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公开(公告)号：CN111769753A
公开(公告)日：2020-10-13
申请号：CN202010560996.7
申请日：2020-06-18
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及一种基于电力电子变压器系统传导干扰特性仿真模型测试方法，包括以下步骤：建立系统整流级模型；采用双有源桥DC/DC变换器结构通过移相控制的方法建立系统隔离级模型；通过系统整流级模型和系统隔离级模型在仿真软件中构建运行仿真模型；考虑电力电子变压器系统中无源器件的高频模型，提取电路结构中的主要寄生参数，建立电力电子变压器系统传导干扰的高频仿真模型；在高频仿真模型中设置第一阻容支路和第二阻容支路测量传导干扰。与现有技术相比，本发明能够方便快捷地对包含两个及以上功率转换环节的PET系统进行传导干扰的仿真测试，同时也可以测试同一个系统内部不同的功率转换环节单独产生的传导干扰特性，且准确度高。
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公开(公告)号：CN111740605A
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN202010561999.2
申请日：2020-06-18
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及一种用于双有源桥DC-DC变换器的随机PWM控制方式，随机PWM方波中每两个相邻的开关周期之和为一个定值，并且两个相邻周期中的前一个周期的频率fs1随机改变。与现有技术相比，本发明将随机PWM技术应用于双有源桥DC-DC变换器中以提升其电磁兼容性能，同时，能够克服采用随机PWM技术后会产生功率波动，使得功率传输稳定，确保了系统的安全性和稳定性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102602070B
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201210044966.6
申请日：2012-02-27
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明属于精密光学元件制作技术领域，公开了一种低应力中子转换薄膜元件及其制备方法。该元件包括基底(1)和碳化硼/铬周期多层膜(2)，铬薄膜层(3)和碳化硼薄膜层(4)交替沉积于基底(1)表面上，铬薄膜层(3)和碳化硼薄膜层(4)的数目相同。制备方法如下：首先对基底(1)进行清洗，然后在基底(1)上镀制碳化硼/铬周期多层膜(2)。本发明的基于碳化硼/铬周期多层膜的低应力中子转换薄膜元件具有低应力、高制作效率、价格便宜、中子转换性能满足需求等优势，更适于实现此类产品的产业化。
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公开(公告)号：CN111769753B
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN202010560996.7
申请日：2020-06-18
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及一种基于电力电子变压器系统传导干扰特性仿真模型测试方法，包括以下步骤：建立系统整流级模型；采用双有源桥DC/DC变换器结构通过移相控制的方法建立系统隔离级模型；通过系统整流级模型和系统隔离级模型在仿真软件中构建运行仿真模型；考虑电力电子变压器系统中无源器件的高频模型，提取电路结构中的主要寄生参数，建立电力电子变压器系统传导干扰的高频仿真模型；在高频仿真模型中设置第一阻容支路和第二阻容支路测量传导干扰。与现有技术相比，本发明能够方便快捷地对包含两个及以上功率转换环节的PET系统进行传导干扰的仿真测试，同时也可以测试同一个系统内部不同的功率转换环节单独产生的传导干扰特性，且准确度高。
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公开(公告)号：CN103091692B
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201310009375.X
申请日：2013-01-10
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及一种基于激光刻蚀方法的阻抗式镍薄膜量热计及其制作方法，该薄膜量热计包括基底和镀制在基底上的镍单层膜，首先对基底进行清洗，然后采用直流磁控溅射方法在基底上镀制镍单层膜，最后用激光刻蚀的方法在镍单层膜上刻蚀出图案。与现有技术相比，本发明克服了传统的薄膜量热计制作工艺繁杂、设备昂贵、制备过程有潜在的化学危害、图案易失真等缺点，元件性能和制备工艺得到了很大的提高；本发明的阻抗式镍薄膜量热计具有价格便宜、易于制作、性能满足实际应用需求等优势，更适于实现此类产品的产业化。
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公开(公告)号：CN103091692A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201310009375.X
申请日：2013-01-10
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及一种基于激光刻蚀方法的阻抗式镍薄膜量热计及其制作方法，该薄膜量热计包括基底和镀制在基底上的镍单层膜，首先对基底进行清洗，然后采用直流磁控溅射方法在基底上镀制镍单层膜，最后用激光刻蚀的方法在镍单层膜上刻蚀出图案。与现有技术相比，本发明克服了传统的薄膜量热计制作工艺繁杂、设备昂贵、制备过程有潜在的化学危害、图案易失真等缺点，元件性能和制备工艺得到了很大的提高；本发明的阻抗式镍薄膜量热计具有价格便宜、易于制作、性能满足实际应用需求等优势，更适于实现此类产品的产业化。
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公开(公告)号：CN102602070A
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201210044966.6
申请日：2012-02-27
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明属于精密光学元件制作技术领域，公开了一种低应力中子转换薄膜元件及其制备方法。该元件包括基底(1)和碳化硼/铬周期多层膜(2)，铬薄膜层(3)和碳化硼薄膜层(4)交替沉积于基底(1)表面上，铬薄膜层(3)和碳化硼薄膜层(4)的数目相同。制备方法如下：首先对基底(1)进行清洗，然后在基底(1)上镀制碳化硼/铬周期多层膜(2)。本发明的基于碳化硼/铬周期多层膜的低应力中子转换薄膜元件具有低应力、高制作效率、价格便宜、中子转换性能满足需求等优势，更适于实现此类产品的产业化。
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