一种卟啉基二维石墨炔非线性光学薄膜材料及其制备和应用

    公开(公告)号:CN118878850B

    公开(公告)日:2025-03-21

    申请号:CN202411127788.2

    申请日:2024-08-16

    Applicant: 同济大学

    Inventor: 张弛 赵洋

    Abstract: 本发明涉及一种卟啉基二维石墨炔非线性光学薄膜材料及其制备和应用,通过以互不相溶的水相和有机相构建界面,在催化剂的作用下,两种单体在界面发生聚合反应,得到大规模无缺陷的二维石墨炔非线性光学薄膜材料。与现有技术相比,本发明所使用的催化剂体系具有高效性,并且得到的薄膜材料能够很容易被转移至各种基底上进行后续器件的制备。卟啉基石墨炔薄膜材料在超快脉冲激光条件下光限幅阈值明显小于已报道的大多数的光限幅材料,在光限幅器领域具有非常大的应用潜力。

    一种二氯二氧化钼二阶非线性光学晶体及其制备与应用

    公开(公告)号:CN117127259B

    公开(公告)日:2025-02-28

    申请号:CN202311005443.5

    申请日:2023-08-10

    Applicant: 同济大学

    Inventor: 张弛 金聪聪 吴超

    Abstract: 本发明涉及一种二氯二氧化钼二阶非线性光学晶体及其制备与应用,该晶体材料的化学式为MoO2Cl2,分子量为198.84,属于正交晶系,其空间群为Fmm2,晶胞参数为#imgabs0#α=β=γ=90°,Z=4,晶胞体积为#imgabs1#与现有技术相比,本发明的二氯二氧化钼晶体材料具有优良的二阶非线性光学性能,在2100nm激光辐照下,粉末倍频强度约为KTiOPO4(KTP)的2.1倍,且能实现相位匹配。

    一种可诱导S3·-自由基生成的锂硫电池电解液及其制备方法和锂硫电池

    公开(公告)号:CN119297396A

    公开(公告)日:2025-01-10

    申请号:CN202411219176.6

    申请日:2024-09-02

    Applicant: 同济大学

    Abstract: 本发明涉及一种可诱导S3·‑自由基生成的锂硫电池电解液及其制备方法和锂硫电池,通过向电解液中引入一种电解液添加剂——四正辛基氯化铵((C8H17)4NCl),促进S3·‑自由基的生成与稳定,该锂硫电池电解液包括锂盐、醚基溶剂和添加剂;所述的添加剂为四正辛基氯化铵,所述的四正辛基氯化铵的浓度为20~200mmol/L,此电解液可用于组装锂硫电池。与现有技术相比,本发明引入四正辛基氯化铵制备锂硫电池电解液,改变电解液的溶剂化结构,增强硫的转化动力学,促进S3·‑自由基的形成并提升其稳定性,从而促进其在锂硫电池充放电过程中的固态电解质界面的均匀生长,提升离子传输效率,另外,该电解液合成路径简单,降低了电池制造成本。

    一种融合卟啉轴向修饰Ti3C2Tx非线性光学纳米杂化材料及其制备和应用

    公开(公告)号:CN119241569A

    公开(公告)日:2025-01-03

    申请号:CN202411120243.9

    申请日:2024-08-15

    Applicant: 同济大学

    Inventor: 张弛 赵洋

    Abstract: 本发明涉及一种融合卟啉轴向修饰Ti3C2Tx非线性光学纳米杂化材料及其制备和应用,所述的纳米杂化材料由融合卟啉通过环中心的锌原子与共价连接在Ti3C2Tx纳米片表面的吡啶环上的氮原子形成配位键得到。相比较于单功能组分,纳米杂化材料TFP‑Ti3C2Tx在532nm的纳秒脉冲光和800nm的飞秒脉冲光下均表现出了显著增强的光限幅效应。本发明发展了碳化钛MXene的表面化学修饰策略,得到的纳米杂化材料表现出了跨时域、谱域的光限幅性能,具有被应用于现代光子或光电子器件的潜力。

