公开(公告)号：CN104032266B

公开(公告)日：2017-10-17

申请号：CN201410050291.5

申请日：2014-02-13

Applicant: 同济大学

Inventor： 程鑫彬 ,  阿卜杜萨拉木·图尼亚孜 ,  焦宏飞 ,  鲍刚华 ,  王占山

IPC: C23C14/30 ,  C23C14/08 ,  C23C14/54

Abstract: 本发明涉及一种提高光学薄膜损伤阈值的设计方法，该方法属于薄膜光学领域，主要针对高反射膜中影响损伤阈值的最主要的缺陷‑节瘤缺陷。节瘤缺陷的阈值决定整个薄膜的阈值。目前提高高反膜激光损伤阈值的技术手段主要通过消除节瘤，即尽可能的降低节瘤密度和尺寸来提升薄膜的阈值。但是在目前的技术条件下，消除节瘤需要的工艺难度大，需要的成本高，而且无法完全消除。本发明提出了一种直接提高节瘤阈值从而提升薄膜阈值的方法。理论和实践已经证明，电场在节瘤损伤特性中起很重要的角色，而节瘤中的电场与节瘤的几何特性和光谱特性信息相关。通过改变膜系设计来降低节瘤中的电场强度，从而提高节瘤的损伤阈值。此方法具有针对性强，效率高，简单易行的特点。

公开(公告)号：CN104032266A

公开(公告)日：2014-09-10

申请号：CN201410050291.5

申请日：2014-02-13

Applicant: 同济大学

Inventor： 程鑫彬 ,  阿卜杜萨拉木·图尼亚孜 ,  焦宏飞 ,  鲍刚华 ,  王占山

IPC: C23C14/30 ,  C23C14/08 ,  C23C14/54

Abstract: 本发明涉及一种提高光学薄膜损伤阈值的设计方法，该方法属于薄膜光学领域，主要针对高反射膜中影响损伤阈值的最主要的缺陷-节瘤缺陷。节瘤缺陷的阈值决定整个薄膜的阈值。目前提高高反膜激光损伤阈值的技术手段主要通过消除节瘤，即尽可能的降低节瘤密度和尺寸来提升薄膜的阈值。但是在目前的技术条件下，消除节瘤需要的工艺难度大，需要的成本高，而且无法完全消除。本发明提出了一种直接提高节瘤阈值从而提升薄膜阈值的方法。理论和实践已经证明，电场在节瘤损伤特性中起很重要的角色，而节瘤中的电场与节瘤的几何特性和光谱特性信息相关。通过改变膜系设计来降低节瘤中的电场强度，从而提高节瘤的损伤阈值。此方法具有针对性强，效率高，简单易行的特点。