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公开(公告)号：CN101393879B
公开(公告)日：2010-07-07
申请号：CN200710152239.0
申请日：2007-09-19
申请人： 和舰科技(苏州)有限公司
IPC分类号： H01L21/66
摘要： 本发明提供了一种检测用于晶片烘烤的热板是否倾斜的方法，包括以下步骤：步骤1，提供一晶片的衬底，该衬底上具有氮化硅层；步骤2，在该氮化硅层上涂覆光阻层；步骤3，对该晶片进行曝光，图案化该晶片；步骤4，将晶片表面分区，量测各区的特征尺寸；步骤5，如果上述特征尺寸中的最大特征尺寸与最小特征尺寸的差异达到预定值，则判定上述热板是倾斜的。与现有技术相比，本发明实现简单，测量准确，能够相对灵敏地反应热板的倾斜趋势，从而使得热板斜率探测简便快捷。
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公开(公告)号：CN101900954A
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN200910142349.8
申请日：2009-06-01
申请人： 和舰科技(苏州)有限公司
IPC分类号： G03F7/38
摘要： 本发明提出一种监测显影机台曝光后烘烤热板斜率的方法，包括以下步骤：首先，在晶片上涂覆退火型光刻胶后将所述晶片置于曝光后烘烤热板上进行烘烤；然后，用膜厚测量机台根据测量方法测量烘烤后的上述光刻胶的厚度；所述测量方法为：选取上述光刻胶上在圆周内均匀分布的多个点为测量点，测试上述各测量点的厚度，通过计算上述厚度的最大值和最小值的差值来衡量曝光后烘烤热板的斜率。本发明由于采用了对PEB温度更加敏感的退火型光刻胶及更好的测量方法，因此能敏感的监测到热板是否倾斜，并能直观地观察到热板倾斜的方向及程度。
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公开(公告)号：CN101393879A
公开(公告)日：2009-03-25
申请号：CN200710152239.0
申请日：2007-09-19
申请人： 和舰科技(苏州)有限公司
IPC分类号： H01L21/66
摘要： 本发明提供了一种检测用于晶片烘烤的热板是否倾斜的方法，包括以下步骤：步骤1，提供一衬底，该衬底上具有氮化硅层；步骤2，在该氮化硅层上涂覆光阻层；步骤3，对该晶片进行曝光，图案化该晶片；步骤4，将晶片表面分区，量测各区的重要线宽；步骤5，如果上述重要线宽中的最大重要线宽与最小重要线宽的差异达到预定值，则判定上述热板是倾斜的。与现有技术相比，本发明实现简单，测量准确，能够相对灵敏地反应热板的倾斜趋势，从而使得热板斜率探测简便快捷。
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公开(公告)号：CN101900954B
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN200910142349.8
申请日：2009-06-01
申请人： 和舰科技(苏州)有限公司
IPC分类号： G03F7/38
摘要： 本发明提出一种监测显影机台曝光后烘烤热板斜率的方法，包括以下步骤：首先，在晶片上涂覆高活化能光刻胶后将所述晶片置于曝光后烘烤热板上进行烘烤；然后，用膜厚测量机台根据测量方法测量烘烤后的上述光刻胶的厚度；所述测量方法为：选取上述光刻胶上在圆周内均匀分布的多个点为测量点，测试上述各测量点的厚度，通过计算上述厚度的最大值和最小值的差值来衡量曝光后烘烤热板的斜率。本发明由于采用了对PEB温度更加敏感的高活化能光刻胶及更好的测量方法，因此能敏感的监测到热板是否倾斜，并能直观地观察到热板倾斜的方向及程度。
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