    一种硫氰酸锌铵二阶非线性光学晶体材料及其制备与应用

    公开(公告)号:CN119065174A

    公开(公告)日:2024-12-03

    申请号:CN202411071186.X

    申请日:2024-08-06

    Applicant: 同济大学

    Inventor: 张弛 张海军 吴超

    Abstract: 本发明涉及一种硫氰酸锌铵二阶非线性光学晶体材料及其制备与应用,该晶体材料的化学式为(NH4)2Zn(SCN)4·3H2O,属于正交晶系,其空间群为P21212,晶胞参数为#imgabs0#α=β=γ=90°,Z=2,晶胞体积为#imgabs1#其结构特征在于该晶态材料含有孤立的[Zn(SCN)4]结构基元。本发明的硫氰酸锌铵晶体材料具有优良的光学性能,在1064nm激光辐照下,粉末倍频强度约为KH2PO4(KDP)晶体的8倍,双折射值在波长546nm处为0.185,且能实现相位匹配。此外,该晶体材料在紫外可见光波段透过良好,物化性能稳定,易于生长,在激光频率转化、光参量振荡等领域具有重要的应用价值。

    一种甲酸胍镥二阶非线性光学晶体材料及其制备与应用

    公开(公告)号:CN119061483A

    公开(公告)日:2024-12-03

    申请号:CN202411079461.2

    申请日:2024-08-07

    Applicant: 同济大学

    Inventor: 张弛 姜春波 吴超

    Abstract: 本发明涉及一种甲酸胍镥二阶非线性光学晶体材料及其制备与应用,该晶体材料化学式为[C(NH2)3]Lu(HCOO)4,属于正交晶系,空间群为P212121,晶胞参数为#imgabs0#α=β=γ=90°,Z=4,晶胞体积为#imgabs1#与现有技术相比,本发明的晶体[C(NH2)3]Lu(HCOO)4生长简单,且易获得毫米级单晶。在1064nm激光照射下其粉末SHG系数为KH2PO4(KDP)的1.1倍,且在1064nm激光照射下能实现相位匹配。该晶体材料在紫外‑可见光有很宽的透过范围,紫外吸收截止边为220nm,在紫外和可见光激光领域具有广泛的应用前景。此外,该晶体有较大的双折射值,在546nm处的双折射为0.106。

    一种卟啉二维高分子非线性光学材料及其制备和应用

    公开(公告)号:CN118406217A

    公开(公告)日:2024-07-30

    申请号:CN202410460331.7

    申请日:2024-04-17

    Applicant: 同济大学

    Abstract: 本发明涉及一种卟啉二维高分子非线性光学材料及其制备和应用,采用自下而上的生长策略,利用单体自偶联聚合反应,在模板剂的辅助下,反应得到一种卟啉二维高分子的非线性光学材料。与现有的技术相比,本发明的材料不仅具有拓宽的共轭平面,超薄的纳米片形貌;而且具有优异的分散性,能够进一步制备成薄膜器件,该器件首次在超快脉冲激光下展现出横跨可见光区和近红外光区的宽带光限辐性能。同时,反应单体容易获得,制备过程操作简便,易于控制,适合大量生产。

    一种铪氧氟化合物二阶非线性光学晶体材料及其制备与应用

    公开(公告)号:CN115404545B

    公开(公告)日:2024-02-27

    申请号:CN202211042086.5

    申请日:2022-08-29

    Applicant: 同济大学

    Inventor: 张弛 姜春波 吴超

    Abstract: 本发明涉及一种铪氧氟化合物二阶非线性光学晶体材料及其制备与应用,该晶体材料的化学式为HfOF4H2,该晶体材料属于四方晶系,空间群为I‑42d,晶胞参数为α=β=γ=90°,Z=8。与现有技术相比,本发0明突破了现有d过渡金属氧氟化合物二阶非线性光学晶体材料的短波吸收截止边的极限,其紫外吸收截止边在190nm以下,在可见‑紫外激光领域具有广泛的应用前景。

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