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公开(公告)号:CN111850695B
公开(公告)日:2021-11-09
申请号:CN202010563211.1
申请日:2020-06-19
申请人: 同济大学
摘要: 本发明涉及一种氟代亚硒酸镥倍频晶体及其制备和应用,该晶体材料的化学式为Lu3F(SeO3)4,属于三方晶系,空间群为P63,晶胞参数为α=β=90°,γ=120°,Z=2。与现有技术相比,本发明制备的化合物Lu3F(SeO3)4在1064nm激光照射下,其粉末倍频强度约为KH2PO4(KDP)晶体的2.5倍,且在该频率的激光照射下可以实现相位匹配,在激光频率转换、光电调制、激光信号全息储存等领域具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号:CN112410877B
公开(公告)日:2021-09-03
申请号:CN202011299805.2
申请日:2020-11-19
申请人: 同济大学
摘要: 本发明涉及一种锆氟碘酸铯二阶非线性光学晶体及其制备与应用,该晶体材料的化学式为CsZrF4(IO3),分子量为475.03,属于正交晶系,其空间群为Ima2,晶胞参数为α=β=γ=90°,Z=4,晶胞体积为本发明的锆氟碘酸铯晶体材料具有优良的光学性能,在1064nm激光辐照下,粉末倍频强度约为磷酸二氢钾晶体的4.5倍,在波长1064nm的激光下测得其激光损伤阈值为已商业化的红外二阶非线性材料银镓硫的68倍。此外,该晶体材料在紫外‑可见光‑红外光区(0.3~8μm)有很宽的透过范围,在激光频率转换、光电调制、激光信号全息储存等领域具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号:CN111850694A
公开(公告)日:2020-10-30
申请号:CN202010561025.4
申请日:2020-06-18
申请人: 同济大学
摘要: 本发明涉及一种氟代镓亚硒酸盐类无机化合物晶体、其制备方法、非线性光学晶体材料和激光频率转换器,该无机化合物晶体的化学式为AGa3F6(SeO3)2,其中,A=Rb或Cs。与现有技术相比,本发明的晶体RbGa3F6(SeO3)2和CsGa3F6(SeO3)2在1064nm激光照射下其粉末SHG系数为KH2PO4(KDP)的3.0和3.1倍,且在1064nm激光照射下都能实现相位匹配。
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公开(公告)号:CN111719182B
公开(公告)日:2021-07-20
申请号:CN202010561015.0
申请日:2020-06-18
申请人: 同济大学
摘要: 本发明涉及一水合碘酸铕红外非线性光学晶体材料及其制备与应用,该晶体材料的化学式为Eu(IO3)3·H2O,分子量为694.68,属于单斜晶系,其空间群为P21,晶胞参数为:α=γ=90°,β=109.5~110.0°,Z=2,晶胞体积为:与现有技术相比,本发明一水合碘酸铕红外非线性光学晶体材料具有优良的光学性能,在1064nm激光辐照下,粉末倍频强度约为磷酸二氢钾晶体的4.5倍,在波长1064nm的激光下测得其激光损伤阈值为已商业化的红外二阶非线性材料银镓硫的43倍。此外,该晶体材料在紫外‑可见光‑近红外区(0.3‑2.5μm)和红外区(3.2‑10.4μm)有很宽的透过范围,在激光频率转换、光电调制、激光信号全息储存等领域具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号:CN109338471B
公开(公告)日:2020-11-27
申请号:CN201811436074.4
申请日:2018-11-28
申请人: 同济大学
摘要: 本发明涉及一种中红外光学倍频晶体氟代钨碘酸钾材料及其制备与应用,该中红外光学倍频晶体氟代钨碘酸钾材料的化学式为K5(W3O9F4)(IO3),属单斜晶系,其空间群为Pm,晶胞参数为α=γ=90°,β=101.9~102.8°,Z=1,与现有技术相比,本发明中红外光学倍频晶体氟代钨碘酸钾材料在1064nm激光辐照下,粉末倍频效应强度约为磷酸二氢钾晶体的11倍;在2.10μm激光辐照下测得粉末倍频效应强度和磷酸钛氧钾相当。在波长1064nm激光下测得其激光损伤阈值为已商业化的红外二阶非线性材料银镓硫的95倍;该晶体材料在可见光和红外区有很宽的透过范围,完全透过波段为0.32~10.5μm,在激光频率转换、光电调制、激光信号全息储存等领域具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号:CN111850691A
