基合金及其制备方法,属于γ‑TiAl基材料制备加工技术领域。本发明解决了现有γ‑TiAl基合金室温塑性低、且强度和塑性不能兼得的问题。本发明首先通过高能球磨细化Nb粉颗粒尺寸,然后再将细化的Nb粉弥散分布于γ‑TiAl基合金粉末表面,最后通过真空热压烧结技术获得Nb相增韧高强高塑型γ‑TiAl基合金。本发明方法的生产成本低、可实现对增韧相Nb的含量与分布规律、Nb与γ‑TiAl基体中的固溶量及界面反应程度、γ‑TiAl基合金微观组织的有效调控,制备出高强高塑的γ‑TiAl基合金,其室温压缩性能达到:强度大于1.6GPa、断裂应变大于25%。

    一种Nb相增韧高强高塑型γ-TiAl基合金及其制备方法

    公开(公告)号:CN115961169B

    公开(公告)日:2024-09-20

    申请号:CN202111171127.6

    申请日:2021-10-08

    Abstract: 本发明公开了一种Nb相增韧高强高塑型γ‑TiAl基合金及其制备方法,属于γ‑TiAl基材料制备加工技术领域。本发明解决了现有γ‑TiAl基合金室温塑性低、且强度和塑性不能兼得的问题。本发明首先通过高能球磨细化Nb粉颗粒尺寸,然后再将细化的Nb粉弥散分布于γ‑TiAl基合金粉末表面,最后通过真空热压烧结技术获得Nb相增韧高强高塑型γ‑TiAl基合金。本发明方法的生产成本低、可实现对增韧相Nb的含量与分布规律、Nb与γ‑TiAl基体中的固溶量及界面反应程度、γ‑TiAl基合金微观组织的有效调控,制备出高强高塑的γ‑TiAl基合金,其室温压缩性能达到:强度大于1.6GPa、断裂应变大于25%。

    一种带有微结构的金刚石砂轮及其制备方法

    公开(公告)号:CN109333385B

    公开(公告)日:2020-10-02

    申请号:CN201811360379.1

    申请日:2018-11-15

    Abstract: 一种带有微结构的金刚石砂轮及其制备方法,涉及超精密加工技术领域。本发明可以解决现有金刚石砂轮磨粒限制磨削质量、降低磨削效率和金刚石砂轮容屑空间小等的问题。本发明利用化学气相沉积法制造金刚石磨料层,并金刚石磨料层表面制造微结构。本发明所述的一种带有微结构的金刚石砂轮及其制备方法,能够主要应用于硬脆材料光学表面的超精密机械加工领域中。

    用于高性能脑机接口的脑电图信号通用表示的系统和方法

    公开(公告)号:CN118364269A

    公开(公告)日:2024-07-19

    申请号:CN202410645143.1

    申请日:2024-05-23

    Abstract: 本发明属于脑机接口的脑电图信号领域,公开了一种用于高性能脑机接口的脑电图信号通用表示方法,包括EEGPT结构,所述EEGPT结构包括分块patching、掩码masking、嵌入embedding操作,以及编码器encoder模块、动量编码器menc模块、预测器predictor模块和重构器reconstructor模块,包括以下方法:双自监督预训练方法、时空表示对齐方法、基于掩码的重构方法、局部时空嵌入方法、两种微调方法;本发明解决了现有技术由于不同EEG采集设备的采样率不一致以及电极通道位置的差异,通过卷积编码器提取初始特征无法解耦电极通道和EEG信号之间的相关性,这使得模型在鲁棒性和可扩展性方面存在显著缺陷的的问题,适用于脑机接口的脑电图信号。

    一种基于元素粉末液相反应烧结制备Al-xwt.%Si合金半固态坯料的方法

    公开(公告)号:CN115369275A

    公开(公告)日:2022-11-22

    申请号:CN202110535830.4

    申请日:2021-05-17

    Abstract: 本发明公开了一种基于元素粉末液相反应烧结制备Al‑xwt.%Si合金半固态坯料的方法,属于半固态合金坯料制备技术领域。本发明解决了现有半固态坯料制备方法工艺繁琐、过程复杂、能耗高和所制备坯料的组织不均匀、液相不可控等问题。本发明提供的方法包括以下步骤:(1)将Al、Si元素粉末混合均匀,然后进行冷压处理,获得混合粉末冷压坯;(2)将混合粉末冷压坯进行液相反应烧结处理,获得Al‑xwt.%Si半固态坯料。本发明具有工艺简单、能耗低、获得的半固态组织均匀等优点,还可通过反应温度和时间调控Al‑Si合金半固态坯料的组织和液相含量,使其满足半固态生产的要求。

Patent Agency Ranking