公开(公告)日:2020-10-30
申请号:CN202010563200.3
申请日:2020-06-19
申请人: 同济大学
摘要: 本发明涉及一种钒酸铯红外倍频晶体材料及其制备与应用,该晶体材料的化学式为Cs2V4O11,属于正交晶系,空间群为Pca21,晶胞参数为α=β=γ=90°,Z=2,与现有技术相比,本发明的钒酸铯材料具有较大的倍频效应,在1064nm激光照射下,粉末倍频强度约为KH2PO4(KDP)晶体的12倍;在2.10μm激光照射下测得粉末倍频效应强度约为AgGaS2晶体的2.2倍。在波长1064nm的激光下测得激光损伤阈值为已商业化的红外二阶非线性光学晶体材料AgGaS2的24倍。此外,该晶体材料在可见光和红外区有很宽的光学透过范围,完全透过波段为0.33~14.80μm,在激光频率转换、光电调制、激光信号全息储存等领域具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号:CN111850690A
公开(公告)日:2020-10-30
申请号:CN202010561998.8
申请日:2020-06-18
申请人: 同济大学
摘要: 本发明涉及一种硝酸碘酸钪无机化合物晶体、其制备方法、作为非线性光学晶体材料及在激光器中的应用,该无机化合物晶体的化学式为Sc(NO3)(IO3)2,属于三方晶系,空间群为R32,晶胞参数为α=β=90°,γ=120°,Z=1;该化合物采用水热法制备。与现有技术相比,本发明的无机化合物晶体在1064nm激光照射下,其粉末倍频强度约为KH2PO4(KDP)晶体的3.2倍,且在该频率的激光照射下可以实现相位匹配。在激光频率转换、光电调制、激光信号全息储存等领域具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号:CN111850694B
公开(公告)日:2021-10-08
申请号:CN202010561025.4
申请日:2020-06-18
申请人: 同济大学
摘要: 本发明涉及一种氟代镓亚硒酸盐类无机化合物晶体、其制备方法、非线性光学晶体材料和激光频率转换器,该无机化合物晶体的化学式为AGa3F6(SeO3)2,其中,A=Rb或Cs。与现有技术相比,本发明的晶体RbGa3F6(SeO3)2和CsGa3F6(SeO3)2在1064nm激光照射下其粉末SHG系数为KH2PO4(KDP)的3.0和3.1倍,且在1064nm激光照射下都能实现相位匹配。
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公开(公告)号:CN111850695A
公开(公告)日:2020-10-30
申请号:CN202010563211.1
申请日:2020-06-19
申请人: 同济大学
摘要: 本发明涉及一种氟代亚硒酸镥倍频晶体及其制备和应用,该晶体材料的化学式为Lu3F(SeO3)4,属于三方晶系,空间群为P63,晶胞参数为α=β=90°,γ=120°,Z=2。与现有技术相比,本发明制备的化合物Lu3F(SeO3)4在1064nm激光照射下,其粉末倍频强度约为KH2PO4(KDP)晶体的2.5倍,且在该频率的激光照射下可以实现相位匹配,在激光频率转换、光电调制、激光信号全息储存等领域具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号:CN113481600A
公开(公告)日:2021-10-08
申请号:CN202110631456.8
申请日:2021-06-07
申请人: 同济大学
摘要: 本发明涉及一种碘酸磷酸铈二阶非线性光学晶体材料及其制备与在激光频率转化中的应用,该晶体材料的化学式为Ce(IO3)2(H2PO4)2,分子量为683.89,属于正交晶系,其空间群为Pna21,晶胞参数为α=β=γ=90°,Z=4,晶胞体积为本发明的碘酸磷酸铈晶体材料具有优良的光学性能,在1064nm激光辐照下,粉末倍频强度约为磷酸二氢钾晶体的4倍,可实现相位匹配。此外,该晶体材料在可见光‑红外光区(0.4~8μm)有很宽的透过范围,在激光频率转换、光电调制、激光信号全息储存等领域具有广泛的应用前景。
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